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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Max	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Resistencia @ if, f	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
IPD80N06S3-09	-	RFQ	9664	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD80N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							55 V	80a (TC)	10V	8.4mohm @ 40a, 10v	4V @ 55 µA	88 NC @ 10 V	± 20V	6100 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IPP120N08S404AKSA1	-	RFQ	7519	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP120		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal							80 V	120a (TC)	10V	4.4mohm @ 100a, 10V	4V @ 120 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 25 V	-	179W (TC)
DZ1100N22KTIMHPSA1	673.1900	RFQ	8430	Infineon Technologies	-	Banda	Activo			Monte del Chasis	Módulo	DZ1100		Estándar				BG-PB70AT-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																										2200 V		1.11 V @ 3000 A		80 mA @ 2200 V	150 ° C (Máximo)	1100A	-
IPB60R385CPATMA1	-	RFQ	4600	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							600 V	9A (TC)	10V	385mohm @ 5.2a, 10V	3.5V @ 340 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IPB100N04S2L03ATMA1	-	RFQ	8882	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB100N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							40 V	100A (TC)	4.5V, 10V	3mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	6000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Spp15p10pghksa1	-	RFQ	9018	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp15p		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal P							100 V	15A (TC)	10V	240mohm @ 10.6a, 10v	2.1V @ 1.54mA	48 NC @ 10 V	± 20V	1280 pf @ 25 V	-	128W (TC)
IPB80N06S205ATMA1	-	RFQ	4265	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							55 V	80a (TC)	10V	4.8mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	5110 pf @ 25 V	-	300W (TC)
SN7002WH643333TMA1	0.0551	RFQ	5203	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños					SN7002							descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000												4.5V, 10V				± 20V
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	8293	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto					IPC60R							-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000857780	Obsoleto	0000.00.0000	1											-
IPB60R280P6ATMA1	2.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R280		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							600 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 430 µA	25.5 NC @ 10 V	± 20V	1190 pf @ 100 V	-	104W (TC)
DD435N40KHPSA1	563.8400	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Banda	Activo			Monte del Chasis	Módulo	DD435N40		Estándar				Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									Conexión de la Serie de 1 par	4000 V	573A	1.71 V @ 1200 A		50 mA @ 4000 V	-40 ° C ~ 150 ° C
FZ1000R33HE3B60BPSA1	1.0000	RFQ	5155	Infineon Technologies	Ihm-b	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FZ1000			1600000 W		Estándar	AG-IHVB130-3	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	Interruptor Único																																				Parada de Campo de Trinchera	3300 V	1000 A	3.1V @ 15V, 1ka				5 Ma	No	190 NF @ 25 V
BAS7007WE6327BTSA1	-	RFQ	1196	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BAS7007		Schottky				PG-SOT343-4-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																									2 Independientes	70 V	70MA (DC)	1 V @ 15 Ma	100 ps	100 na @ 50 V	150 ° C (Máximo)
BCW60FFE6327HTSA1	-	RFQ	4039	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCW60			330 MW			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																						32 V	100 mA					20NA (ICBO)				NPN	550mv @ 1.25 mA, 50 mA	250 @ 2mA, 5V	250MHz
PTFC262808SVV1R250XTMA1	-	RFQ	5974	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	H-37275G-6/2		2.62GHz ~ 2.69GHz	Ldmos				H-37275G-6/2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001028998	EAR99	8541.29.0095	250	Dual			10 µA				56W	19.5dB																	-
IRF7822PBF	-	RFQ	5853	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7822		Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001572268	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal							30 V	18a (TA)	4.5V	6.5mohm @ 15a, 4.5V	1V @ 250 µA	60 NC @ 5 V	± 12V	5500 pf @ 16 V	-	3.1W (TA)
SPP42N03S2L-13	-	RFQ	9757	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp42n		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Spp42n03s2l-13in	EAR99	8541.29.0095	500			N-canal							30 V	42a (TC)	4.5V, 10V	12.9mohm @ 21a, 10v	2V @ 37 µA	30.5 NC @ 10 V	± 20V	1130 pf @ 25 V	-	83W (TC)
IDP08E65D1XKSA1	1.9500	RFQ	8213	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	IDP08E65		Estándar				Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																										650 V		1.7 V @ 8 A	80 ns	40 µA @ 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C	8A	-
TT162N14KOFHPSA2	183.1400	RFQ	5	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo					Conexión de la Serie: Todos los SCRS			descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	8						200 MA														1.4 kV	260 A	2 V	5200A @ 50Hz	150 Ma	162 A											2 SCRS
DZ540N22KHPSA1	275.8167	RFQ	6051	Infineon Technologies	-	Banda	Activo			Monte del Chasis	Módulo	DZ540N22		Estándar				Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																										2200 V		1.64 v @ 2200 A		40 mA @ 2200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	732a	-
PTFA212401F V4 R250	-	RFQ	7943	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA212401	2.14 GHz	Ldmos				H-37260-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	250				10 µA			1.6 A	50W	15.8db																	-															30 V
IRF7304TRPBF	-	RFQ	3953	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF73		Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal P (Dual)									20V	4.3a		90mohm @ 2.2a, 4.5V	700mv @ 250 µA	22NC @ 4.5V		610pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
BAT15-099R	1.0000	RFQ	9866	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)		Un 253-4, un 253AA							PG-SOT143	descascar					EAR99	8541.10.0070	1					110 Ma														100 MW																0.5pf @ 0V, 1MHz							Schottky - 2 par Cátodo Común	4v				-
IPL65R460CFDAUMA1	-	RFQ	3641	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL65R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-VSON-4	descascar		2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	SP000949260	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal							650 V	8.3a (TC)	10V	460mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 300 µA	31.5 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W (TC)
IRF3709ZSTRLPBF	-	RFQ	1510	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal							30 V	87a (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 20V	2130 pf @ 15 V	-	79W (TC)
BSF083N03LQ G	-	RFQ	3051	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson			Mosfet (Óxido de metal)				MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal							30 V	13A (TA), 53A (TC)	4.5V, 10V	8.3mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 15 V	-	2.2W (TA), 36W (TC)
BB 857 E7902	-	RFQ	4605	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-80	BB 857						SCD-80	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000																																			0.52pf @ 28V, 1MHz							Soltero	30 V									12.7	C1/C28	-
Bb689h7903xtma1	-	RFQ	9652	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-80	BB689						SCD-80	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000																																			2.9pf @ 28V, 1 MHz							Soltero	30 V									23.2	C1/C28	-
IPDQ60R040S7AXTMA1	11.1000	RFQ	5649	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 22 poderos	IPDQ60R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-HDSOP-22-1	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	750			N-canal							600 V	14a (TC)	12V	40mohm @ 13a, 12V	4.5V @ 790 µA	83 NC @ 12 V	± 20V		-	272W (TC)
IRLR8113	-	RFQ	9596	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLR8113	EAR99	8541.29.0095	75			N-canal							30 V	94a (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 15a, 10v	2.25V @ 250 µA	32 NC @ 4.5 V	± 20V	2920 pf @ 15 V	-	89W (TC)