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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Voltaje - Salida Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Voltaje - Offset (VT) Fuga de Corriente a la Puerta Al Ánodo (IGAO) Corriente - valle (iv) Corriente - Pico
NRVUA110VT3G onsemi Nrvua110vt3g 0.4200
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Nrvua110 Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 875 MV @ 1 A 30 ns 2 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
NVMFS5C423NLWFAFT1G onsemi Nvmfs5c423nlwfaft1g 2.0400
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 31a (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 50a, 10v 2V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 20 V - 3.7W (TA), 83W (TC)
NVLJWS6D0N04CLTAG onsemi Nvljws6d0n04cltag 0.3652
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 6-PowerWDFN Nvljws6 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFNW (2.05x2.05) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvljws6d0n04cltagtr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 15A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 10a, 10v 2V @ 34 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
NTD3813NT4G onsemi Ntd3813nt4g -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD38 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 16 V 9.6a (TA), 51a (TC) 4.5V, 10V 8.75mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 12.8 NC @ 4.5 V ± 16V 963 pf @ 12 V - 1.2W (TA), 34.9W (TC)
NZ9F4V3ST5G onsemi NZ9F4V3ST5G -
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 100 ohmios
SZMMSZ5246ET1G onsemi Szmmsz5246et1g 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Szmmsz52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 17 ohmios
FMG2G75US60 onsemi FMG2G75US60 -
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga Fmg2 310 W Estándar 7 pm-ga descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente - 600 V 75 A 2.8V @ 15V, 75a 250 µA No 7.056 nf @ 30 V
FDMC7208S onsemi FDMC7208S 1.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC7208 Mosfet (Óxido de metal) 800MW 8-Power33 (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 12a, 16a 9mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 18NC @ 10V 1130pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDW256P onsemi FDW256P -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 8a (TA) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 8a, 10v 3V @ 250 µA 38 NC @ 5 V ± 25V 2267 pf @ 15 V - 1.3W (TA)
MMBZ5245ELT3G onsemi Mmbz5245elt3g -
RFQ
 ECAD 6419 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
MMBZ5240BLT3G onsemi Mmbz5240blt3g -
RFQ
 ECAD 8334 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 8 V 10 V 17 ohmios
2SC3952D onsemi 2SC3952D -
RFQ
 ECAD 2933 0.00000000 onde * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
2N6028RLRMG onsemi 2n6028rlrmg -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N6028 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 11V 40V 300 MW 600 MV 10 na 25 µA 150 na
MBRS120T3H onsemi MBRS120T3H -
RFQ
 ECAD 3124 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB MBRS120 Schottky SMB - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 600 MV @ 1 A 1 ma @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
2SD1684S onsemi 2SD1684S 0.2900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
FSB50550BL onsemi FSB50550BL -
RFQ
 ECAD 8908 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 5 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.551 ", 14.00 mm) Mosfet FSB50550 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-FSB50550BL EAR99 8542.39.0001 15 Inversor de 3 fase 3 A 500 V 1500 VRMS
FDD24AN06LA0_SB82179 onsemi Fdd24an06la0_sb82179 -
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 onde Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD24 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 7.1a (TA), 40a (TC) 5V, 10V 19mohm @ 40a, 10v 2V @ 250 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 75W (TC)
FQA65N20 onsemi FQA65N20 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA65 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 65a (TC) 10V 32mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 7900 pf @ 25 V - 310W (TC)
NSM21356DW6T1G onsemi NSM21356DW6T1G -
RFQ
 ECAD 6943 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NSM213 230MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V, 65V 100mA 500NA 1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP 250mv @ 300 µA, 10 mM / 650mv @ 5 mA, 100 mA 80 @ 5MA, 10V / 220 @ 2mA, 5V - 47 kohms 47 kohms
FSB50650B onsemi FSB50650B -
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 5 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.551 ", 14.00 mm) Mosfet FSB50650 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 270 Inversor de 3 fase 4 A 500 V 1500 VRMS
NFAL7565L4BT onsemi Nfal7565l4bt 69.2700
RFQ
 ECAD 8725 0.00000000 onde SPM® Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 31 Potencias (1.385 ", 35.17 mm) IGBT NFAL7565 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 24 Inversor de 3 fase 75 A 650 V 2500 VRMS
FDMS1D5N03 onsemi FDMS1D5N03 -
RFQ
 ECAD 3938 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS1D5 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 218a (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 40a, 10V 2V @ 250 µA 63 NC @ 4.5 V ± 16V 9690 pf @ 15 V - 83W (TC)
2SK3816-DL-E onsemi 2SK3816-DL-E -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SK3816 Mosfet (Óxido de metal) SMP-FD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 40a (TA) 4V, 10V 26mohm @ 20a, 10v 2.6V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 1780 pf @ 20 V - 1.65W (TA), 50W (TC)
FJAF6806DYDTBTU onsemi Fjaf6806dydtbtu -
RFQ
 ECAD 8916 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FJAF6806 50 W Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 750 V 6 A 1mera NPN 5V @ 1a, 4a 4 @ 4a, 5v -
FJN4305RTA onsemi Fjn4305rta -
RFQ
 ECAD 9014 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 10 kohms
FQPF3P20 onsemi Fqpf3p20 -
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 200 V 2.2a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.1a, 10V 5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 32W (TC)
TIP49 onsemi TIP49 -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP49 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.200 350 V 1 A 1mera NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
NSBC124EPDXV6T5G onsemi NSBC124EPDXV6T5G -
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC124 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 60 @ 5 mm, 10v - 22 kohms 22 kohms
FQA40N25 onsemi FQA40N25 3.9800
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA40 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 40A (TC) 10V 70mohm @ 20a, 10v 5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 4000 pf @ 25 V - 280W (TC)
2N3904TF onsemi 2N3904TF 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N3904 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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