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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTHD3101FT3G onsemi Nthd3101ft3g -
RFQ
 ECAD 6521 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHD31 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 3.2a (TJ) 1.8V, 4.5V 80mohm @ 3.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 7.4 NC @ 4.5 V ± 8V 680 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.1W (TA)
S1GHE onsemi S1ghe 0.3900
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano S1g Estándar Sod-323he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 782 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 3PF @ 4V, 1MHz
FQP65N06 onsemi FQP65N06 2.4400
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 65a (TC) 10V 16mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 25V 2410 pf @ 25 V - 150W (TC)
BAV103-G-ON onsemi BAV103-G-ON 0.0500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 2.500
BC328TF onsemi Bc328tf -
RFQ
 ECAD 5051 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC328 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
NVTFS6H888NLWFTAG onsemi Nvtfs6h888nlwftag 0.2698
RFQ
 ECAD 2928 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs6 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvtfs6h888nlwftagtr EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 4.9a (TA), 14a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 5a, 10v 2V @ 15 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 258 pf @ 40 V - 2.9W (TA), 23W (TC)
KSP45TF onsemi KSP45TF -
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP45 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 350 V 300 mA 500NA NPN 750mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10 mapa, 10v -
NSR02F30NXT5G onsemi NSR02F30NXT5G 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) NSR02 Schottky 2-DSN (0.60x0.30) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 550 MV @ 200 Ma 50 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 7pf @ 5V, 1 MHz
BF422G onsemi Bf422g -
RFQ
 ECAD 1319 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BF422 830 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 250 V 50 Ma - NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 50 @ 25 mm, 20V 60MHz
KSD1273P onsemi KSD1273P -
RFQ
 ECAD 1521 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSD1273 2 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 200 60 V 3 A 100 µA NPN 1V @ 50MA, 2A 800 @ 500 Ma, 4V 30MHz
MBRB2545CTT4 onsemi MBRB2545CTT4 -
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 onde Switchmode ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB2545 Schottky D²pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 820 MV @ 30 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
MSC2712GT1G onsemi MSC2712GT1G 0.2600
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MSC2712 200 MW SC-59 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 100na NPN 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 50MHz
NTGS3433T1G onsemi Ntgs3433t1g -
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NTGS3433 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 2.35a (TA) 2.5V, 4.5V 75mohm @ 3.3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 8V 550 pf @ 5 V - 500MW (TA)
2N6428ABU onsemi 2n6428abu -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N6428 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 200 MA 25NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 250 @ 100 µA, 5V 700MHz
2N7002LT1 onsemi 2N7002LT1 -
RFQ
 ECAD 6229 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TC) 7.5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 50 pf @ 25 V -
MMBT589LT1G onsemi Mmbt589lt1g 0.5100
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT589 310 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1 A 100na PNP 650MV @ 200MA, 2A 100 @ 500mA, 2V 100MHz
NTMFS4C55NT3G onsemi Ntmfs4c55nt3g -
RFQ
 ECAD 1869 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 11.9a (TA), 78a (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1972 pf @ 15 V - -
2N4123TF onsemi 2N4123TF -
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N4123 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 2mA, 1V 250MHz
NSVMMUN2217LT1G onsemi Nsvmmun2217lt1g 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Nsvmmun2217 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 35 @ 5MA, 10V 4.7 kohms 10 kohms
NTD14N03R-1G onsemi NTD14N03R-1G -
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD14 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTD14N03R-1GOS EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 1.8 NC @ 5 V ± 20V 115 pf @ 20 V - 1.04W (TA), 20.8W (TC)
1SMB5941BT3 onsemi 1SMB5941BT3 -
RFQ
 ECAD 1050 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5941 3 W SMB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
FJC2383OTF onsemi FJC2383OTF -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA FJC23 500 MW SOT-89-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 4.000 160 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 200Ma, 5V 100MHz
HUF75345P3 onsemi HUF75345P3 2.8900
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUF75345 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
BD436STU onsemi Bd436stu -
RFQ
 ECAD 1116 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD436 36 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-BD436STU EAR99 8541.29.0095 1.920 32 V 4 A 100 µA PNP 500mv @ 200MA, 2a 40 @ 10mA, 5V 3MHz
SZBZX84B6V2LT1G onsemi SZBZX84B6V2LT1G 0.2200
RFQ
 ECAD 663 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
NTLJD4150PTBG onsemi NTLJD4150PTBG -
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJD41 Mosfet (Óxido de metal) 700MW 6-WDFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 1.8a 135mohm @ 4a, 10v 2V @ 250 µA 4.5nc @ 4.5V 300pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
NSBC113EDXV6T5 onsemi NSBC113EDXV6T5 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC113 500MW SOT-563 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NSBC113EDXV6T5OS EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 MV a 5 mm, 10 Ma 3 @ 5 MMA, 10V - 1 kohms 1 kohms
MPS8098_D81Z onsemi MPS8098_D81Z -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPS809 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 500 mA 100na NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
PN3569_D26Z onsemi PN3569_D26Z -
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN356 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 500 mA 50NA (ICBO) NPN 250 MV @ 15 Ma, 150 Ma 100 @ 150mA, 1V -
3EZ4.3D5RLG onsemi 3ez4.3d5rlg -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 3ez4.3 3 W Axial descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.5 V @ 200 Ma 30 µA @ 1 V 4.3 V 4.5 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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