SIC
close

Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Drenaje real (ID) - Max
FDB9406-F085 onsemi FDB9406-F085 3.4600
RFQ
 ECAD 798 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB9406 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 110A (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 138 NC @ 10 V ± 20V 7710 pf @ 25 V - 176W (TJ)
2SC2812-6-TB-E onsemi 2SC2812-6-TB-E -
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3-CP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SC2812-6-TB-E-488 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 100MHz
SCR5285RLRP onsemi Scr5285rlrp -
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 onde * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados 1
NVD5117PLT4G-VF01 onsemi Nvd5117plt4g-vf01 3.0100
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVD5117 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 11a (TA), 61a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 29a, 10v 2.5V @ 250 µA 85 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V - 4.1W (TA), 118W (TC)
SMMBT4401LT1G onsemi SMMBT4401LT1G 0.3400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT4401 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
MCH3211-TL-E onsemi MCH3211-TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
MR2504 onsemi MR2504 -
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie Botón de Microdo MR25 Estándar Botón de Microdo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MR2504OS EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.18 V @ 78.5 A 100 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
TF256TH-5-TL-H onsemi TF256th-5-TL-H -
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano TF256 100 MW 3-VTFP - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 3.1pf @ 2v 240 µA @ 2 V 100 MV @ 1 µA 1 MA
M1MA152KT1G onsemi M1MA152KT1G 0.2700
RFQ
 ECAD 2445 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 M1MA152 Estándar SC-59 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.2 V @ 100 Ma 3 ns 100 na @ 75 V 150 ° C (Máximo) 100mA 2pf @ 0V, 1 MHz
FQPF9N08 onsemi FQPF9N08 -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF9 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 7a (TC) 10V 210mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 25V 250 pf @ 25 V - 23W (TC)
BSV52 onsemi BSV52 -
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSV52 225 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 40 @ 10mA, 1V 400MHz
1N757A_S00Z onsemi 1N757A_S00Z -
RFQ
 ECAD 4548 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N757 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 9.1 V 10 ohmios
FGH60N60SFDTU-F085 onsemi FGH60N60SFDTU-F085 -
RFQ
 ECAD 4225 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH60 Estándar 378 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 60a, 5ohm, 15V 55 ns Parada de Campo 600 V 120 A 180 A 2.9V @ 15V, 60A 1.97MJ (Encendido), 570 µJ (apagado) 188 NC 26ns/134ns
5HP01M-TL-E onsemi 5HP01M-TL-E -
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 5HP01 Mosfet (Óxido de metal) MCP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 70MA (TA) 4V, 10V 22ohm @ 40mA, 10V - 1.32 NC @ 10 V ± 20V 6.2 pf @ 10 V - 150MW (TA)
NXH400N100H4Q2F2SG onsemi NXH400N100H4Q2F2SG 322.7400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 959 W Estándar 42-PIM/Q2Pack (93x47) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH400N100H4Q2F2SG EAR99 8541.29.0095 12 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 1000 V 409 A 2.3V @ 15V, 400A 500 µA Si 26.093 nf @ 20 V
FQA44N08 onsemi FQA44N08 -
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA4 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 80 V 49.8a (TC) 10V 34mohm @ 24.9a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1430 pf @ 25 V - 163W (TC)
NSS40601CF8T1G onsemi NS40601CF8T1G 1.0300
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NS40601 830 MW Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 6 A 100NA (ICBO) NPN 135mv @ 400mA, 4A 200 @ 1a, 2v 140MHz
1N4757A_T50R onsemi 1N4757A_T50R -
RFQ
 ECAD 9651 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4757 1 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 5 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
FDMC8676 onsemi FDMC8676 -
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMC86 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 16a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 14.7a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1935 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 41W (TC)
HUF76013D3S onsemi HUF76013D3S -
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUF76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 20 V 20A (TC) 5V, 10V 22mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 624 pf @ 20 V - 50W (TC)
1N756A_T50R onsemi 1N756A_T50R -
RFQ
 ECAD 7774 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N756 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 8.2 V 8 ohmios
NTTFS002N04CTAG onsemi Nttfs002n04tag 1.0805
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS002 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 27a (TA), 136a (TC) 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 90 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 85W (TC)
NVLJWS6D0N04CLTAG onsemi Nvljws6d0n04cltag 0.3652
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 6-PowerWDFN Nvljws6 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFNW (2.05x2.05) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvljws6d0n04cltagtr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 15A (TA), 68A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 10a, 10v 2V @ 34 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
2SA1341-TB-E onsemi 2SA1341-TB-E 0.2900
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
2SC4159E onsemi 2SC4159E 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1
BZX55C3V0_T50R onsemi BZX55C3V0_T50R -
RFQ
 ECAD 8444 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C3 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.3 V @ 100 Ma 4 µA @ 1 V 3 V 85 ohmios
1N5254B_T50R onsemi 1N5254B_T50R -
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5254 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
NTD4804N-35G onsemi NTD4804N-35G -
RFQ
 ECAD 6783 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 14.5A (TA), 124A (TC) 4.5V, 11.5V 4mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 20V 4490 pf @ 12 V - 1.43W (TA), 107W (TC)
NTD80N02G onsemi NTD80N02G -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 24 V 80a (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 80a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 2600 pf @ 20 V - 75W (TC)
HUF75329S3 onsemi HUF75329S3 -
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 49a (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10v 4V @ 250 µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 128W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar