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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IPW60R070P6XKSA1	8.7100	RFQ	146	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW60R070			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal							600 V	53.5a (TC)	10V	70mohm @ 20.6a, 10v	4.5V @ 1.72MA	100 NC @ 10 V	± 20V	4750 pf @ 100 V	-	391W (TC)
BSC096N10LS5ATMA1	2.4900	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC096			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal							100 V	40A (TC)	4.5V, 10V	9.6mohm @ 20a, 10v	2.3V @ 36 µA	14.6 NC @ 4.5 V	± 20V	2100 pf @ 50 V	-	3W (TA), 83W (TC)
IPP08CN10N G	-	RFQ	3446	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP08C			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal							100 V	95A (TC)	10V	8.5mohm @ 95a, 10v	4V @ 130 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	6660 pf @ 50 V	-	167W (TC)
IRF7606TRPBF	0.9600	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	IRF7606			Mosfet (Óxido de metal)				Micro8 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P							30 V	3.6a (TA)	4.5V, 10V	90mohm @ 2.4a, 10V	1V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	520 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
BSD816SNL6327HTSA1	-	RFQ	2703	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363				Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal							20 V	1.4a (TA)	1.8V, 2.5V	160mohm @ 1.4a, 2.5V	950MV @ 3.7 µA	0.6 NC @ 2.5 V	± 8V	180 pf @ 10 V	-	500MW (TA)
IPW65R018CFD7XKSA1	24.9500	RFQ	9651	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW65R			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal							650 V	106a (TC)	10V	18mohm @ 58.2a, 10v	4.5V @ 2.91mA	234 NC @ 10 V	± 20V	11659 pf @ 400 V	-	446W (TC)
Bsm75gd60dlcbosa1	-	RFQ	1238	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	Bsm75g				330 W		Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Puente completo																																				-	600 V	95 A		2.45V @ 15V, 75a					500 µA	No	3.3 NF @ 25 V
IPS70R900P7SAKMA1	0.8500	RFQ	964	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPS70R900			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal							700 V	6a (TC)	10V	900mohm @ 1.1a, 10V	3.5V @ 60 µA	6.8 NC @ 10 V	± 16V	211 pf @ 400 V	-	30.5W (TC)
IRG4BC20KDPBF	-	RFQ	3228	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar			60 W			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000						480V, 9a, 50ohm, 15V																									37 ns						-	600 V	16 A	32 A	2.8V @ 15V, 9a	340 µJ (Encendido), 300 µJ (apagado)	34 NC	54ns/180ns
IDD05SG60CXTMA2	1.9507	RFQ	6564	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IDD05SG60			Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																										600 V		2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	110pf @ 1V, 1 MHz
Irf7726tr	-	RFQ	5234	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)				Mosfet (Óxido de metal)				Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P							30 V	7a (TA)	4.5V, 10V	26mohm @ 7a, 10v	2.5V @ 250 µA	69 NC @ 10 V	± 20V	2204 pf @ 25 V	-	1.79W (TA)
SPD14N06S2-80	-	RFQ	1611	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD14N			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							55 V	17a (TC)	10V	80mohm @ 7a, 10v	4V @ 14 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 25 V	-	30W (TC)
IPB60R385CP	-	RFQ	2745	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal							600 V	9A (TC)	10V	385mohm @ 5.2a, 10V	3.5V @ 340 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 100 V	-	83W (TC)
PTFA072401ELV4R250XTMA1	-	RFQ	1710	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	H-33288-2			765MHz	Ldmos				H-33288-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.21.0095	250				-			1.8 A	220W	19dB																	-																			30 V
IDH09SG60CXKSA2	4.0156	RFQ	8861	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	La Última Vez Que Compre			A Través del Aguetero	Un 220-2	IDH09SG60			Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY				PG-TO20-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																										600 V		2.1 v @ 9 a	0 ns	80 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	280pf @ 1V, 1 MHz
Auirfr3504ztrl	1.1429	RFQ	9665	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirfr3504			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001516690	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal							40 V	42a (TC)		9mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	45 NC @ 10 V		1510 pf @ 25 V	-	90W (TC)
IPD03N03LA G	1.4900	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD03N			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							25 V	90A (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 60a, 10V	2V @ 70 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	5200 pf @ 15 V	-	115W (TC)
IST011N06NM5AUMA1	6.2100	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	5-Powersfn	Ist011n			Mosfet (Óxido de metal)				PG-HSOF-5-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal							60 V	38a (TA), 399A (TC)	6V, 10V	1.1mohm @ 100a, 10v	3.3V @ 148 µA	154 NC @ 10 V	± 20V	8100 pf @ 30 V	-	3.8W (TA), 313W (TC)
BSS192PE6327T	-	RFQ	1197	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA				Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT89	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			Canal P							250 V	190MA (TA)	2.8V, 10V	12ohm @ 190ma, 10v	2V @ 130 µA	6.1 NC @ 10 V	± 20V	104 pf @ 25 V	-	1W (TA)
DD700N22KHPSA3	405.3200	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Banda	Activo			Monte del Chasis	Módulo	DD700N22			Estándar				Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									Conexión de la Serie de 1 par	2200 V	700A	1.36 V @ 2200 A		40 mA @ 2200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
IKY100N120CH7XKSA1	16.4200	RFQ	190	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	IKY100N120	Estándar			721 W			PG-TO247-4-U10	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30						-																									99 ns						Parada de Campo de Trinchera	1200 V	212 A	400 A	2.15V @ 15V, 100A	2.37MJ (Encendido), 2.65mj (apaguado)	714 NC	44ns/359ns
ETD480N22P60HPSA1	-	RFQ	5595	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 135 ° C (TC)	Monte del Chasis	Módulo	ETD480					Conexión de la Serie - SCR/Diodo			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2					300 mA															2.2 kV	700 A	2.2 V	14700A @ 50Hz	250 Ma	480 A											1 scr, 1 diodo
BSC020N03MSGATMA1	1.6600	RFQ	32	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC020			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal							30 V	25A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	2mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	124 NC @ 10 V	± 20V	9600 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 96W (TC)
IRL3402SPBF	-	RFQ	3947	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001568332	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							20 V	85A (TC)	4.5V, 7V	8mohm @ 51a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	78 NC @ 4.5 V	± 10V	3300 pf @ 15 V	-	110W (TC)
Irfl1006tr	-	RFQ	4911	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)				SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							60 V	1.6a (TA)	10V	220mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V	160 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IRF5800TRPBF	-	RFQ	3140	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6				Mosfet (Óxido de metal)				Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar		2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P							30 V	4A (TA)	4.5V, 10V	85mohm @ 4a, 10v	1V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	535 pf @ 25 V	-	2W (TA)
IPI600N25N3GAKSA1	-	RFQ	4633	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI600			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal							250 V	25A (TC)	10V	60mohm @ 25A, 10V	4V @ 90 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	2350 pf @ 100 V	-	136W (TC)
IPB100N06S3-03	-	RFQ	7513	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB100N			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							55 V	100A (TC)	10V	3mohm @ 80a, 10v	4V @ 230 µA	480 NC @ 10 V	± 20V	21620 pf @ 25 V	-	300W (TC)
PTFA092201FV4XWSA1	-	RFQ	7866	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA092201		960MHz	Ldmos				H-37260-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40				10 µA			1.85 A	220W	18.5dB																	-																			30 V
BSF134N10NJ3GXUMA1	2.3000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson	BSF134			Mosfet (Óxido de metal)				MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal							100 V	9a (TA), 40a (TC)	6V, 10V	13.4mohm @ 30a, 10v	3.5V @ 40 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	2300 pf @ 50 V	-	2.2W (TA), 43W (TC)