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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
2SA733P onsemi 2SA733P -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2SA733 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 50MHz
TIP47 onsemi TIP47 -
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP47 2 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 250 V 1 A 1mera NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
FQA18N50V2 onsemi FQA18N50V2 -
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 265mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 30V 3290 pf @ 25 V - 277W (TC)
2N7000RLRA onsemi 2n7000rlra -
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N7000 Mosfet (Óxido de metal) TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 25 V - 350MW (TC)
RFD14N05LSM onsemi RFD14N05LSM 1.0200
RFQ
 ECAD 9313 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RFD14N05 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 50 V 14a (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5V 2V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
1N4728A-T50A onsemi 1N4728A-T50A 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4728 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
FQP17N40 onsemi FQP17N40 -
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP17 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 16a (TC) 10V 270mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 170W (TC)
FDFS2P753AZ onsemi Fdfs2p753az -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDFS2 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 3a (TA) 4.5V, 10V 115mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 25V 455 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 3.1W (TA)
NTD4906NT4G onsemi Ntd4906nt4g -
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD49 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10.3a (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1932 pf @ 15 V - 1.38W (TA), 37.5W (TC)
FQD3P20TM onsemi Fqd3p20tm -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd3 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 200 V 2.4a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10v 5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
KSC900CGTA onsemi KSC900CGTA -
RFQ
 ECAD 1021 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC900 250 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 200 MV @ 2mA, 20 Ma 200 @ 500 µA, 3V 100MHz
1N456ATR onsemi 1N456ATR 0.2200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N456 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 30 V 1 V @ 100 Ma 25 na @ 25 V 175 ° C (Máximo) 500mA -
DTA144TT1 onsemi Dta144tt1 -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 230 MW SC-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 160 @ 5MA, 10V 47 kohms
BCX70H onsemi BCX70H -
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 200 MA 20NA NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 180 @ 2mA, 5V 125MHz
MMBT4356 onsemi MMBT4356 -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4356 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 80 V 800 Ma 50NA PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 10 mapa, 10v -
MMBT5210 onsemi MMBT5210 -
RFQ
 ECAD 4935 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5210 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 700mv @ 1 MMA, 10 Ma 200 @ 100 µA, 5V 30MHz
KSH42CTF onsemi Ksh42ctf -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH42 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 100 V 6 A 50 µA PNP 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
PCP1302-TD-H onsemi PCP1302-TD-H -
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA PCP1302 Mosfet (Óxido de metal) SOT-89/PCP-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 3a (TA) 4V, 10V 266mohm @ 1.5a, 10V 2.6V @ 1MA 6.4 NC @ 10 V ± 20V 262 pf @ 20 V - 3.5W (TC)
BC846BM3T5G onsemi Bc846bm3t5g 0.2100
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 BC846 265 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
SMMBT6427LT1G onsemi SMMBT6427LT1G 0.5100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT6427 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 500 mA 1 µA NPN - Darlington 1.5V @ 500 µA, 500 mA 20000 @ 100MA, 5V -
SBC847CDW1T1G onsemi SBC847CDW1T1G 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SBC847 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 100MHz
NUS2401SNT1 onsemi NUS2401SNT1 -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-74, SOT-457 NUS2401 350MW SC-74 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 200 MMA 500NA 2 NPN, 1 PNP - Pre -Sesgado 250mv @ 1 mm, 10 mm / 250mv @ 300 µA, 10 mA - - 175ohms, 10 kohms 10 kohms
MJE5731 onsemi MJE5731 -
RFQ
 ECAD 7089 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 MJE57 40 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 350 V 1 A 1mera PNP 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
MBR8H100MFST1G onsemi MBR8H100MFST1G 0.7800
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables MBR8H100 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 8 A 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
2SB1302S-TD-E onsemi 2SB1302S-TD-E 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SB1302 1.3 W PCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 5 A 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 60 mm, 3a 100 @ 500mA, 2V 320MHz
RHRP15120 onsemi RRP15120 1.8600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 onde - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 RRP15 Estándar Un 220-2L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3.2 V @ 15 A 75 ns 100 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
MPSH10_D27Z onsemi MPSH10_D27Z -
RFQ
 ECAD 2585 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSH10 350MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 - 25V 50mera NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
FQI27N25TU onsemi Fqi27n25tu -
RFQ
 ECAD 8160 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FQI27N25 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 25.5A (TC) 10V 110mohm @ 12.75a, 10v 5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 180W (TC)
1N4754A onsemi 1N4754A 0.2800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4754 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-1N4754A EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
FQPF2N60 onsemi FQPF2N60 -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF2 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 1.6a (TC) 10V 4.7ohm @ 800 mA, 10V 5V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 28W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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