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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
NTB75N06T4G onsemi NTB75N06T4G -
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 75A (TA) 10V 9.5mohm @ 37.5a, 10V 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 4510 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 214W (TJ)
BZX55C16_T50R onsemi BZX55C16_T50R -
RFQ
 ECAD 8199 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C16 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
RS1G onsemi Rs1g 0.4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
FDN360P-NBGT003B onsemi FDN360P-NBGT003B -
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN360 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 2a (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 2a, 10v 3V @ 250 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 298 pf @ 15 V - 500MW (TA)
FDS4465-PG onsemi FDS4465-PG -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDS4465-PGTR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 13.5a (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 120 NC @ 4.5 V ± 8V 8237 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
FDPF8N50NZF onsemi FDPF8N50NZF -
RFQ
 ECAD 2140 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 7a (TC) 10V 1ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 25V 735 pf @ 25 V - 40W (TC)
BC857AMTF onsemi Bc857amtf -
RFQ
 ECAD 2602 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
NTD4857NAT4G onsemi Ntd4857nat4g -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD48 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 12A (TA), 78A (TC) 5.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V 1960 pf @ 12 V - -
NVMFS5C680NLT1G onsemi Nvmfs5c680nlt1g 1.0800
RFQ
 ECAD 1639 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 8.1a (TA), 21a (TC) 4.5V, 10V 27.5mohm @ 7.5a, 10V 2.2V @ 13 µA 5.8 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 3.4W (TA), 24W (TC)
NVMFWS021N10MCLT1G onsemi NVMFWS021N10MCLT1G 0.4169
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVMFWS021N10MCLT1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 8.4a (TA), 31a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10v 3V @ 42 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 50 V - 3.6W (TA), 49W (TC)
MURH840CTH onsemi Murh840cth -
RFQ
 ECAD 2053 0.00000000 onde - Banda Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Murh84 Estándar Un 220 - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 4A 2.2 v @ 4 a 28 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
FQA65N20 onsemi FQA65N20 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA65 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 65a (TC) 10V 32mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 7900 pf @ 25 V - 310W (TC)
KSD401YTU onsemi Ksd401ytu -
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSD401 25 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 150 V 2 A 50 µA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 120 @ 400mA, 10V 5MHz
FQAF7N80 onsemi FQAF7N80 -
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FQAF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 96W (TC)
FDU8580 onsemi FDU8580 -
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FDU85 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 35A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1445 pf @ 10 V - 49.5W (TC)
2SK4177-DL-1E onsemi 2SK4177-DL-1E -
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 2SK4177 Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1500 V 2a (TA) 10V 13ohm @ 1a, 10v - 37.5 NC @ 10 V ± 20V 380 pf @ 30 V - 80W (TC)
NTSB20U100CT-1G onsemi NTSB20U100CT-1G -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA NTSB20 Schottky I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 790 MV @ 10 A 800 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
NTP22N06L onsemi NTP22N06L -
RFQ
 ECAD 3955 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP22N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 22a (TA) 5V 65mohm @ 11a, 5V 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 10V 690 pf @ 25 V - 60W (TJ)
FQI34P10TU onsemi Fqi34p10tu -
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi3 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 33.5a (TC) 10V 60mohm @ 16.75a, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 25V 2910 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 155W (TC)
FCA20N60 onsemi FCA20N60 4.2172
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 onde Superfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FCA20 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 30V 3080 pf @ 25 V - 208W (TC)
NTTFS4930NTWG onsemi Nttfs4930ntwg -
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4930 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 4.5a (TA), 23a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 6a, 10v 2.2V @ 250 µA 5.5 NC @ 4.5 V ± 20V 476 pf @ 15 V - 790MW (TA), 20.2W (TC)
FDW2520C onsemi FDW2520C -
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 20V 6a, 4.4a 18mohm @ 6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1325pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
1N5229BTR onsemi 1N5229BTR 0.1600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5229 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
FGH40T100SMD onsemi FGH40T100SMD -
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH40 Estándar 333 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 78 ns Parada de Campo de Trinchera 1000 V 80 A 120 A 2.3V @ 15V, 40A 2.35mj (Encendido), 1.15mj (apaguado) 265 NC 29ns/285ns
EMH2407-S-TL-H onsemi EMH2407-S-TL-H -
RFQ
 ECAD 6738 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano EMH2407 - - 8-EMH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
NDS9953A onsemi NDS9953A -
RFQ
 ECAD 7292 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS995 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 2.9a 130mohm @ 1a, 10v 2.8V @ 250 µA 25nc @ 10V 350pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MMBD914LT1G onsemi Mmbd914lt1g 0.1200
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd914 Estándar SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
BC639 onsemi BC639 -
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC639 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 200MHz
FDP047AN08A0-F102 onsemi FDP047An08A0-F102 2.4883
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 onde - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP047 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 15A (TC) 6V, 10V - - ± 20V - 310W (TC)
FDB2670 onsemi FDB2670 -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB267 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 19a (TA) 10V 130mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 100 V - 93W (TC)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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