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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTMTSC4D3N15MC onsemi NTMTSC4D3N15MC 6.5300
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 onde Dual Cool ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-TDFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 22a (TA), 174A (TC) 8V, 10V 4.45mohm @ 95a, 10V 4.5V @ 521 µA 79 NC @ 10 V ± 20V 6514 pf @ 75 V - 5W (TA), 293W (TC)
SMUN5213DW1T1G onsemi Smun5213dw1t1g 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Smun5213 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 47 kohms 47 kohms
2SC3117S onsemi 2SC3117S 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
6HP04CH-TL-W onsemi 6HP04CH-TL-W -
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 6hp04 Mosfet (Óxido de metal) 3-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 370MA (TA) 4V, 10V 4.2ohm @ 190ma, 10v - 0.84 NC @ 10 V ± 20V 24.1 pf @ 20 V - -
1N5339BG onsemi 1N5339BG 0.4900
RFQ
 ECAD 3915 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5339 5 W Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 2 V 5.6 V 1 ohmios
RD0106T-H onsemi RD0106T-H -
RFQ
 ECAD 5016 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA RD010 Estándar TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 1A -
SZMMBZ5263ELT1G onsemi Szmmbz5263elt1g 0.0392
RFQ
 ECAD 8117 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szmmbz5263 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 43 V 56 V 150 ohmios
BD538 onsemi BD538 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
FQB46N15TM_AM002 onsemi FQB46N15TM_AM002 -
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB4 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 45.6a (TC) 10V 42mohm @ 22.8a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 25V 3250 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 210W (TC)
MMSZ5258BT1G onsemi MMSZ5258BT1G 0.2300
RFQ
 ECAD 9355 0.00000000 onde Mmsz52xxxt1g Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ525 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 70 ohmios
1N5358BG onsemi 1N5358BG 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5358 5 W Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 16.7 V 22 V 3.5 ohmios
NTNS41S006PZTCG onsemi NTNS41S006PZTCG 0.0900
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 onde * Una granela Activo - Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-NTNS41S006PZTCG-488 1
MMSZ4680T1 onsemi MMSZ4680T1 -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 4 µA @ 1 V 2.2 V
NTTFS020N06CTAG onsemi NTTFS020N06CTAG 1.3700
RFQ
 ECAD 3251 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS020 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 7a (TA), 27a (TC) 10V 20.3mohm @ 4a, 10v 4V @ 20 µA 5.8 NC @ 10 V ± 20V 355 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 31W (TC)
1N5252B_T50R onsemi 1N5252B_T50R -
RFQ
 ECAD 3400 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5252 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
MMSZ5244ET1 onsemi Mmsz5244et1 -
RFQ
 ECAD 1629 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ524 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10 V 14 V 15 ohmios
NTD5865NLT4G onsemi Ntd5865nlt4g 1.4400
RFQ
 ECAD 8023 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD5865 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 46a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 71W (TC)
MM5Z11V onsemi Mm5z11v -
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523F MM5Z1 200 MW Sod-523f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
FDPF5N50FT onsemi Fdpf5n50ft -
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FDPF5N50FT EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 1.55ohm @ 2.25a, ​​10V 5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 28W (TC)
NTMFS4926NT1G onsemi Ntmfs4926nt1g 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4926 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 1004 pf @ 15 V - 920MW (TA), 21.6W (TC)
MM5Z3V6T5G onsemi MM5Z3V6T5G 0.2300
RFQ
 ECAD 9073 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.56% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z3 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
MMSZ7V5T1 onsemi MMSZ7V5T1 -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Mmsz7v 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
FDT86113LZ onsemi Fdt86113lz 0.9700
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FDT86113 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 3.3a ​​(TC) 4.5V, 10V 100mohm @ 3.3a, 10v 2.5V @ 250 µA 6.8 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 50 V - 2.2W (TA)
2SB1323-TD-E onsemi 2SB1323-TD-E 0.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1,000
2SC4853-4-TL-E onsemi 2SC4853-4-TL-E 0.0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
FDC6561AN onsemi Fdc6561an 0.6600
RFQ
 ECAD 3114 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6561 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 2.5a 95mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250 µA 3.2NC @ 5V 220pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
NTMFD4901NFT3G onsemi Ntmfd4901nft3g -
RFQ
 ECAD 7416 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMFD4901 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w, 1.2w 8-DFN (5x6) Bandera dual (SO8FL-DUAL AMIMTRICAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2-canal (dual), Schottky 30V 10.3a, 17.9a 6.5mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250 µA 9.7nc @ 4.5V 1150pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
GBU6B onsemi Gbu6b 1.4900
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 6 a 5 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
TURC160TS1 onsemi Turc160ts1 0.1800
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
SB330 onsemi SB330 -
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial SB33 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 3A 180pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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