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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
NDF06N60ZH onsemi NDF06N60ZH -
RFQ
 ECAD 3422 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero NDF06 Mosfet (Óxido de metal) To20-2 paqueto entero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7.1a (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 100 µA 47 NC @ 10 V ± 30V 1107 pf @ 25 V - 35W (TC)
FDD6612A onsemi FDD6612A -
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD6612 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9.5A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 9.5a, 10V 3V @ 250 µA 9.4 NC @ 5 V ± 20V 660 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 36W (TC)
FDA59N30 onsemi FDA59N30 4.0900
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FDA59 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 59A (TC) 10V 56mohm @ 29.5a, 10V 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 30V 4670 pf @ 25 V - 500W (TC)
FDP8870-F085 onsemi FDP8870-F085 -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP88 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 19a (TA), 156a (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
SMMSD701T1G onsemi SMMSD701T1G 0.5100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SMMSD701 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 10 Ma 200 na @ 35 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 1PF @ 0V, 1MHz
1N4757A_T50A onsemi 1N4757A_T50A -
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4757 1 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
FSB50250BS onsemi FSB50250BS 4.8766
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 5 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Módulo de 23-Powersmd, Ala de la Gaviota Mosfet FSB50250 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 450 Inversor de 3 fase 1.9 A 500 V 1500 VRMS
MAC15SDG onsemi Mac15SDG -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mac15 Un 220 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 400 V 15 A 1.5 V 120A @ 60Hz 5 Ma
MPSA93_D26Z onsemi MPSA93_D26Z -
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA93 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 200 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 400mv @ 2mA, 20 mA 30 @ 30mA, 10V 50MHz
NRVUD340T4G-VF01 onsemi NRVUD340T4G-VF01 -
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 onde Switchmode ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NRVUD340 Estándar Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
NSR0320XV6T1 onsemi NSR0320XV6T1 -
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSR032 Schottky SOT-563 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 23 V 500 MV @ 900 Ma 50 µA @ 15 V 125 ° C (Máximo) 1A 35pf @ 5V, 1 MHz
KSA614OTU onsemi Ksa614otu -
RFQ
 ECAD 9442 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSA614 25 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 55 V 3 A 50 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 70 @ 500mA, 5V -
NSR0130M2T5G onsemi NSR0130M2T5G -
RFQ
 ECAD 7216 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sod-723 NSR013 Schottky Sod-723 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 525 MV @ 100 Ma 3 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 100mA -
MSC2295-BT1G onsemi Msc2295-bt1g -
RFQ
 ECAD 8816 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MSC22 200MW SC-59 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 20V 30mera NPN 70 @ 1 MMA, 10V 150MHz -
NRVS1504T3G onsemi NRVS1504T3G -
RFQ
 ECAD 7199 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB NRVS1504 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.04 v @ 1.5 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
MMUN2141LT1G onsemi Mmun2141lt1g 0.0208
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmun2141 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 160 @ 5MA, 10V 100 kohms
NTMFS4852NT1G onsemi Ntmfs4852nt1g 1.5700
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4852 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 16A (TA), 155A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 71.3 NC @ 10 V ± 20V 4970 pf @ 12 V - 900MW (TA), 86.2W (TC)
NJVMJD112G onsemi Njvmjd112g 0.7400
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvmjd112 1.75 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NJVMJD112G EAR99 8541.29.0095 75 100 V 2 A 20 µA NPN - Darlington 3V @ 40mA, 4A 1000 @ 2a, 3V 25MHz
2SA1419T-TD-H onsemi 2SA1419T-TD-H 0.6300
RFQ
 ECAD 624 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SA1419 500 MW PCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 160 V 1.5 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 100 mapa, 5v 120MHz
NVMFS6B03NLT1G onsemi Nvmfs6b03nlt1g -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 145A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 9.4 NC @ 10 V ± 16V 5320 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 198W (TC)
FFP08D60L2 onsemi FFP08D60L2 -
RFQ
 ECAD 5141 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 FFP08 Estándar Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3.6 v @ 8 a 25 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A -
BZX55C30 onsemi BZX55C30 -
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C30 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 22 V 30 V 80 ohmios
MMBZ5240BLT1G onsemi Mmbz5240blt1g 0.1400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5240 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 8 V 10 V 17 ohmios
SBT700-06RH-1EX onsemi SBT700-06RH-1EX 1.0000
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 1
NZ8F2V4MX2WT5G onsemi NZ8F2V4MX2WT5G 0.0428
RFQ
 ECAD 5222 0.00000000 onde NZ8F Tape & Reel (TR) Activo ± 12.08% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
BF199_D74Z onsemi Bf199_d74z -
RFQ
 ECAD 7662 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF199 350MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 - 25V 50mera NPN 38 @ 7MA, 10V 1.1 GHz -
NTMTSC1D6N10MCTXG onsemi Ntmtsc1d6n10mctxg 6.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn NTMTSC1 Mosfet (Óxido de metal) 8-TDFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 35A (TA), 267A (TC) 1.7mohm @ 90a, 10v 4V @ 650 µA 106 NC @ 10 V ± 20V 7630 pf @ 50 V - 5.1W (TA), 291W (TC)
MM3Z11VC onsemi Mm3z11vc 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F MM3Z11 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 900 na @ 8 V 11 V 18 ohmios
NSVT65011MW6T1G onsemi NSVT65011MW6T1G 0.4800
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NSVT65011 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
FJNS4206RBU onsemi Fjns4206rbu -
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS42 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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