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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
NVTYS007N04CLTWG onsemi Nvtys007n04cltwg 0.6142
RFQ
 ECAD 6586 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1205, 8-LFPAK56 Mosfet (Óxido de metal) 8-lfpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVTYS007N04CLTWGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 16a (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 30 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 38W (TC)
NRVTS560ETFSTAG onsemi Nrvts560etfstag -
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie 8-PowerWDFN NRVTS560 Schottky 8-WDFN (3.3x3.3) descascar 488-nrvts560etfstag 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 680 MV @ 5 A 50 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A -
2SC4452-3-TL-E-ON onsemi 2SC4452-3-TL-E-ON 0.1000
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
HUFA76413DK8T-F085P onsemi HUFA76413DK8T-F085P -
RFQ
 ECAD 1708 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HUFA76413 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TA) 8-Soico - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 488-HUFA76413DK8T-F085PTR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 5.1a (TC) 49mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250 µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
NDCTR30120A onsemi NDCTR30120A -
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo NDCTR30120 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NDCTR30120ATR 1.700 -
MM3Z22VT1 onsemi MM3Z22VT1 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 300 MW Sod-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 15.4 V 22 V 55 ohmios
ES1H onsemi ES1H 0.4000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 500 V 150 ° C (Máximo) 1A -
MJE18006G onsemi MJE18006G -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 MJE18 100 W Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 450 V 6 A 100 µA NPN 700mv @ 600mA, 3a 6 @ 3a, 1v 14MHz
SZMM5Z4711T5G onsemi Szmm5z4711t5g 0.0574
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, SZMM5Z4XXXXXG Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-SZMM5Z4711T5GTR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 10 na @ 20.4 V 27 V
2SB544F-MP-AE onsemi 2SB544F-MP-AA -
RFQ
 ECAD 8908 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
NVMFS6B03NWFT1G onsemi Nvmfs6b03nwft1g -
RFQ
 ECAD 9470 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 145A (TC) 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 16V 4200 pf @ 50 V - 3.9W (TA), 198W (TC)
NVMFS6B85NLT1G onsemi Nvmfs6b85nlt1g -
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 5.6a (TA), 19a (TC) 4.5V, 10V 46mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 7.9 NC @ 10 V ± 16V 480 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 42W (TC)
SMBZ1477LT3 onsemi SMBZ1477LT3 0.0200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 10,000
NTMFS5C410NLTT3G onsemi Ntmfs5c410nltt3g -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 50A (TA), 330A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 143 NC @ 10 V ± 20V 8862 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 167W (TC)
FQD4P40TM-AM002 onsemi Fqd4p40tm-am002 -
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd4 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 400 V 2.7a (TC) 10V 3.1ohm @ 1.35a, 10V 5V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 30V 680 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
2SA1344-TB-E onsemi 2SA1344-TB-E 0.0600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
RS1J onsemi RS1J 0.5100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RB085BGE-60 onsemi RB085BGE-60 -
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 onde * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-RB085BGE-60 1
FGB20N6S2 onsemi FGB20N6S2 -
RFQ
 ECAD 1762 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FGB2 Estándar 125 W D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390v, 7a, 25ohm, 15V - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
FGD3N60LSDTM onsemi Fgd3n60lsdtm 1.3600
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FGD3N60 Estándar 40 W Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 480V, 3A, 470OHM, 10V 234 ns - 600 V 6 A 25 A 1.5V @ 10V, 3a 250 µJ (Encendido), 1 MJ (apagado) 12.5 NC 40ns/600ns
MMBZ5227BLT1H onsemi Mmbz5227blt1h -
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 950 MV @ 10 Ma 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
FQA34N20L onsemi FQA34N20L -
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 34a (TC) 5V, 10V 75mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 72 NC @ 5 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 210W (TC)
MCH3421-TL-E onsemi MCH3421-TL-E 0.1800
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) 3 mcph descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 800 mA (TA) 890mohm @ 400 mA, 10V - 4.8 NC @ 10 V 165 pf @ 20 V - 900MW (TA)
NVH082N65S3F onsemi NVH082N65S3F 5.5464
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 onde Superfet® III, FRFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NVH082N65S3F EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 40A (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10v 5V @ 1MA 81 NC @ 10 V ± 30V 3410 pf @ 400 V - 313W (TC)
NTMFS020N06CT1G onsemi NTMFS020N06CT1G 1.5600
RFQ
 ECAD 5557 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS020 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 9a (TA), 28a (TC) 10V 19.6mohm @ 4a, 10v 4V @ 20 µA 5.8 NC @ 10 V ± 20V 355 pf @ 30 V - 3.4W (TA), 31W (TC)
MCH3478-TL-W-Z onsemi MCH3478-TL-WZ -
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto MCH3478 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 1.8V, 4.5V ± 12V
KA33VBU onsemi Ka33vbu -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 6% -20 ° C ~ 75 ° C A Través del Aguetero To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) KA33 200 MW TO-92-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 33 V 25 ohmios
NTMFS4H013NFT1G onsemi Ntmfs4h013nft1g -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 43a (TA), 269a (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3923 pf @ 12 V - 2.7W (TA), 104W (TC)
NHPV15S600G onsemi NHPV15S600G -
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 NHPV15 Estándar Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3.2 V @ 15 A 50 ns 60 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
MUR3040 onsemi MUR3040 2.8500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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