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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IRL2910pbf	2.9900	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IRL2910			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100			N-canal									100 V	55A (TC)	4V, 10V	26mohm @ 29a, 10v	2V @ 250 µA	140 NC @ 5 V	± 16V	3700 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRF6894MTR1PBF	-	RFQ	1055	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX					Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal									25 V	32A (TA), 160A (TC)	4.5V, 10V	1.3mohm @ 33a, 10v	2.1V @ 100 µA	39 NC @ 4.5 V	± 16V	4160 pf @ 13 V	Diodo Schottky (Cuerpo)	2.1W (TA), 54W (TC)
IM241S6S1BAUMA1	10.0700	RFQ	500	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Módulo 23-Powersmd	IGBT								descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	448-IM241S6S1BAUMA1DKR	EAR99	8542.39.0001	500	Inversor de 3 fase								2 A	600 V	2000 VRMS
IPA028N08N3G	3.8000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero					Mosfet (Óxido de metal)			PG-to20-3-111	descascar					EAR99	8542.39.0001	1			N-canal									80 V	89A (TC)	6V, 10V	2.8mohm @ 89a, 10v	3.5V @ 270 µA	206 NC @ 10 V	± 20V	14200 pf @ 40 V	-	42W (TC)
FS800R07A2E3Bosa4	-	RFQ	2627	Infineon Technologies	Hybridpack ™ 2	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo		FS800R07				1500 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3	Inversor trifásico																													Parada de Campo de Trinchera	650 V	700 A		1.6v @ 15V, 550a				5 Ma	Si	52 NF @ 25 V
IPB120N04S402ATMA1	3.2400	RFQ	882	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB120			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal									40 V	120a (TC)	10V	1.8mohm @ 100a, 10v	4V @ 110 µA	134 NC @ 10 V	± 20V	10740 pf @ 25 V	-	158W (TC)
IRF7309PBF	-	RFQ	6232	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		IRF73			Mosfet (Óxido de metal)	1.4w		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95	Vecino del canal											30V	4a, 3a		50mohm @ 2.4a, 10V	1V @ 250 µA	25NC @ 4.5V		520pf @ 15V	-
SIGC61T60NCX1SA1	-	RFQ	8876	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Morir		SIGC61T60	Estándar					Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1					300V, 75a, 3ohm, 15V																									Escrutinio	600 V	75 A	225 A	2.5V @ 15V, 75a	-	65ns/170ns
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1	158.8800	RFQ	24	Infineon Technologies	Coolsic ™	Banda	Activo		-	Monte del Chasis	Módulo		DF14MR12			Mosfet (Óxido de metal)	-		Ag-Easy1b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	24	-											1200V (1.2kv)	-		-	-	-		-	-
BSO080P03NS3GXUMA1	-	RFQ	1628	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		BSO080			Mosfet (Óxido de metal)			PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P									30 V	12a (TA)	6V, 10V	8mohm @ 14.8a, 10V	3.1V @ 150 µA	81 NC @ 10 V	± 25V	6750 pf @ 15 V	-	1.6w (TA)
IDH02SG120XKSA1	-	RFQ	3421	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2		Idh02			Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO20-2-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																					1200 V	1.8 V @ 2 A	0 ns	48 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	125pf @ 1V, 1 MHz
PTF080101M V1	-	RFQ	1174	Infineon Technologies	Goldmos®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	65 V		Montaje en superficie	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)				960MHz	Ldmos			PG-RFP-10	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500				1 µA		180 Ma	10W	16dB														-															28 V
FZ1800R12KF4S1	1.0000	RFQ	77	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo						10500 W	Estándar	AG-IHMB190	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1	Interruptor Único																													Zanja	1200 V	2700 A		2.05V @ 15V, 1.8ka				5 Ma	No	110 NF @ 25 V
BSS84PL6327HTSA1	-	RFQ	8052	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3					Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canal P									60 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	8ohm @ 170ma, 10v	2V @ 20 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	19 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
Ff300r12me4pbosa1	214.0950	RFQ	7547	Infineon Technologies	ECONODUAL ™ 3	Banda	Activo						FF300R12							-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	6
IRF3703PBF	4.1700	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IRF3703			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal									30 V	210A (TC)	7V, 10V	2.8mohm @ 76a, 10v	4V @ 250 µA	209 NC @ 10 V	± 20V	8250 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 230W (TC)
IRF7201TR	-	RFQ	7727	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)					Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001564746	EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal									30 V	7.3a (TC)	4.5V, 10V	30mohm @ 7.3a, 10v	1V @ 250 µA	28 NC @ 10 V	± 20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W (TC)
IPN60R360P7SATMA1	1.1600	RFQ	9129	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		IPN60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal									600 V	9A (TC)	10V	360mohm @ 2.7a, 10V	4V @ 140 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	555 pf @ 400 V	-	7W (TC)
IDV04S60CXKSA1	-	RFQ	6861	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		IDV04S60			Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-to220-2 paquete completo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																					600 V	1.9 v @ 4 a	0 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	130pf @ 1V, 1 MHz
IPC300N15N3RX2MA1	2.5600	RFQ	6	Infineon Technologies	Optimos®	Una granela	Activo		-	Montaje en superficie	Morir		IPC300N			Mosfet (Óxido de metal)			Morir	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0040	128			N-canal									150 V	-	10V	100mohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA		-		-	-
IRL2203NSPBF	-	RFQ	7113	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab					Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal									30 V	116a (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 60a, 10v	3V @ 250 µA	60 NC @ 4.5 V	± 16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 180W (TC)
IDP30E60XKSA1	1.2518	RFQ	3281	Infineon Technologies	-	Tubo	La Última Vez Que Compre			A Través del Aguetero	Un 220-2		IDP30			Estándar			PG-TO20-2-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																					600 V	2 V @ 30 A	126 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	52.3a	-
BF2030-E6327	-	RFQ	7196	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	8 V			Un 253-4, un 253AA				1 GHz	Mosfet			SOT143 (SC-61)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0095	3.000	N-canal			-		10 Ma	-	23dB														1.5db															5 V
SIDC14D60C8X1SA1	-	RFQ	8653	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Morir		SIDC14D60			Estándar			Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																					600 V	1.9 V @ 50 A		27 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	50A	-
Ipsh6n03lb g	-	RFQ	1043	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak		Ipsh6n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3-11	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal									30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 50A, 10V	2V @ 40 µA	22 NC @ 5 V	± 20V	2800 pf @ 15 V	-	83W (TC)
IHW30N140R5LXKSA1	4.1500	RFQ	7726	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo													descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		448-IHW30N140R5LXKSA1	EAR99	8541.29.0095	30
SN7002WL6327	-	RFQ	3648	Infineon Technologies	Sipmos®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323					Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT323-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	6,000			N-canal									60 V	230 mA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 230mA, 10V	1.8V @ 26 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	45 pf @ 25 V	-	500MW (TA)
IPP120P04P4L03AKSA1	-	RFQ	6451	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IPP120			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal P									40 V	120a (TC)	4.5V, 10V	3.4mohm @ 100a, 10V	2.2V @ 340 µA	234 NC @ 10 V	± 16V	15000 pf @ 25 V	-	136W (TC)
IRF1310NSTRLPBF	2.5400	RFQ	6	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IRF1310			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal									100 V	42a (TC)	10V	36mohm @ 22a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 160W (TC)
IRFS4310PBF	-	RFQ	3003	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab					Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001578288	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal									100 V	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)