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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 98-0299 | - |  | 5939 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIGC04T60EX1SA2 | - | | 2116 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC04 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 6 A | 18 A | 1.9V @ 15V, 6a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGC15B60KB | - | | 9544 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | Escrutinio | 600 V | 15 A | 1.35V @ 15V, 3A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIGC08T60EX1SA1 | - | | 1822 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC08 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 15 A | 45 A | 1.9V @ 15V, 15a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGC100B60KB | - | | 6394 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | IRGC100 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | Escrutinio | 600 V | 100 A | 2.1V @ 15V, 100A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGC4067EFX7SA1 | - | | 3834 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | Morir | IRGC4067 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | 600 V | 240 A | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4CC50WC | - | | 4254 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Morir | IRG4CC | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | 33 ns | - | 600 V | 27 A | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4CC80SB | - | | 6542 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Morir | IRG4CC | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | - | 600 V | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGC10T65U8QX1SA1 | - | | 8806 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | - | - | IGC10 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGC20B60KB | - | | 8528 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | Escrutinio | 600 V | 20 A | 1.3V @ 15V, 4A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISP13DP06NMSATMA1 | 0.9000 | | 7726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP13DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2.8a (TA) | - | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | ISP25DP06NMXTSA1 | 0.8600 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP25DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | 10V | 250mohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 270 µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 20V | 420 pf @ 30 V | - | 1.8W (TA), 4.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| ISP26DP06NMSATMA1 | 0.6700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP26DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | - | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD06P003NSAUMA1 | - | | 4206 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD06P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001863526 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 22a (TC) | 10V | 65mohm @ 22a, 10v | 4V @ 1.04mA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| BSM150GB170DLCE3256HDLA1 | - | | 9812 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | BSM150 | 1250 W | Estándar | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | - | 1700 V | 300 A | 3.2V @ 15V, 150a | 300 µA | No | 10 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FF1500R12IE5PBPSA1 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3+ B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF1500R | 20 MW | Estándar | Ag-prime3+-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 1500 A | 2.15V @ 15V, 1.5ka | 5 Ma | Si | |||||||||||||||||||||||||||||
| FF450R33T3E3P2BPSA1 | 1.0000 | | 6115 | 0.00000000 | Infineon Technologies | XHP ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF450R33 | 1000000 W | Estándar | AG-XHP100-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 8541.29.0095 | 2 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 3300 V | 450 A | 2.75V @ 15V, 450A | 5 Ma | No | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FS100R12N2T4B11BOSA1 | - | | 4721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS100R12 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001723592 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 MA | Si | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUA200N04S5N010AUMA1 | 2.9800 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | IAUA200 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 7V, 10V | 1mohm @ 100a, 10v | 3.4V @ 100 µA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 7650 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IEWS20R5135IPBXKLA1 | - | | 6258 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-6 | Lógica | 288 W | PG-TO247-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001778868 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1350 V | 40 A | 60 A | 1.85V @ 0v, 20a | -, 1.2mj (apaguado) | 668ns/2.034 µs | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IKFW90N60EH3XKSA1 | 12.7500 | | 248 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKFW90 | Estándar | 178 W | PG-TO247-3-AI | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75a, 5ohm, 15V | 107 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 77 A | 300 A | 2.3V @ 15V, 75a | 2.65mj (Encendido), 1.3mj (apaguado) | 440 NC | 32NS/210NS | ||||||||||||||||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | 2.4916 | | 3744 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-Powertsfn | IPL65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-VSON-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 21.3a (TC) | 10V | 165mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R110CFDXKSA2 | 6.8400 | | 7298 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 31.2a (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10v | 4.5V @ 1.3MA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 3240 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 46DN06B02ElAMPRXPSA1 | 287.0875 | | 2442 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Apretar | DO-200AA, A-PUK | 46DN06 | Estándar | BG-D-ELEM-1 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 980 MV @ 6000 A | 40 Ma @ 600 V | 180 ° C (Max) | 7740a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 38DN06B02ElAMPRXPSA1 | 232.6450 | | 8747 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | DO-200AA, A-PUK | 38DN06 | Estándar | BG-D-ELEM-1 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 960 MV @ 4500 A | 50 mA @ 600 V | 180 ° C (Max) | 5140A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMW65R030M1HXKSA1 | 21.6000 | | 5674 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IMW65R | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 58a (TC) | 18V | 42mohm @ 29.5a, 18V | 5.7V @ 8.8MA | 48 NC @ 18 V | +20V, -2V | 1643 pf @ 400 V | - | 197W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Auxtmgps4070d2 | - | | 4965 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Autxmgps | - | - | Alcanzar sin afectado | 448-AUXTMGPS4070D2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF600R12ME7B11BPSA1 | - | | 8241 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF600R12 | 20 MW | Estándar | Agóndo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 600 A | 1.75V @ 15V, 600A | 35 µA | Si | 92 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R018CFD7XKSA1 | 24.9500 | | 9651 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 106a (TC) | 10V | 18mohm @ 58.2a, 10v | 4.5V @ 2.91mA | 234 NC @ 10 V | ± 20V | 11659 pf @ 400 V | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| PX8847HDNG008XTMA1 | - | | 5006 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | PX8847HD | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 |
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