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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTNS3166NZT5G onsemi Ntns3166nzt5g 0.3700
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 3-xfdfn NTNS3166 - SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 8,000 - - - - - -
2SB892S-AE onsemi 2SB892S-AA 0.1500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1
FDMC8676 onsemi FDMC8676 -
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMC86 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 16a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 14.7a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1935 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 41W (TC)
SZ2570-18T3 onsemi SZ2570-18T3 1.0000
RFQ
 ECAD 3600 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 2.500
5HP01M-TL-E onsemi 5HP01M-TL-E -
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 5HP01 Mosfet (Óxido de metal) MCP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 70MA (TA) 4V, 10V 22ohm @ 40mA, 10V - 1.32 NC @ 10 V ± 20V 6.2 pf @ 10 V - 150MW (TA)
1N756A_T50R onsemi 1N756A_T50R -
RFQ
 ECAD 7774 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N756 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 8.2 V 8 ohmios
NTTFS002N04CTAG onsemi Nttfs002n04tag 1.0805
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS002 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 27a (TA), 136a (TC) 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 90 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 85W (TC)
NSVBC123JDXV6T1G onsemi NSVBC123JDXV6T1G -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSVBC123 357MW SOT-563 descascar 488-NSVBC123JDXV6T1GTR EAR99 8541.21.0095 1 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V - 2.2 kohms 47 kohms
MMSZ5223BT1G onsemi MMSZ5223BT1G 0.2400
RFQ
 ECAD 248 0.00000000 onde Mmsz52xxxt1g Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ522 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
BZX84B5V1LT1 onsemi BZX84B5V1LT1 -
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B5 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
FGA15N120ANDTU onsemi Fga15n120andtu -
RFQ
 ECAD 3249 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 Estándar 200 W Un 3pn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 600V, 15a, 20ohm, 15V 330 ns Escrutinio 1200 V 24 A 45 A 3.2V @ 15V, 15a 3.27MJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 120 NC 90ns/310ns
NTD4969NT4G onsemi Ntd4969nt4g -
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD4969 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9.4a (TA), 41a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 9 NC @ 4.5 V ± 20V 837 pf @ 15 V - 1.38W (TA), 26.3W (TC)
1N5235B_S00Z onsemi 1N5235B_S00Z -
RFQ
 ECAD 6120 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5235 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 5 V 6.8 V 5 ohmios
FQD10N20TM onsemi Fqd10n20tm -
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 7.6a (TC) 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 51W (TC)
NTP13N10G onsemi NTP13N10G -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP13N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP13N10GOS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 13a (TA) 10V 165mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 25 V - 64.7W (TC)
NDS9957 onsemi NDS9957 -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS995 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 2.6a 160mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250 µA 12NC @ 10V 200pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
FQD5N40TF onsemi FQD5N40TF -
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd5 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 400 V 3.4a (TC) 10V 1.6ohm @ 1.7a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
NXH400N100H4Q2F2SG onsemi NXH400N100H4Q2F2SG 322.7400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 959 W Estándar 42-PIM/Q2Pack (93x47) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH400N100H4Q2F2SG EAR99 8541.29.0095 12 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 1000 V 409 A 2.3V @ 15V, 400A 500 µA Si 26.093 nf @ 20 V
NVLJWS6D0N04CLTAG onsemi Nvljws6d0n04cltag 0.3652
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 6-PowerWDFN Nvljws6 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFNW (2.05x2.05) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvljws6d0n04cltagtr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 15A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 10a, 10v 2V @ 34 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
NTMFS4708NT3G onsemi Ntmfs4708nt3g -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 7.8a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V 970 pf @ 24 V - 1W (TA)
W10G onsemi W10G -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, WOB W10 Estándar Canon descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
FQPF4N80 onsemi FQPF4N80 -
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 2.2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 880 pf @ 25 V - 43W (TC)
1N4744A_NT50A onsemi 1N4744A_NT50A -
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4744 1 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 11.4 V 15 V 14 ohmios
FFPF30UA60S onsemi Ffpf30ua60s 1.4000
RFQ
 ECAD 665 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF30 Estándar TO20F-2L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.2 V @ 30 A 90 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 30A -
2SC3416E onsemi 2SC3416E 0.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
1N747A_T50A onsemi 1N747A_T50A -
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N747 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
2SK3412-TL-E onsemi 2SK3412-TL-E 0.4300
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 700
1PMT5941BT1G onsemi 1pmt5941bt1g 0.6900
RFQ
 ECAD 9942 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1PMT5941 3.2 W Powermite descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.25 V @ 200 Ma 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
FW906-TL-E onsemi FW906-TL-E -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FW906 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-SOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Vecino del canal 30V 8a, 6a 24mohm @ 8a, 10v - 12NC @ 10V 690pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NTJS4160NT1G onsemi Ntjs4160nt1g -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJS41 Mosfet (Óxido de metal) SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.8a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 2.6a, 10V 2.4V @ 250 µA 2.75 NC @ 4.5 V ± 20V 230 pf @ 10 V - 300MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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