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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
PD57006TR-E STMicroelectronics PD57006TR-E -
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD57006 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 1A 70 Ma 6W 15dB - 28 V
STL18NM60N STMicroelectronics Stl18nm60n 3.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl18 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 2.1a (TA), 12a (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 50 V - 3W (TA), 110W (TC)
STB35N60DM2 STMicroelectronics STB35N60DM2 6.1700
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB35 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 100 V - 210W (TC)
STPS5H100SFY STMicroelectronics Stps5h100sfy 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Stps5 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 8 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 5A -
BYT60P-1000 STMicroelectronics Byt60p-1000 -
RFQ
 ECAD 8377 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero SOD-93-2 ByT60 Estándar Sod-93 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 300 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1000 V 60A 1.9 V @ 60 A 170 ns 100 µA @ 1000 V 150 ° C (Máximo)
E-L6210 STMicroelectronics E-L6210 -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 70 ° C (TA) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) L6210 Schottky 16 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8816-5 EAR99 8541.10.0080 25 1.2 v @ 1 a 1 ma @ 40 V 2 A Fase única 50 V
STPS40170CW STMicroelectronics STPS40170CW 2.4300
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STPS40170 Schottky TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4814-5 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 170 V 20A 920 MV @ 20 A 30 µA @ 170 V 175 ° C (Máximo)
STW70N65M2 STMicroelectronics Stw70n65m2 8.6953
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 63A (TC) 10V 46mohm @ 31.5a, 10V 4V @ 250 µA 117 NC @ 10 V ± 25V 5140 pf @ 100 V - 446W (TC)
STD90NS3LLH7 STMicroelectronics Std90ns3llh7 -
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ H7 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std90 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 40a, 10V 1.2V @ 1MA 13.7 NC @ 4.5 V ± 20V 2110 pf @ 25 V Diodo Schottky (Cuerpo) 57W (TC)
STTH20R04FP STMicroelectronics STTH20R04FP -
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero STTH20 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.7 V @ 20 A 45 ns 20 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 20A -
TN1215-600G-TR STMicroelectronics TN1215-600G-TR 1.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TN1215 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 30 Ma 600 V 12 A 1.3 V 140a, 145a 15 Ma 1.6 V 8 A 5 µA Recuperación
FERD30M45CG-TR STMicroelectronics Ferd30m45cg-tr 1.6000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ferd30 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 470 MV @ 15 A 600 µA @ 45 V 175 ° C (Máximo)
STB36NM60ND STMicroelectronics Stb36nm60nd 6.5400
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB36 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 110mohm @ 14.5a, 10v 5V @ 250 µA 80.4 NC @ 10 V ± 25V 2785 pf @ 50 V - 190W (TC)
STPS5L60RL STMicroelectronics Stps5l60rl -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Stps5 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 520 MV @ 5 A 220 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo) 5A -
STPS360AF STMicroelectronics STPS360AF 0.5200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 STPS360 Schottky Sod128flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 610 MV @ 3 A 150 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 3A -
STP12N65M2 STMicroelectronics STP12N65M2 1.0004
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 8a (TC) 0V, 10V 500mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 16.7 NC @ 10 V ± 25V 535 pf @ 100 V - 85W (TC)
STS4DPFS30L STMicroelectronics Sts4dpfs30l -
RFQ
 ECAD 4201 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts4d Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 5A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 16 NC @ 5 V ± 16V 1350 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2.5W (TC)
STTH3002CW STMicroelectronics STTH3002CW 2.8000
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STTH3002 Estándar TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 1.05 v @ 15 a 22 ns 20 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo)
STPS50U100CR STMicroelectronics STPS50U100CR -
RFQ
 ECAD 8642 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS50 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12341 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 25A 730 MV @ 25 A 200 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
STL15N65M5 STMicroelectronics Stl15n65m5 2.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl15 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 10a (TC) 10V 375mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 100 V - 52W (TC)
STL58N3LLH5 STMicroelectronics Stl58n3llh5 1.6000
RFQ
 ECAD 6686 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ H5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl58 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V +22V, -20V 950 pf @ 25 V - 4.8W (TA), 62.5W (TC)
Z0109NN6AA4 STMicroelectronics Z0109NN6AA4 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Z0109 SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4.000 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 1 A 1.3 V 8a, 8.5a 10 Ma
STP260N6F6 STMicroelectronics STP260N6F6 -
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP260 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STF11N65M2 STMicroelectronics STF11N65M2 1.9000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 670mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 25V 410 pf @ 100 V - 25W (TC)
STN2NF10 STMicroelectronics Stn2nf10 1.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn2nf10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 2.4a (TC) 10V 260mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
STPSC20G12WL STMicroelectronics STPSC20G12WL 10.6600
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo Stpsc20 - 1 (ilimitado) 497-STPSC20G12WL EAR99 8541.10.0080 30
STL35N15F3 STMicroelectronics Stl35n15f3 3.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl35 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 40mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 49.4 NC @ 10 V ± 20V 1905 pf @ 25 V - 80W (TC)
STTH1003SG-TR STMicroelectronics STTH1003SG-TR -
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH10 Estándar D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 300 V 175 ° C (Máximo) 10A -
STL42P4LLF6 STMicroelectronics Stl42p4llf6 1.6400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl42 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 42a (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 22 NC @ 4.5 V ± 20V 2850 pf @ 25 V - 75W (TC)
STH180N4F6-2 STMicroelectronics STH180N4F6-2 -
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH180 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 7735 pf @ 25 V - 190W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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