SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
STTH60RQ06WY STMicroelectronics STTH60RQ06WY 4.6900
RFQ
ECAD 1537 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STTH60 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18143 EAR99 8541.10.0080 600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 65 ns 80 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 60A -
STGB50H65FB2 STMicroelectronics STGB50H65FB2 1.3018
RFQ
ECAD 1371 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb50 Estándar 272 W D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STGB50H65FB2 EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 50A, 4.7ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 86 A 150 A 2V @ 15V, 50A 910 µJ (Encendido), 580 µJ (apagado) 151 NC 28ns/115ns
STPS20SM80CT STMicroelectronics STPS20SM80CT -
RFQ
ECAD 8132 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS20 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 10A 780 MV @ 10 A 25 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STGB10M65DF2 STMicroelectronics Stgb10m65df2 2.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb10 Estándar 115 W D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 10a, 22ohm, 15V 96 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 20 A 40 A 2V @ 15V, 10a 120 µJ (Encendido), 270 µJ (apaguado) 28 NC 19ns/91ns
STL19N60M2 STMicroelectronics Stl19n60m2 1.3035
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl19 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 4V @ 250 µA 21.5 NC @ 10 V ± 25V 791 pf @ 100 V - 90W (TC)
STPS30SM80CT STMicroelectronics STPS30SM80CT -
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Stps30 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 15A 790 MV @ 15 A 40 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STPS16150CR STMicroelectronics STPS16150CR -
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS16150 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 8A 920 MV @ 8 A 3 µA @ 150 V 175 ° C (Máximo)
STGP100N30 STMicroelectronics STGP100N30 6.1000
RFQ
ECAD 849 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp100 Estándar 250 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 180V, 25A, 10ohm, 15V - 330 V 90 A 2.5V @ 15V, 50A - -/134ns
FERD15S50DJF-TR STMicroelectronics Ferd15s50djf-tr 0.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8Powervdfn Ferd15 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 480 MV @ 10 A 650 µA @ 50 V 150 ° C (Máximo) 15A -
STF25N60M2-EP STMicroelectronics STF25N60M2-EP 2.8600
RFQ
ECAD 360 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15886-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10v 4.75V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1090 pf @ 100 V - 30W (TC)
STP10NK62ZFP STMicroelectronics STP10NK62ZFP -
RFQ
ECAD 7863 0.00000000 Stmicroelectronics * Tape & Reel (TR) Activo STP10 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1,000
STB34N65M5 STMicroelectronics STB34N65M5 6.5400
RFQ
ECAD 5674 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB34 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 62.5 NC @ 10 V ± 25V 2700 pf @ 100 V - 190W (TC)
STP80NF55-08AG STMicroelectronics STP80NF55-08AG 3.0300
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17149 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 112 NC @ 10 V ± 20V 3740 pf @ 15 V - 300W (TC)
STP2NK90Z STMicroelectronics STP2NK90Z 2.0400
RFQ
ECAD 741 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP2NK90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4378-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 2.1a (TC) 10V 6.5ohm @ 1.05a, 10V 4.5V @ 50 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 485 pf @ 25 V - 70W (TC)
STTH5R06FP STMicroelectronics STTH5R06FP 1.3500
RFQ
ECAD 673 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Stth5 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 5 a 40 ns 20 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 5A -
STPS2L60RL STMicroelectronics Stps2l60rl -
RFQ
ECAD 8916 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial STPS2L60 Schottky Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 2 A 100 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo) 2A -
STPS30L40CT STMicroelectronics STPS30L40CT -
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS30L40 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 15A 550 MV @ 15 A 360 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
STTH60L04W STMicroelectronics STTH60L04W -
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STTH60 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 V @ 60 A 90 ns 50 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 60A -
STTH10R04D STMicroelectronics STTH10R04D 1.5600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 STTH10 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.7 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 10A -
STWA72N60DM6AG STMicroelectronics Stwa72n60dm6ag 10.3978
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa72 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stwa72n60dm6ag EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 56a (TC) 10V 42mohm @ 28a, 10v 4.75V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 25V 4444 pf @ 100 V - 390W (TC)
FERD20S100SH STMicroelectronics Ferd20s100sh -
RFQ
ECAD 9942 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ferd20 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) TO-251 (ipak) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 780 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo) 20A -
STFW2N105K5 STMicroelectronics STFW2N105K5 2.7600
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Stfw2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1050 V 2a (TC) 10V 8ohm @ 750mA, 10V 5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V 30V 115 pf @ 100 V - 30W (TC)
STL21N65M5 STMicroelectronics Stl21n65m5 6.7700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl21 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 17a (TC) 10V 179mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 100 V - 3W (TA), 125W (TC)
LET9045TR STMicroelectronics Let9045tr -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 80 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) LET9045 960MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 1 µA 300 mA 45W 18.5dB - 28 V
STD15N65M5 STMicroelectronics Std15n65m5 5.0500
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std15 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 100 V - 85W (TC)
STB130NS04ZBT4 STMicroelectronics STB130NS04ZBT4 -
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB130 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 33 V 80a (TC) 10V 9mohm @ 40a, 10v 4V @ 1MA 80 NC @ 10 V Sujetado 2700 pf @ 25 V - 300W (TC)
STPS10H100CT STMicroelectronics STPS10H100CT 1.4700
RFQ
ECAD 426 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Stps10 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 730 MV @ 5 A 3.5 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo)
STB7NK80Z-1 STMicroelectronics STB7NK80Z-1 1.7752
RFQ
ECAD 7097 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STB7NK80 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 5.2a (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10v 4.5V @ 100 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1138 pf @ 25 V - 125W (TC)
STAC250V2-500E STMicroelectronics STAC250V2-500E -
RFQ
ECAD 2889 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 900 V Stac177b Stac250 27MHz Mosfet Stac177b - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal - 3.5w 21.5db - 150 V
PD57006TR-E STMicroelectronics PD57006TR-E -
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD57006 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 1A 70 Ma 6W 15dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock