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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
STT1900N16P55XPSA1	476.1600	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo		STT1900				Controlador de 1 fase: TODOS SCRS			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1					300 mA																	1.6 kV	2 V	17000A @ 50Hz	200 MA									2 SCRS
IRF5800TRPBF	-	RFQ	3140	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6				Mosfet (Óxido de metal)				Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar		2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P									30 V	4A (TA)	4.5V, 10V	85mohm @ 4a, 10v	1V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	535 pf @ 25 V	-	2W (TA)
IPI600N25N3GAKSA1	-	RFQ	4633	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		IPI600		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal									250 V	25A (TC)	10V	60mohm @ 25A, 10V	4V @ 90 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	2350 pf @ 100 V	-	136W (TC)
IPB100N06S3-03	-	RFQ	7513	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB100N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal									55 V	100A (TC)	10V	3mohm @ 80a, 10v	4V @ 230 µA	480 NC @ 10 V	± 20V	21620 pf @ 25 V	-	300W (TC)
PTFA092201FV4XWSA1	-	RFQ	7866	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas		PTFA092201	960MHz	Ldmos				H-37260-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40				10 µA		1.85 A	220W	18.5dB																		-													30 V
BSF134N10NJ3GXUMA1	2.3000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson		BSF134		Mosfet (Óxido de metal)				MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal									100 V	9a (TA), 40a (TC)	6V, 10V	13.4mohm @ 30a, 10v	3.5V @ 40 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	2300 pf @ 50 V	-	2.2W (TA), 43W (TC)
Bso303spntma1	-	RFQ	7150	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)				PG-dso-8	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P									30 V	8.9a (TA)	4.5V, 10V	21mohm @ 8.9a, 10v	2V @ 100 µA	69 NC @ 10 V	± 20V	1754 pf @ 25 V	-	2.35W (TA)
IRF7807	-	RFQ	6596	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95			N-canal									30 V	8.3a (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5V	1V @ 250 µA	17 NC @ 5 V	± 12V		-	2.5W (TA)
IM393M6EXKLA1	-	RFQ	1869	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Módulo de 35 Potencias (0.866 ", 22.00 mm), 30 cables	IGBT	IM393M6							descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP001675704	EAR99	8542.39.0001	450	Inversor de 3 fase								10 A	600 V	2000 VRMS
Irf7807ztr	-	RFQ	5382	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001572296	EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal									30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	13.8mohm @ 11a, 10v	2.25V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	770 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IRL530NPBF	-	RFQ	5313	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IRL530		Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal									100 V	17a (TC)	4V, 10V	100mohm @ 9a, 10v	2V @ 250 µA	34 NC @ 5 V	± 16V	800 pf @ 25 V	-	79W (TC)
IRF8736TRPBF	0.7800	RFQ	2845	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		IRF8736		Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal									30 V	18a (TA)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 18a, 10v	2.35V @ 50 µA	26 NC @ 4.5 V	± 20V	2315 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IPU50R950Ceakma2	-	RFQ	9807	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		IPU50R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal									500 V	4.3a (TC)	13V	950mohm @ 1.2a, 13V	3.5V @ 100 µA	10.5 NC @ 10 V	± 20V	231 pf @ 100 V	-	53W (TC)
BCR 142F E6327	-	RFQ	8942	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Sot-723		BCR 142			250 MW			PG-TSFP-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				50 V	100 mA			100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	150 MHz	22 kohms	47 kohms
IPA50R950CE	-	RFQ	5267	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		IPA50R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-31	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal									500 V	4.3a (TC)	13V	950mohm @ 1.2a, 13V	3.5V @ 100 µA	10.5 NC @ 10 V	± 20V	231 pf @ 100 V	-	25.7W (TC)
IPG20N06S415ATMA2	1.3800	RFQ	5402	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn		IPG20N		Mosfet (Óxido de metal)	50W			PG-TDSON-8-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)											60V	20A		15.5mohm @ 17a, 10v	4V @ 20 µA	29NC @ 10V		2260pf @ 25V	-
BSP129L6906HTSA1	-	RFQ	9937	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT223-4-21	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal									240 V	350MA (TA)	0V, 10V	6ohm @ 350mA, 10V	1V @ 108 µA	5.7 NC @ 5 V	± 20V	108 pf @ 25 V	MODO DE AGOTAMENTO	1.8w (TA)
IPB160N04S203ATMA1	-	RFQ	5720	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)		IPB160N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-7-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal									40 V	160A (TC)	10V	2.9mohm @ 60a, 10v	4V @ 250 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	5300 pf @ 25 V	-	300W (TC)
BCR133WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	1080	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323		BCR133			250 MW			PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				50 V	100 mA			100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
BCW60BE6327HTSA1	0.0666	RFQ	48	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		BCW60			330 MW			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																				32 V	100 mA			20NA (ICBO)			NPN	550mv @ 1.25 mA, 50 mA	180 @ 2mA, 5V	250MHz
IDL04G65C5XUMA2	2.8000	RFQ	3	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	4-Powertsfn		IDL04G65		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY				PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																									650 V	1.7 v @ 4 a	0 ns	70 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	130pf @ 1V, 1 MHz
BFP 640FESD E6327	-	RFQ	5415	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables		BFP 640			200MW			4-TSFP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000								8b ~ 30.5db																												4.7V	50mera						NPN		110 @ 30mA, 3V	46 GHz			0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
IRFR1018ETRPBF	1.6600	RFQ	36	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IRFR1018		Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal									60 V	56a (TC)	10V	8.4mohm @ 47a, 10v	4V @ 100 µA	69 NC @ 10 V	± 20V	2290 pf @ 50 V	-	110W (TC)
64-2082pbf	-	RFQ	5191	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto													-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1													-
BSC057N08NS3GATMA1	2.0800	RFQ	11	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		BSC057		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal									80 V	16a (TA), 100a (TC)	6V, 10V	5.7mohm @ 50A, 10V	3.5V @ 73 µA	56 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 40 V	-	2.5W (TA), 114W (TC)
FZ1600R17KF6CB2NOSA1	-	RFQ	3799	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo		FZ1600			12500 W		Estándar	Módulo	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	2 Independientes																																		-	1700 V	2600 A	3.1V @ 15V, 1600A		3 MA	No	105 nf @ 25 V
IPB160N04S2L03ATMA1	-	RFQ	5621	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)		IPB160N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-7-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal									40 V	160A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	230 NC @ 5 V	± 20V	6000 pf @ 15 V	-	300W (TC)
BCR 133F B6327	-	RFQ	8399	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Sot-723		BCR 133			250 MW			PG-TSFP-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	30,000																																				50 V	100 mA			100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
IPG20N10S4L22AATMA1	1.7600	RFQ	5357	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	8Powervdfn		IPG20N		Mosfet (Óxido de metal)	60W			PG-TDSON-8-10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)											100V	20A		22mohm @ 17a, 10v	2.1V @ 25 µA	27nc @ 10V		1755pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
BSS138W L6433	-	RFQ	4984	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323				Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000			N-canal									60 V	280MA (TA)	4.5V, 10V	3.5ohm @ 220 mm, 10V	1.4V @ 26 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	43 pf @ 25 V	-	500MW (TA)