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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NVTFS6H860NLWFTAG onsemi Nvtfs6h860nlwftag 1.1400
RFQ
 ECAD 2922 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs6 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 8.1a (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 5a, 10v 2V @ 30 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 610 pf @ 40 V - 3.1W (TA), 42W (TC)
NVD5802NT4G-TB01 onsemi NVD5802NT4G-TB01 -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVD580 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 16.4a (TA), 101a (TC) 5V, 10V 4.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 12 V - 2.5W (TA), 93.75W (TC)
NTMFS4108NT3G onsemi Ntmfs4108nt3g -
RFQ
 ECAD 6477 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 13.5a (TA) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 21a, 10v 2.5V @ 250 µA 54 NC @ 4.5 V ± 20V 6000 pf @ 15 V - 1.1W (TA), 96.2W (TC)
NRVA4007T3G onsemi Nrva4007t3g 0.4100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA NRVA4007 Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZX85C5V6 onsemi BZX85C5V6 -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85C5 1 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 7 ohmios
FQD8P10TM onsemi Fqd8p10tm 0.7800
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd8p10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 6.6a (TC) 10V 530mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 470 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
SB05-05C-TB-E onsemi SB05-05C-TB-E 0.4500
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SB05 Schottky 3-CP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 550 MV @ 500 Ma 10 ns 50 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 17pf @ 10V, 1 MHz
BAL99LT1G onsemi Bal99lt1g 0.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bal99 Estándar SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 50 Ma 6 ns 2.5 µA @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C 100mA 1.5pf @ 0v, 1 MHz
NTB5426NT4G onsemi Ntb5426nt4g -
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB54 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 215W (TC)
1SMB5945BT3G onsemi 1SMB5945BT3G 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5945 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 51.7 V 68 V 120 ohmios
FSAM50SM60A onsemi FSAM50SM60A -
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 onde SPM® 2 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT FSAM50 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 48 Inversor de 3 fase 50 A 600 V 2500 VRMS
SZNZ3F75VT1G onsemi Sznz3f75vt1g -
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Sznz3 800 MW Sod-323fl descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.3 V @ 10 Ma 50 na @ 52.5 V 75 V 155 ohmios
FJD5304DTF onsemi Fjd5304dtf 0.8800
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FJD5304 30 W Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a 8 @ 2a, 5v -
BBL4001-1E onsemi BBL4001-1E -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BBL4001 Mosfet (Óxido de metal) TO20-3 FullPack/TO220F-3SG descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 74a (TA) 4V, 10V 6.1mohm @ 37a, 10v 2.6V @ 1MA 135 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 20 V - 2W (TA), 35W (TC)
SBC817-25LT3G onsemi SBC817-25LT3G 0.2800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBC817 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
1N977B onsemi 1N977B -
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N977 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 105 ohmios
MPSA13_D74Z onsemi MPSA13_D74Z -
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA13 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
FJV1845FMTF onsemi Fjv1845fmtf 0.2400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV1845 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 300 @ 1 Mapa, 6V 110MHz
2SA608NG-NPA-AT onsemi 2SA608NG-NPA-AT -
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2SA608 500 MW TO-92 (TO-226) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1.500 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 280 @ 1 MMA, 6V 200MHz
1N5250B onsemi 1N5250B 0.1600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5250 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
FQPF4N90C onsemi FQPF4N90C -
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 4A (TC) 10V 4.2ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 960 pf @ 25 V - 47W (TC)
2SC6099-TL-E onsemi 2SC6099-TL-E 0.8700
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SC6099 800 MW TP-FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 700 100 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 165mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 300MHz
KSA642CYBU onsemi Ksa642cybu -
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA642 400 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30 mA, 300 mA 120 @ 50mA, 1V -
SMBD1106LT1 onsemi Smbd1106lt1 0.0200
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 3.000
FES16AT onsemi Fes16at -
RFQ
 ECAD 6286 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Fes16 Estándar Un 220-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A 170pf @ 4V, 1MHz
FDG312P onsemi FDG312P -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG312 Mosfet (Óxido de metal) SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.2a (TA) 2.5V, 4.5V 180mohm @ 1.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 5 NC @ 4.5 V ± 8V 330 pf @ 10 V - 750MW (TA)
FDMC7696 onsemi FDMC7696 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC76 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12a (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1430 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 25W (TC)
DTA113EET1G onsemi Dta113eet1g 0.0229
RFQ
 ECAD 6915 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 Dta113 200 MW SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 MV a 5 mm, 10 Ma 3 @ 5 MMA, 10V 1 kohms 1 kohms
BZX79C5V6 onsemi BZX79C5V6 0.1500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C5 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
PZTA14 onsemi PZTA14 0.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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