SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STTA512FP STMicroelectronics Stta512fp -
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada STTA512 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4402-5 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.2 v @ 5 a 95 ns 100 µA @ 1200 V 150 ° C (Máximo) 5A -
STB34NM60N STMicroelectronics Stb34nm60n 10.5300
RFQ
 ECAD 8271 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB34 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 105mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2722 pf @ 100 V - 250W (TC)
STX93003-AP STMicroelectronics STX93003-AP -
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STX93003 1.5 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 1 A 1mera PNP 500mv @ 100 mm, 500 mA 16 @ 350mA, 5V -
STP14NK60ZFP STMicroelectronics STP14NK60ZFP 4.6700
RFQ
 ECAD 8255 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP14 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 13.5A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 100 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 2220 pf @ 25 V - 40W (TC)
STGD10NC60KT4 STMicroelectronics Stgd10nc60kt4 -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd10 Estándar 60 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390V, 5a, 10ohm, 15V - 600 V 20 A 30 A 2.5V @ 15V, 5A 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
Z0107MUF STMicroelectronics Z0107MUF 0.9400
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMB, Plano Plano Z0107 Smbflat-3l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5,000 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 1 A 1.3 V 8a, 8.5a 5 Ma
ACST6-7SG-TR STMicroelectronics ACST6-7SG-TR 1.9200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab ACST6 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 25 Ma Lógica - Puerta sensible 700 V 6 A 1.5 V 45a, 50a 10 Ma
PD57006STR-E STMicroelectronics PD57006STR-E -
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V PowerSo-10RF Padera Inferior Expuesta (2 cables rectos) PD57006 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 1A 70 Ma 6W 15dB - 28 V
2STA1943 STMicroelectronics 2STA1943 2.9400
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA 2sta 150 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 25 230 V 15 A 5 µA (ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
STB18N55M5 STMicroelectronics STB18N55M5 -
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb18n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 550 V 16a (TC) 10V 192mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1260 pf @ 100 V - 110W (TC)
ACS108-8SUN-TR STMicroelectronics ACS108-8SUN-TR 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics ACS ™/ASD® Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMB, Plano Plano ACS108 Smbflat-3l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5,000 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 450 Ma 1 V 13a, 13.7a 10 Ma
BUL903ED STMicroelectronics Bul903ed -
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BUL903 70 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 5 A 1mera NPN 1V @ 150MA, 1A 20 @ 500mA, 3V -
BTA04-700SRG STMicroelectronics BTA04-700SRG -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA04 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 25 Ma Lógica - Puerta sensible 700 V 4 A 1.5 V 40a, 42a 10 Ma
STGIB8CH60S-L STMicroelectronics Stgib8ch60s-l 11.4035
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.146 ", 29.10 mm) IGBT Stgib8 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 156 Inversor de 3 fase 12 A 600 V 1500 VRMS
T1235T-8T STMicroelectronics T1235T-8T 1.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T1235 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13995-5 EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 40 Ma Alternista - Snubberless 800 V 12 A 1.3 V 90a, 95a 35 Ma
STFI260N6F6 STMicroelectronics Stfi260n6f6 4.3200
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi260n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 3mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 25 V - 41.7W (TC)
STE07DE220 STMicroelectronics Ste07de220 -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste07 220 W ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2200 V 7 A - NPN - Emisor Cambiado bipolar - - -
STL120N2VH5 STMicroelectronics Stl120n2vh5 2.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl120 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 120a (TC) 2.5V, 4.5V 3mohm @ 14a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 29 NC @ 2.5 V ± 8V 4660 pf @ 15 V - 80W (TC)
STD5NK40Z-1 STMicroelectronics STD5NK40Z-1 1.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std5nk40 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 400 V 3A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 305 pf @ 25 V - 45W (TC)
STD60NH03L-1 STMicroelectronics Std60nh03l-1 -
RFQ
 ECAD 1231 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std60n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 1V @ 250 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 70W (TC)
ESM6045DV STMicroelectronics ESM6045DV -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop ESM6045 250 W ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 450 V 84 A - NPN - Darlington 1.35V @ 4a, 70a 120 @ 70a, 5V -
STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2 3.2800
RFQ
 ECAD 9906 0.00000000 Stmicroelectronics Fdmesh ™ ii plus Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB24 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10v 5V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1055 pf @ 100 V - 150W (TC)
P0111DA 1AA3 STMicroelectronics P0111DA 1AA3 0.1708
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) P0111 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5,000 5 Ma 400 V 800 Ma 800 MV 7a, 8a 25 µA 1.95 V 500 mA 10 µA Puerta sensible
ACS102-5TA-TR STMicroelectronics ACS102-5TA-TR -
RFQ
 ECAD 4692 0.00000000 Stmicroelectronics Asd ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales ACS102 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 20 Ma Lógica - Puerta sensible 500 V 200 MA 900 MV 7.3a, 8a 5 Ma
STTH802CFP STMicroelectronics STTH802CFP -
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STTH802 Estándar Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 4A 1.1 v @ 4 a 20 ns 4 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo)
STW77N65M5 STMicroelectronics Stw77n65m5 17.7300
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw77 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 69a (TC) 10V 38mohm @ 34.5a, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V 25V 9800 pf @ 100 V - 400W (TC)
STP24NM65N STMicroelectronics Stp24nm65n -
RFQ
 ECAD 5982 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp24n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 19a (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 50 V - 160W (TC)
STW30N80K5 STMicroelectronics STW30N80K5 8.4700
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw30 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 800 V 24a (TC) 10V 180mohm @ 12a, 10v 5V @ 100 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1530 pf @ 100 V - 250W (TC)
STGIPL20K60 STMicroelectronics STGIPL20K60 -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 38 Potencias (1.146 ", 29.10 mm) IGBT Stgipl20 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 10 3 fase 20 A 600 V 2500VDC
STD38NH02LT4 STMicroelectronics Std38nh02lt4 -
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std38 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 24 V 38a (TC) 5V, 10V 13.5mohm @ 19a, 10v 2.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1070 pf @ 25 V - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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