SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
BAT30-09P6FILM STMicroelectronics BAT30-09P6FILM -
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Bit30 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 30 V 300 mA (DC) 530 MV @ 300 Ma 5 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
STQ3N45K3-AP STMicroelectronics STQ33N45K3-AP -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STQ3 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 450 V 600 mA (TC) 10V 3.8ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 6 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 3W (TC)
STD95N4F3 STMicroelectronics Std95n4f3 1.9400
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std95 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STFI34NM60N STMicroelectronics Stfi34nm60n -
RFQ
 ECAD 5720 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi34n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 105mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2722 pf @ 100 V - 40W (TC)
STF7N60DM2 STMicroelectronics STF7N60DM2 1.5200
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10v 4.75V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 324 pf @ 100 V - 25W (TC)
BAT30-07P6FILM STMicroelectronics BAT30-07P6FILM -
RFQ
 ECAD 7949 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Bit30 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 30 V 300 mA (DC) 530 MV @ 300 Ma 5 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
STGWT40H65DFB STMicroelectronics Stgwt40h65dfb 5.0600
RFQ
 ECAD 3942 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Stgwt40 Estándar 283 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 5ohm, 15V 62 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 498 µJ (Encendido), 363 µJ (apagado) 210 NC 40ns/142ns
SCTWA35N65G2VAG STMicroelectronics Sctwa35n65g2vag -
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sctwa35 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247 LARGOS LARGOS descascar Alcanzar sin afectado 497-SCTWA35N65G2VAG EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 45a (TC) 18V, 20V 72mohm @ 20a, 20V 3.2V @ 1MA 73 NC @ 20 V +20V, -5V 1370 pf @ 400 V - 208W (TC)
STD6N60M2 STMicroelectronics Std6n60m2 1.4800
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std6n60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 25V 232 pf @ 100 V - 60W (TC)
PD55003S STMicroelectronics PD55003S -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55003 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2.5a 50 Ma 3W 17dB - 12.5 V
STF25NM50N STMicroelectronics STF25NM50N -
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4655-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 22a (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2565 pf @ 25 V - 40W (TC)
STAC3933 STMicroelectronics Stac3933 106.4500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 250 V Stac177b Stac393 30MHz Mosfet Stac177b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 25 N-canal 20A 250 Ma 350W 29dB - 100 V
STB16PF06LT4 STMicroelectronics Stb16pf06lt4 -
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb16p Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 16a (TC) 5V, 10V 125mohm @ 8a, 10v 1.5V @ 100 µA 15.5 NC @ 4.5 V ± 16V 630 pf @ 25 V - 70W (TC)
STPS1045D STMicroelectronics STPS1045D 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 STPS1045 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V 175 ° C (Máximo) 10A -
BAT41CWFILM STMicroelectronics BAT41CWFILM -
RFQ
 ECAD 1790 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT41 Schottky Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 100 V 200MA (DC) 1 V @ 200 Ma 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo)
STF26NM60N STMicroelectronics Stf26nm60n 7.4000
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF26 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 50 V - 35W (TC)
STP11N60DM2 STMicroelectronics STP11N60DM2 1.8000
RFQ
 ECAD 7514 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16932 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 420mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 25V 614 pf @ 100 V - 110W (TC)
STPST10H100SBYTR STMicroelectronics STPST10H100SBYTR 0.9600
RFQ
 ECAD 1861 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stpst10 Schottky D-Pak (A 252) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 715 MV @ 10 A 26 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A -
STP30NM60ND STMicroelectronics Stp30nm60nd -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp30n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8448-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 2800 pf @ 50 V - 190W (TC)
STGP8NC60K STMicroelectronics STGP8NC60K -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp8 Estándar 65 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390v, 3a, 10ohm, 15V - 600 V 15 A 30 A 2.75V @ 15V, 3a 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STD70NS04ZL STMicroelectronics Std70ns04zl 0.7894
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Stmicroelectronics Safefet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std70 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 33 V 70A (TC) 5V, 10V 10.5mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 32 NC @ 5 V ± 20V 1800 pf @ 25 V - 110W (TC)
STW63N65DM2 STMicroelectronics Stw63n65dm2 8.4337
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw63 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 60A (TC) 10V 50mohm @ 30a, 10v 5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 25V 5500 pf @ 100 V - 446W (TC)
STB80NF55-08T4 STMicroelectronics STB80NF55-08T4 -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb80n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 3850 pf @ 25 V - 300W (TC)
STD3N62K3 STMicroelectronics Std3n62k3 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std3n62 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 620 V 2.7a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4.5V @ 50 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 385 pf @ 25 V - 45W (TC)
STL26N60DM6 STMicroelectronics Stl26n60dm6 3.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl26 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 15A (TC) 10V 215mohm @ 7.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 25V 940 pf @ 100 V - 110W (TC)
STPS20120CR STMicroelectronics STPS20120CR 2.3200
RFQ
 ECAD 643 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS20120 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 10A 920 MV @ 10 A 10 µA @ 120 V 175 ° C (Máximo)
START499ETR STMicroelectronics Inicio499 -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 Inicio499 600MW Sot-343 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000 15dB 4.5V 600mA NPN 160 @ 160mA, 4V 1.9 GHz 3.3db @ 1.8Ghz
STPS1045BY-TR STMicroelectronics STPS1045BY-TR 1.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STPS1045 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A -
STBR1508B2Y-TR STMicroelectronics STBR1508B2Y-TR 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STBR1508 Estándar DPAK HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 800 V 1.09 v @ 15 a 50 µA @ 800 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A -
STB6NK60ZT4 STMicroelectronics Stb6nk60zt4 2.6800
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb6nk60 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 100 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 905 pf @ 25 V - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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