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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
SVC270-TL-E onsemi SVC270-TL-E -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SVC270 3 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 28.2pf @ 8V, 1MHz 1 par Cátodo Común 16 V 1.75 C2/C8 100 @ 3V, 100MHz
FQB8N90CTM onsemi FQB8N90CTM -
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB8N90 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 900 V 6.3a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.15a, 10V 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 2080 pf @ 25 V - 171W (TC)
FDPF17N45T onsemi FDPF17N45T -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 450 V 17a (TC) 300mohm @ 8.5a, 10V 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V 2110 pf @ 25 V - -
BC183LC_J35Z onsemi BC183LC_J35Z -
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC183 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 40 @ 10 µA, 5V 150MHz
1N4739A-T50A onsemi 1N4739A-T50A 0.4000
RFQ
 ECAD 8018 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4739 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 10 µA @ 7 V 9.1 V 5 ohmios
NVMTS0D6N04CTXG onsemi Nvmts0d6n04ctxg 8.5800
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmts0 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 533A (TC) 10V 0.48mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 187 NC @ 10 V ± 20V 11800 pf @ 20 V - 5W (TA)
FQA9N90C onsemi FQA9N90C -
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 900 V 9A (TC) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 30V 2730 pf @ 25 V - 280W (TC)
1N5244B_T50A onsemi 1N5244B_T50A -
RFQ
 ECAD 7853 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5244 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 10 V 14 V 15 ohmios
SST45011MW6T1G onsemi SST45011MW6T1G 0.1400
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 onde * Una granela Activo SST45011 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-SST45011MW6T1G-488 EAR99 8541.21.0095 2,251
2SD1190 onsemi 2SD1190 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
2SB1165S onsemi 2SB1165S 0.3200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
CPH3248-TL-E onsemi CPH3248-TL-E 0.1400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 3.000
2SC3661-U-TB-E onsemi 2SC3661-U-TB-E 0.0600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
FDMS86500DC onsemi FDMS86500DC 3.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Dual Cool ™, Perstrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS86500 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 29a (TA), 108a (TC) 8V, 10V 2.3mohm @ 29a, 10v 4.5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 20V 7680 pf @ 30 V - 3.2W (TA), 125W (TC)
MSRD620CT onsemi MSRD620CT -
RFQ
 ECAD 5276 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MSRD6 Estándar Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 3A 1.15 v @ 3 a 55 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
NTBG022N120M3S onsemi NTBG022N120M3S 28.9200
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA NTBG022 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) D2pak-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTBG022N120M3STR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1200 V 58a (TC) 18V 30mohm @ 40a, 18V 4.4V @ 20 mm 20 NC @ 18 V +22V, -10V 3200 pf @ 800 V - 234W (TC)
1SV234-TB-E onsemi 1SV234-TB-E -
RFQ
 ECAD 4198 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SV234 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 50 Ma 150 MW 0.23pf @ 50V, 1MHz Pin - Conexión de la Serie de 1 par 50V 5ohm @ 10mA, 100MHz
NTS1260MFST3G onsemi NTS1260MFST3G -
RFQ
 ECAD 7512 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTS1260 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTS1260MFST3GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 12 A 90 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
DF06S2 onsemi DF06S2 -
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF06 Estándar 4 SDIP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
FDP10N60NZ onsemi FDP10N60NZ -
RFQ
 ECAD 1042 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 1475 pf @ 25 V - 185W (TC)
NTD18N06G onsemi NTD18N06G -
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD18 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 18a (TA) 10V 60mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 710 pf @ 25 V - 2.1W (TA), 55W (TJ)
NTD4970NT4G onsemi Ntd4970nt4g -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD49 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.5a (TA), 36a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 8.2 NC @ 4.5 V ± 20V 774 pf @ 15 V - 1.38W (TA), 24.6W (TC)
NTD24N06L onsemi NTD24N06L -
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD24 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 24a (TA) 5V 45mohm @ 10a, 5V 2V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 15V 1140 pf @ 25 V - 1.36W (TA), 62.5W (TJ)
BZX85C30RL onsemi BZX85C30RL -
RFQ
 ECAD 7503 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0050 1
FDD5N50NZTM onsemi Fdd5n50nztm 1.0400
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 onde Unifet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD5N50 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 4A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 25V 440 pf @ 25 V - 62W (TC)
FCH072N60F-F085 onsemi FCH072N60F-F085 -
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH072 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 600 V 52a (TC) 10V 72mohm @ 26a, 10v 5V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 6330 pf @ 100 V - 481W (TC)
FGH75T65SHDT-F155 onsemi FGH75T65SHDT-F155 8.3200
RFQ
 ECAD 6087 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH75 Estándar 455 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 3ohm, 15V 76 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 150 A 225 A 2.1V @ 15V, 75a 3MJ (Encendido), 750 µJ (apagado) 123 NC 28ns/86ns
FNA40860 onsemi FNA40860 -
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 45 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.024 ", 26.00 mm) IGBT FNA40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 72 3 fase 8 A 600 V 2000 VRMS
S1DFL onsemi S1dfl 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F S1D Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 1 µA @ 200 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 4PF @ 4V, 1MHz
HUF75343P3 onsemi HUF75343P3 -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUF75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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