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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Max Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2SB1215T-H onsemi 2SB1215T-H -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1215 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 100 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 150 mm, 1.5a 200 @ 500mA, 5V 130MHz
SURS8220T3G-IR01 onsemi SURS8220T3G-IR01 -
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Surs8220 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 2 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
2SA1418T-TD-E onsemi 2SA1418T-TD-E 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-243AA 2SA1418 PCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
BF244C onsemi Bf244c -
RFQ
 ECAD 6524 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 30 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BF244 100MHz Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 50mera - - 1.5db 15 V
2N6287G onsemi 2N6287G -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N6287 160 W TO-204 (TO-3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 100 V 20 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 200Ma, 20a 750 @ 10a, 3V -
BC857BWT1G onsemi Bc857bwt1g 0.1600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC857 150 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
NTB5404NT4G onsemi Ntb5404nt4g -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB54 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 167a (TC) 5V, 10V 4.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250 µA 125 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 32 V - 5.4W (TA), 254W (TC)
1N916 onsemi 1N916 0.2700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N916 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
SFT1446-TL-H onsemi SFT144446-TL-H -
RFQ
 ECAD 1876 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SFT144 Mosfet (Óxido de metal) TP-FA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 700 N-canal 60 V 20A (TA) 4V, 10V 51mohm @ 10a, 10v 2.6V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 20 V - 1W (TA), 23W (TC)
MBRM110LT3G onsemi MBRM110LT3G -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-216AA MBRM110 Schottky Powermite descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 10 V 365 MV @ 1 A 500 µA @ 10 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
CPH6354-TL-H onsemi CPH6354-TL-H -
RFQ
 ECAD 9271 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 CPH635 Mosfet (Óxido de metal) 6-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 4A (TA) 4V, 10V 100mohm @ 2a, 10v - 14 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 20 V - 1.6w (TA)
NST857BF3T5G onsemi NST857BF3T5G 0.5100
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1123 NST857 290 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 220 @ 2mA, 5V 100MHz
NTP18N06G onsemi NTP18N06G -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ntp18n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP18N06GOS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 15A (TC) 10V 90mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 48.4W (TC)
MPS6531_D27Z onsemi MPS6531_D27Z -
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPS653 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 1 A 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 90 @ 100mA, 1V -
MBRS3201T3G onsemi MBRS3201T3G 0.9600
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC MBRS3201 Schottky SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 840 MV @ 3 A 35 ns 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MMBZ5223BLT1G onsemi Mmbz5223blt1g 0.1400
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5223 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
FDN338P onsemi FDN338P 0.4400
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN338 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.6a (TA) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 1.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 6.2 NC @ 4.5 V ± 8V 451 pf @ 10 V - 500MW (TA)
MM3Z3V6B onsemi Mm3z3v6b 0.2200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Mm3z3v6 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 4.5 µA @ 1 V 3.6 V 84 ohmios
FGPF90N30 onsemi FGPF90N30 -
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FGPF9 Estándar 56.8 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - 300 V 220 A 1.55V @ 15V, 30a - 93 NC -
NTD20N06-1G onsemi NTD20N06-1G -
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD20 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 20A (TA) 10V 46mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1015 pf @ 25 V - 1.88W (TA), 60W (TJ)
FQI5N80TU onsemi Fqi5n80tu -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi5 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 4.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 2.4a, 10v 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 140W (TC)
CPH6341-M-TL-E onsemi CPH6341-M-TL-E -
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie Sot-23-6 CPH6341 - 6-cph - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - 5A (TJ) - - - -
FDD044AN03L onsemi Fdd044an03l -
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD044 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 21a (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 5160 pf @ 15 V - 160W (TC)
1SV249-TL-E onsemi 1SV249-TL-E -
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 1SV249 3-MCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 50 Ma 100 MW 0.23pf @ 50V, 1MHz Pin - Conexión de la Serie de 1 par 50V 4.5ohm @ 10 Ma, 100MHz
FQPF3N25 onsemi FQPF3N25 -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FQPF3N25 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 2.3a (TC) 10V 2.2ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250 µA 5.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 27W (TC)
FDPF12N50T onsemi FDPF12N50T 2.6100
RFQ
 ECAD 956 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2166-FDPF12N50T-488 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11.5A (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1315 pf @ 25 V - 42W (TC)
BAV70WT1 onsemi BAV70WT1 -
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto BAV70 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000
1SMB5918BT3G onsemi 1SMB5918BT3G 0.4500
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5918 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 4 ohmios
SMBT1588LT3 onsemi Smbt1588lt3 0.0200
RFQ
 ECAD 870 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 10,000
MMBZ5252B_D87Z onsemi MMBZ5252B_D87Z -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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