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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
DF06M onsemi Df06m 0.7200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) DF06 Estándar 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
MMBV2107LT1G onsemi Mmbv2107lt1g -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBV21 SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 24.2pf @ 4V, 1MHz Soltero 30 V 3.2 C2/C30 350 @ 4V, 50MHz
FDMT80040DC onsemi Fdmt80040dc 11.7100
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn FDMT80040 Mosfet (Óxido de metal) 8-dual Cool ™ 88 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 420a (TC) 6V, 10V 0.56mohm @ 64a, 10V 4V @ 250 µA 338 NC @ 10 V ± 20V 26110 pf @ 20 V - 156W (TC)
MV209G onsemi MV209G -
RFQ
 ECAD 6849 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) MV209 Un 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MV209GOS EAR99 8541.10.0070 1,000 32pf @ 3V, 1MHz Soltero 30 V 6.5 C3/C25 200 @ 3V, 50MHz
NTTFSS1D1N02P1E onsemi Nttfss1d1n02p1e 1.0303
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-POWERWDFN Nttfss1 Mosfet (Óxido de metal) 9-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTTFSS1D1N02P1ETR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 39A (TA), 264A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 27a, 10v 2V @ 934 µA 60 NC @ 10 V ± 16V 4360 pf @ 13 V - 2W (TA), 89W (TC)
NVD5890NLT4G-VF01 onsemi Nvd5890nlt4g-vf01 -
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVD5890NLT4G-VF01TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 24a (TA), 123A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 4760 pf @ 25 V - 4W (TA), 107W (TC)
NXH50M65L4Q1PTG onsemi NXH50M65L4Q1PTG -
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 onde - Banda Activo 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 86 W Estándar 53-Pim/Q2Pack (93x47) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH50M65L4Q1PTG EAR99 8541.29.0095 21 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 650 V 48 A 2.22V @ 15V, 50A 300 µA Si 3.137 NF @ 20 V
FGA6560WDF onsemi FGA6560WDF 4.8600
RFQ
 ECAD 421 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA6560 Estándar 306 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60a, 6ohm, 15V 110 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 180 A 2.3V @ 15V, 60A 2.46MJ (Encendido), 520 µJ (apaguado) 84 NC 25.6ns/71ns
ISL9V5036S3ST_SB82170 onsemi ISL9V5036S3ST_SB82170 -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 onde Ecospark® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Isl9 Lógica 250 W D²pak (A 263) - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300V, 1KOHM, 5V - 390 V 46 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
NGTB40N65FL2WG onsemi NGTB40N65FL2WG 5.7000
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NGTB40 Estándar 366 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 10ohm, 15V 72 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 970 µJ (Encendido), 440 µJ (apaguado) 170 NC 84ns/177ns
2SK4198FS onsemi 2SK4198FS -
RFQ
 ECAD 9241 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2SK4198 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2.34ohm @ 2.5a, 10v - 14.3 NC @ 10 V ± 30V 360 pf @ 30 V - 2W (TA), 30W (TC)
HGTG11N120CN onsemi Hgtg11n120cn -
RFQ
 ECAD 4308 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HGTG11N120 Estándar 298 W TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 150 960V, 11a, 10ohm, 15V Escrutinio 1200 V 43 A 80 A 2.4V @ 15V, 11a 400 µJ (Encendido), 1.3MJ (apaguado) 100 NC 23ns/180ns
NVMFS5C628NT1G onsemi Nvmfs5c628nt1g 3.0400
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVMFS5C628NT1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 28a (TA), 150a (TC) 10V 3mohm @ 27a, 10v 4V @ 135 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2630 pf @ 30 V - 3.7W (TA), 110W (TC)
2SD734E-AA onsemi 2SD734E-AA 0.2700
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0075 1
FFPF05U120STTU onsemi Ffpf05u120sttu -
RFQ
 ECAD 4387 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF05 Estándar TO20F-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3.5 V @ 5 A 100 ns 5 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 150 ° C 5A -
MM5Z47VT5G onsemi MM5Z47VT5G 0.2600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde Mm5zxxxt1g Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z47 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 32.9 V 47 V 170 ohmios
NTD65N03R-35G onsemi NTD65N03R-35G 0.1400
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD65 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 65a (TC) 8.4mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 16 NC @ 5 V 1400 pf @ 20 V -
NTTFD021N08C onsemi NTTFD021N08C 3.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 12-PowerWQFN NTTFD021 Mosfet (Óxido de metal) 1.7W (TA), 26W (TC) 12 WQFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 80V 6a (TA), 24a (TC) 21mohm @ 7.8a, 10v 4V @ 44 µA 8.4nc @ 10V 572pf @ 40V -
NVTYS007N04CTWG onsemi Nvtys007n04ctwg 0.6142
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1205, 8-LFPAK56 Mosfet (Óxido de metal) 8-lfpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVTYS007N04CTWGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 14a (TA), 49A (TC) 10V 8.6mohm @ 15a, 10v 3.5V @ 30 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 674 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 38W (TC)
SMBF1066T1G onsemi Smbf1066t1g -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto SMBF1 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
FDFME3N311ZT onsemi Fdfme3n311zt -
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta Fdfme3 Mosfet (Óxido de metal) 6-Microfet (1.6x1.6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 1.8a (TA) 2.5V, 4.5V 299mohm @ 1.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.4 NC @ 4.5 V ± 12V 75 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 1.4W (TA)
BZX79C43_T50R onsemi BZX79C43_T50R -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C43 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 30.1 V 43 V 150 ohmios
MTP10N40E onsemi MTP10N40E -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
NTBG060N090SC1 onsemi NTBG060N090SC1 15.1500
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA NTBG060 Mosfet (Óxido de metal) D2pak-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 900 V 5.8a (TA), 44A (TC) 15V 84mohm @ 20a, 15V 4.3V @ 5MA 88 NC @ 15 V +19V, -10V 1800 pf @ 450 V - 3.6W (TA), 211W (TC)
KA33VTA onsemi Ka33vta -
RFQ
 ECAD 6935 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto ± 6% -20 ° C ~ 75 ° C A Través del Aguetero To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) KA33 200 MW TO-92-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2,000 33 V 25 ohmios
FQU5N50TU onsemi Fqu5n50tu -
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU5 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 500 V 3.5A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.75a, 10v 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
MURHB840CTT4G onsemi Murhb840ctt4g -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Murhb840 Estándar D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 4A 2.2 v @ 4 a 28 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
FDD86102LZ onsemi Fdd86102lz 1.6200
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD86102 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 8A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 22.5mohm @ 8a, 10v 3V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1540 pf @ 50 V - 3.1W (TA), 54W (TC)
BC848BPDW1T1 onsemi Bc848bpdw1t1 0.0200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 3.000
2SC3149M onsemi 2SC3149M 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - 2156-2SC3149M 825
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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