SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
NZ9F2V4ST5G onsemi NZ9F2V4ST5G 0.4600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F2 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.53 V 100 ohmios
1N5226BTR onsemi 1N5226BTR 0.1600
RFQ
ECAD 155 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5226 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
D45C12 onsemi D45C12 -
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D45C 30 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 80 V 4 A 100na PNP 500mv @ 50 mm, 1a 40 @ 200Ma, 1V 40MHz
NVMFS5H600NLWFT1G onsemi NVMFS5H600NLWFT1G 2.0418
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Nvmfs5 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVMFS5H600NLWFT1GTR 1.500 35A (TA), 250A (TC)
FDS8842NZ onsemi FDS8842NZ 1.6300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS8842 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 14.9a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 14.9a, 10v 3V @ 250 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 3845 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FJNS3210RBU onsemi Fjns3210rbu -
RFQ
ECAD 2654 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS32 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
FQB11N40TM onsemi Fqb11n40tm -
RFQ
ECAD 3947 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB1 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
NVJD5121NT1G-M06 onsemi NVJD5121NT1G-M06 0.3900
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NVJD5121 Mosfet (Óxido de metal) 250MW (TA) SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 295MA (TA) 1.6ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.9nc @ 4.5V 26pf @ 20V -
NTD4810NT4G onsemi Ntd4810nt4g -
RFQ
ECAD 9448 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD48 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9A (TA), 54A (TC) 4.5V, 11.5V 10mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 1350 pf @ 12 V - 1.4W (TA), 50W (TC)
MMBD1702A onsemi MMBD1702A -
RFQ
ECAD 3195 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD17 Estándar Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 4 ns 150 ° C (Máximo) - -
US2JA onsemi US2JA 0.3700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA US2J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
FFSB20120A-F085 onsemi FFSB20120A-F085 15.3000
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FFSB20120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.75 V @ 20 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 32a 1220pf @ 1V, 100kHz
US1JFA onsemi US1JFA 0.5300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W US1J Estándar SOD-123FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RHRP860-F085 onsemi RRP860-F085 -
RFQ
ECAD 9735 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 RHRP860 Estándar Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.1 v @ 8 a 35 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
SB10-04A3-BT onsemi SB10-04A3-BT -
RFQ
ECAD 8782 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SB10 Schottky Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 800 µA @ 40 V 125 ° C (Máximo) 1A 45pf @ 10V, 1 MHz
MPS2222ARLRPG onsemi Mps222222arlrpg -
RFQ
ECAD 6202 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS222 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
NVMFWS014P04M8LT1G onsemi Nvmfws014p04m8lt1g 1.0000
RFQ
ECAD 8294 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal P 40 V 12.5a (TA), 52.1a (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 420 µA 26.5 NC @ 10 V ± 20V 1734 pf @ 20 V - 3.6W (TA), 60W (TC)
NDF08N50ZH onsemi NDF08N50ZH -
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero NDF08 Mosfet (Óxido de metal) To20-2 paqueto entero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8.5A (TC) 10V 850mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 100 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 1095 pf @ 25 V - 35W (TC)
CPH5846-TL-E onsemi CPH5846-TL-E 0.1200
RFQ
ECAD 48 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
NTMFS4826NET3G onsemi Ntmfs4826net3g -
RFQ
ECAD 7771 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 9.5A (TA), 66A (TC) 4.5V, 11.5V 5.9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 1850 pf @ 12 V - 870MW (TA), 41.7W (TC)
FQPF6N15 onsemi Fqpf6n15 -
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 8.5 NC @ 10 V ± 25V 270 pf @ 25 V - 38W (TC)
2N4125TFR onsemi 2N4125TFR -
RFQ
ECAD 7393 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N4125 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 2mA, 1V -
SBS818-TL-E onsemi SBS818-TL-E -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano SBS818 Schottky 8-EMH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 30 V 2A 520 MV @ 2 A 10 ns 350 µA @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C
MM3Z3V3B onsemi Mm3z3v3b 0.2300
RFQ
ECAD 332 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Mm3z3v3 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 4.5 µA @ 1 V 3.3 V 89 ohmios
FDZ2554P onsemi FDZ2554P -
RFQ
ECAD 9675 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18 WFBGA FDZ25 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 18-BGA (2.5x4) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 6.5a 28mohm @ 6.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1900pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NXH80T120L2Q0P2G onsemi NXH80T120L2Q0P2G 55.4179
RFQ
ECAD 2527 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo NXH80T120 158 W Estándar 20 PIM/Q0Pack (55x32.5) descascar 488-NXH80T120L2Q0P2G EAR99 8541.29.0095 24 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 1200 V 67 A 2.85V @ 15V, 80A 300 µA Si 19.4 NF @ 20 V
VEC2415-TL-E onsemi VEC2415-TL-E -
RFQ
ECAD 1713 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Vec2415 Mosfet (Óxido de metal) 1W SOT-28FL/VEC8 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 3A 80mohm @ 1.5a, 10V 2.6V @ 1MA 10nc @ 10V 505pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
1N5346BRLG onsemi 1N5346BRLG 0.4900
RFQ
ECAD 7474 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5346 5 W Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 1 a 7.5 µA @ 6.9 V 9.1 V 2 ohmios
FJN4312RBU onsemi Fjn4312rbu -
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN431 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 47 kohms
MPS6652RLRA onsemi Mps6652rlra -
RFQ
ECAD 2449 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS665 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 1 A 100na PNP 600mv @ 100 mm, 1a 50 @ 500mA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock