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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STTH3010W STMicroelectronics STTH3010W 4.2700
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STTH3010 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5154-5 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2 V @ 30 A 100 ns 15 µA @ 1000 V 175 ° C (Máximo) 30A -
BAS70-07P6FILM STMicroelectronics BAS70-07P6FILM -
RFQ
 ECAD 2796 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAS70 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 10 µA @ 70 V 150 ° C (Máximo)
STD70R1K3S STMicroelectronics STD70R1K3S 0.2705
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std70 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STD70R1K3S EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 700 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.75a, 10V 3.75V @ 250 µA 4.1 NC @ 10 V ± 25V 175 pf @ 100 V - 77W (TC)
TN805-800B STMicroelectronics TN805-800B -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TN805 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3.000 25 Ma 800 V 8 A 1.3 V 70a, 73a 5 Ma 1.6 V 5 A 5 µA Recuperación
STPR820D STMicroelectronics STPR820D -
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 STPR820 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.25 V @ 16 A 30 ns 50 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo) 8A -
STGD8NC60KT4 STMicroelectronics Stgd8nc60kt4 -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd8 Estándar 62 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390v, 3a, 10ohm, 15V - 600 V 15 A 30 A 2.75V @ 15V, 3a 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STGIPS10K60A2 STMicroelectronics Stgips10k60a2 -
RFQ
 ECAD 1455 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 25 Potencias (0.993 ", 25.23 mm) IGBT Stgips10 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 11 3 fase 10 A 600 V 2500 VRMS
STB35N60DM2 STMicroelectronics STB35N60DM2 6.1700
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB35 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 100 V - 210W (TC)
STPS30L40CG STMicroelectronics Stps30l40cg -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS30L40 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 15A 550 MV @ 15 A 360 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
STP165N10F4 STMicroelectronics STP165N10F4 -
RFQ
 ECAD 8752 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP165 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 5.5mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 315W (TC)
STPS130U STMicroelectronics Stps130u 0.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB STPS130 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 10 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 1A -
T1610-600G-TR STMicroelectronics T1610-600G-TR 2.5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T1610 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 10 Ma
TN3015H-6T STMicroelectronics TN3015H-6T 1.5400
RFQ
 ECAD 667 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TN3015 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 60 Ma 600 V 30 A 1.3 V 270a, 295a 15 Ma 1.6 V 19 A 10 µA Recuperación
STY60NM50 STMicroelectronics Sty60nm50 24.7200
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty60 Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 60A (TC) 10V 50mohm @ 30a, 10v 5V @ 250 µA 266 NC @ 10 V ± 30V 7500 pf @ 25 V - 560W (TC)
STU7N60DM2 STMicroelectronics Stu7n60dm2 0.6796
RFQ
 ECAD 5557 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu7n60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10v 4.75V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 324 pf @ 100 V - 60W (TC)
STD25NF10T4 STMicroelectronics Std25nf10t4 1.8400
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std25 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 25A (TC) 10V 38mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 25 V - 100W (TC)
STW75N60DM6 STMicroelectronics Stw75n60dm6 13.7100
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 Stw75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 72a (TC) - - - ± 25V - -
Z0410MH STMicroelectronics Z0410MH 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack2 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-Z0410MH EAR99 8541.30.0080 75 Soltero 25 Ma Estándar 600 V 4 A 1.3 V 15a, 16a 25 Ma
STB11N65M5 STMicroelectronics STB11N65M5 1.1903
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb11 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 644 pf @ 100 V - 85W (TC)
PD85035A-E STMicroelectronics PD85035A-E -
RFQ
 ECAD 6288 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 40 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD85035 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 8A 350 Ma 35W 15dB ~ 17dB - 13.6 V
STF26N60DM6 STMicroelectronics STF26N60DM6 4.0900
RFQ
 ECAD 1047 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF26 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18496 EAR99 8541.29.0095 350 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 195mohm @ 9a, 10v 4.75V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 25V 940 pf @ 100 V - 30W (TC)
ACST210-8BTR STMicroelectronics ACST210-8BTR 0.3366
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Stmicroelectronics ACS ™/ASD® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ACST210 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 2 A 1.1 V 8a, 8.4a 10 Ma
STPS360AF STMicroelectronics STPS360AF 0.5200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 STPS360 Schottky Sod128flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 610 MV @ 3 A 150 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 3A -
TN3015H-6I STMicroelectronics TN3015H-6I 1.7300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TN3015 Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-TN3015H-6I EAR99 8541.30.0080 1,000 60 Ma 600 V 30 A 1.3 V 270a, 295a 15 Ma 1.6 V 19 A 10 µA Recuperación
2N5657 STMicroelectronics 2N5657 -
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 2N56 20 W SOT-32-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2623-5 EAR99 8541.29.0095 50 350 V 500 mA 100 µA NPN 10V @ 100 Ma, 500 Ma 30 @ 100 mapa, 10v 10MHz
HD1750FX STMicroelectronics HD1750FX 4.9100
RFQ
 ECAD 725 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero ISOWATT218FX HD1750 75 W ISOWATT-218FX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4646-5 EAR99 8541.29.0095 30 800 V 24 A 200 µA NPN 3V @ 3a, 12a 6.5 @ 12a, 5v -
STH80N10F7-2 STMicroelectronics STH80N10F7-2 -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sth80n Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 9.5mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 50 V - 110W (TC)
LET9180 STMicroelectronics LET9180 -
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 80 V M246 LET9180 860MHz Ldmos M246 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 24A 500 mA 175W 20dB - 32 V
X00602MN5BA4 STMicroelectronics X00602MN5BA4 -
RFQ
 ECAD 7806 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA X00602 SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 5 Ma 600 V 800 Ma 800 MV 9a, 10a 200 µA 1.35 V 500 mA 1 µA Puerta sensible
STL85N6F3 STMicroelectronics Stl85n6f3 -
RFQ
 ECAD 4947 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl85 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 85A (TC) 10V 5.7mohm @ 8.5a, 10v 2V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 25 V - 80W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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