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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)
Irfl4315pbf	-	RFQ	1101	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001554908	EAR99	8541.29.0095	80			N-canal					150 V	2.6a (TA)	10V	185mohm @ 1.6a, 10V	5V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 30V	420 pf @ 25 V	-	2.8W (TA)
FF300R17ME4PBPSA1	283.2550	RFQ	6509	Infineon Technologies	ECONODUAL ™ 3	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo		FF300R17			20 MW	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6	Medio puente																										Parada de Campo de Trinchera	1700 V	600 A		2.3V @ 15V, 300A				3 MA	Si	24.5 NF @ 25 V
FP50R12N2T7B16BPSA1	151.0773	RFQ	1924	Infineon Technologies	-	Banda	Activo					FP50R12						-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15
IKW50N65RH5XKSA1	9.5400	RFQ	6037	Infineon Technologies	Trenchstop ™ 5	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Ikw50n65	Estándar		305 W		PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				400V, 25A, 12ohm, 15V																							Parada de Campo de Trinchera	650 V	80 A	200 A	2.1V @ 15V, 50A	230 µJ (Encendido), 180 µJ (apaguado)	120 NC	22ns/180ns
IPP60R160P7XKSA1	3.8000	RFQ	527	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IPP60R160		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					650 V	20A (TC)	10V	160mohm @ 6.3a, 10v	4V @ 350 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	1317 pf @ 400 V	-	81W (TC)
SPU01N60C3	0.4200	RFQ	147	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal					600 V	800 mA (TC)	10V	6ohm @ 500 mA, 10V	3.9V @ 250 µA	5 NC @ 10 V	± 20V	100 pf @ 25 V	-	11W (TC)
IGP20N65H5XKSA1	2.7600	RFQ	7029	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-3		IGP20N65	Estándar		125 W		PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50				400V, 10a, 32ohm, 15V																							-	650 V	42 A	60 A	2.1V @ 15V, 20a	170 µJ (Encendido), 60 µJ (apaguado)	48 NC	18ns/156ns
BSB012N03LX3 G	-	RFQ	1826	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson				Mosfet (Óxido de metal)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					30 V	39A (TA), 180A (TC)	4.5V, 10V	1.2mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250 µA	169 NC @ 10 V	± 20V	16900 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
AIGW40N65F5XKSA1	6.7400	RFQ	190	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Aigw40	Estándar		250 W		PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				400V, 20a, 15ohm, 15V																							Zanja	650 V	74 A	120 A	2.1V @ 15V, 40A	350 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado)	95 NC	19ns/165ns
IDDD04G65C6XTMA1	2.5300	RFQ	3	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	Módulo de 10-PowerSop		IDDD04		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-HDSOP-10-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.700		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																	650 V			0 ns	14 µA @ 420 V	-55 ° C ~ 175 ° C	13A	205pf @ 1V, 1 MHz
IRFR13N15DPBF	-	RFQ	8617	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001556864	EAR99	8541.29.0095	75			N-canal					150 V	14a (TC)	10V	180mohm @ 8.3a, 10v	5.5V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 30V	620 pf @ 25 V	-	86W (TC)
IRFU2405PBFAKLA1	-	RFQ	5208	Infineon Technologies	*	Tubo	Activo											-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-IRFU2405PBFAKLA1
IPW60R075CPXK	-	RFQ	9797	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-41	descascar					EAR99	8542.39.0001	1			N-canal					600 V	39A (TC)	10V	75mohm @ 26a, 10v	3.5V @ 1.7MA	116 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 100 V	-	313W (TC)
BSL202SNH6327XTSA1	0.6400	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		BSL202		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSOP6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					20 V	7.5a (TA)	2.5V, 4.5V	22mohm @ 7.5a, 4.5V	1.2V @ 30 µA	8.7 NC @ 10 V	± 12V	1147 pf @ 10 V	-	2W (TA)
IPD350N06LGBTMA1	0.9600	RFQ	5454	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD350		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					60 V	29a (TC)	4.5V, 10V	35mohm @ 29a, 10v	2V @ 28 µA	13 NC @ 5 V	± 20V	800 pf @ 30 V	-	68W (TC)
IPBE65R099CFD7AATMA1	7.9300	RFQ	2818	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ CFD7A	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb		IPBE65		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7-3-10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					650 V	24a (TC)	10V	99mohm @ 12.5a, 10V	4.5V @ 630 µA	53 NC @ 10 V	± 20V	2513 pf @ 400 V	-	127W (TC)
BCR 129T E6327	-	RFQ	8963	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	SC-75, SOT-416		BCR 129			250 MW		PG-SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																												50 V	100 mA						100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	120 @ 5MA, 5V	150 MHz	10 kohms
DR11140115NDSA1	-	RFQ	4566	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto											-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1
IRF7501TR	-	RFQ	7557	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)		IRF7501		Mosfet (Óxido de metal)	1.25W		Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)							20V	2.4a		135mohm @ 1.7a, 4.5V	700mv @ 250 µA	8NC @ 4.5V		260pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
SPD04P10PGBTMA1	0.9800	RFQ	22	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		SPD04P10		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P					100 V	4A (TC)	10V	1ohm @ 2.8a, 10v	4V @ 380 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	319 pf @ 25 V	-	38W (TC)
BSP297L6327HTSA1	-	RFQ	7291	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4-21	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					200 V	660MA (TA)	4.5V, 10V	1.8ohm @ 660ma, 10V	1.8V @ 400 µA	16.1 NC @ 10 V	± 20V	357 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IKW50N120CH7XKSA1	9.7100	RFQ	8367	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Ikw50n	Estándar		398 W		PG-TO247-3-U06	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				-																		116 ns					Parada de Campo de Trinchera	1200 V	86 A	200 A	2.15V @ 15V, 50A	2.33mj (Encendido), 1.12mj (apagado)	375 NC	39ns/319ns
IM393M6E3XKLA1	-	RFQ	5624	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Módulo de 35 Potencias (0.866 ", 22.00 mm), 30 cables	IGBT							descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	15	Inversor de 3 fase				10 A	600 V	2000 VRMS
IRL3302S	-	RFQ	1467	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3302S	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					20 V	39A (TC)	4.5V, 7V	20mohm @ 23a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	31 NC @ 4.5 V	± 10V	1300 pf @ 15 V	-	57W (TC)
AuIRFB8405-071	-	RFQ	7744	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal					40 V	120a (TC)	10V	2.5mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 100 µA	161 NC @ 10 V	± 20V	5193 pf @ 25 V	-	163W (TC)
IPP65R110CFDXKSA2	6.8400	RFQ	7298	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IPP65R110		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal					650 V	31.2a (TC)	10V	110mohm @ 12.7a, 10v	4.5V @ 1.3MA	118 NC @ 10 V	± 20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W (TC)
BAT6404E6433HTMA1	0.4700	RFQ	7149	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, BAT64	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		BAT6404		Schottky			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																Conexión de la Serie de 1 par	40 V	250 Ma	750 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)
IPLK60R1K0PFD7ATMA1	1.3400	RFQ	4	Infineon Technologies	CoolMos ™ PFD7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		IPlk60		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-52	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					600 V	5.2a (TC)	10V	1ohm @ 1a, 10v	4.5V @ 50 µA	6 NC @ 10 V	± 20V	230 pf @ 400 V	-	31.3W (TC)
IRF6218StrlpBF	-	RFQ	7475	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal P					150 V	27a (TC)	10V	150mohm @ 16a, 10v	5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2210 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IPI90R800C3	-	RFQ	1140	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		IPI90R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal					900 V	6.9a (TC)	10V	800mohm @ 4.1a, 10V	3.5V @ 460 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 100 V	-	104W (TC)