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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AIHD15N60RFATMA1 | - |  | 3667 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | AIHD15 | Estándar | 240 W | PG-TO252-3-313 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 15a, 15ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 30 A | 45 A | 2.5V @ 15V, 15a | 270 µJ (Encendido), 250 µJ (apaguado) | 90 NC | 13ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6623TRPBF | 2.3700 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico st | IRF6623 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ st | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 16A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1360 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 | - | | 5164 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IPC60R | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000857782 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIGC15T60EX1SA1 | - | | 7806 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC15 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 30 A | 90 A | 1.9V @ 15V, 30a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPB04N50C3 | 0.5900 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 470 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRAMX16UP60A-2 | - | | 3085 | 0.00000000 | Infineon Technologies | iMotion ™ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Módulo de 23 PowerSip, 19 cables, clientes Potenciales Formados | IGBT | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 80 | 3 fase | 16 A | 600 V | 2000 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKW40N120H3FKSA1 | 9.2400 | | 93 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKW40N120 | Estándar | 483 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 12ohm, 15V | 355 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 80 A | 160 A | 2.4V @ 15V, 40A | 4.4mj | 185 NC | 30ns/290ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| PX8143JDMG029XTMA1 | - | | 1713 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | PX8143JD | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FZ1800R45HL4S7BPSA1 | 4.0000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FZ1800 | 4000000 W | Estándar | AG-IHVB190 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 4500 V | 1800 A | 2.6V @ 25V, 1800A | 5 Ma | No | 297 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH73K10EF | - | | 7728 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Irg7ch | Estándar | Morir | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 75a, 4.7ohm, 15V | - | 1200 V | 1.6v @ 15v, 20a | - | 360 NC | 63ns/267ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR162E6327 | - | | 1176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR162 | 200 MW | PG-SOT23-3-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDP23013XUMA1 | 2.2834 | | 3678 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | IDP23013 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001600872 | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF8915TR | - | | 5450 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF89 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 8.9A | 18.3mohm @ 8.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.4nc @ 4.5V | 540pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 166T E6327 | - | | 5541 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 166 | 250 MW | PG-SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 160 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF200B211 | 1.1000 | | 233 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF200 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 12a (TC) | 10V | 170mohm @ 7.2a, 10v | 4.9V @ 50 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 50 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| Auirgr4045d | - | | 7674 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Irgr4045 | Estándar | 77 W | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 6a, 47ohm, 15V | 74 ns | Zanja | 600 V | 12 A | 18 A | 2V @ 15V, 6a | 56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado) | 19.5 NC | 27ns/75ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DDB6U104N16RRBPSA1 | 104.0400 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ddb6u104 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Piquero | - | 1200 V | 50 A | 2.8V @ 15V, 50A | 1 MA | Si | 3.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FZ3600R17HE4PHPSA1 | 1.0000 | | 8001 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FZ3600 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Interruptor Único | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 7200 A | 2.3V @ 15V, 3600A | 5 Ma | No | 295 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS600R07A2E3B31BOSA1 | - | | 7249 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Obsoleto | FS600R07 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8252TRPBF-1 | - | | 6705 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001563862 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 25 V | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 25A, 10V | 2.35V @ 100 µA | 53 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5305 pf @ 13 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7465PBF | - | | 8366 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001563554 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | N-canal | 150 V | 1.9a (TA) | 10V | 280mohm @ 1.14a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 330 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | 89.0900 | | 43 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™, Coolsic ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS55MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW | Ag-Easy1b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 6 Canal N (Puente completo) | 1200V | 15a (TJ) | 79mohm @ 15a, 18V | 5.15V @ 6MA | 45nc @ 18V | 1350pf @ 800V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfu024npbf | - | | 7173 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu024 | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BB69C-02V | - | | 6953 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRD3CH101DF6 | - | | 7203 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IRD3CH101 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001539704 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIMZA75R016M1HXKSA1 | 18.9442 | | 7664 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-amza75r016m1hxksa1 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4078DPBF | - | | 3646 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 278 W | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001540792 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | Zanja | 600 V | 74 A | 150 A | 2.2V @ 15V, 50A | 1.1mj (apaguado) | 92 NC | -/116ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irams12up60a-2 | - | | 7604 | 0.00000000 | Infineon Technologies | iMotion ™ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Módulo de 23 PowerSip, 19 cables, clientes Potenciales Formados | IGBT | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 80 | 3 fase | 12 A | 600 V | 2000 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR198SH6827XTSA1 | - | | 2343 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR198 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 190MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ1200R45KL3B5NOSA1 | 2.0000 | | 6997 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FZ1200 | 13500 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | - | 4500 V | 1200 A | 2.85V @ 15V, 1200A | 5 Ma | No | 280 NF @ 25 V |
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