SIC
close

Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BD244CTU onsemi Bd244ctu -
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD244 65 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-BD244CTU EAR99 8541.29.0095 50 100 V 6 A 700 µA PNP 1.5V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V -
MMSZ4V3T1G onsemi Mmsz4v3t1g 0.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4V3 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
FQD24N08TF onsemi Fqd24n08tf -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd2 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 19.6a (TC) 10V 60mohm @ 9.8a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 750 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDP070AN06A0 onsemi Fdp070an06a0 2.5200
RFQ
 ECAD 578 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP070 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 15a (TA), 80a (TC) 10V 7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 175W (TC)
SVD5867NLT4G onsemi Svd5867nlt4g 0.7900
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SVD5867 Mosfet (Óxido de metal) Dpak-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 22a (TC) 4.5V, 10V 39mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 675 pf @ 25 V - 3.3W (TA), 43W (TC)
NTB25P06T4 onsemi NTB25P06T4 -
RFQ
 ECAD 3032 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB25 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 27.5a (TA) 82mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V 1680 pf @ 25 V -
1N914B_S00Z onsemi 1N914B_S00Z -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914B Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
NDD03N40Z-1G onsemi NDD03N40Z-1G -
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NDD03 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 400 V 2.1a (TC) 10V 3.4ohm @ 600 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 6.6 NC @ 10 V ± 30V 140 pf @ 50 V - 37W (TC)
P1086 onsemi P1086 -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) P1086 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 45pf @ 15V 30 V 10 Ma @ 20 V 10 V @ 1 µA 75 ohmios
NHP0620PFST3G onsemi NHP0620PFST3G 0.3197
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo NHP0620 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NHP0620PFST3GTR EAR99 8541.10.0080 5,000
FDW2511NZ onsemi FDW2511NZ -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 7.1A 20mohm @ 7.1a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 17.3nc @ 4.5V 1000pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NSVMMUN2135LT1G onsemi Nsvmmun2135lt1g 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMUN2135 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 2.2 kohms 47 kohms
FSBB10CH120DF onsemi FSBB10CH120DF 38.5800
RFQ
 ECAD 3077 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 3 Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBB10 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 3 fase 10 A 1.2 kV 2500 VRMS
FDG6308P onsemi FDG6308P -
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6308 Mosfet (Óxido de metal) 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 600mA 400mohm @ 600mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 2.5nc @ 4.5V 153pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MURA205T3G onsemi MURA205T3G 0.5300
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA MURA205 Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 940 MV @ 2 A 30 ns 2 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
NTHS4166NT1G onsemi Nths416666nt1g 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHS4166 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 4.9a, 10v 2.3V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 900 pf @ 15 V - 800MW (TA)
MMPQ3904R1 onsemi MMPQ3904R1 1.3300
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MMPQ3904 1W 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2832-MMPQ3904R1TR EAR99 8541.21.0080 189 40V 200 MMA 50NA 4 NPN (Quad) 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 75 @ 10mA, 1V 250MHz
NTB30N20G onsemi NTB30N20G -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB30 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 30A (TA) 10V 81mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 30V 2335 pf @ 25 V - 2W (TA), 214W (TC)
NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi Ntljs7d2p02p8ztag 0.8700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-PowerWDFN Ntljs7 Mosfet (Óxido de metal) 6-PQFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 7.9a (TA) 2.5V, 4.5V 9mohm @ 10a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 26.7 NC @ 4.5 V ± 8V 2790 pf @ 10 V - 860MW (TA)
HUF75637S3S onsemi HUF75637S3S -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
NTB75N06T4G onsemi NTB75N06T4G -
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 75A (TA) 10V 9.5mohm @ 37.5a, 10V 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 4510 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 214W (TJ)
BZX55C16_T50R onsemi BZX55C16_T50R -
RFQ
 ECAD 8199 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C16 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
RS1G onsemi Rs1g 0.4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
FDN360P-NBGT003B onsemi FDN360P-NBGT003B -
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN360 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 2a (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 2a, 10v 3V @ 250 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 298 pf @ 15 V - 500MW (TA)
FDS4465-PG onsemi FDS4465-PG -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDS4465-PGTR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 13.5a (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 120 NC @ 4.5 V ± 8V 8237 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
FDPF8N50NZF onsemi FDPF8N50NZF -
RFQ
 ECAD 2140 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 7a (TC) 10V 1ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 25V 735 pf @ 25 V - 40W (TC)
BC857AMTF onsemi Bc857amtf -
RFQ
 ECAD 2602 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
NTD4857NAT4G onsemi Ntd4857nat4g -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD48 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 12A (TA), 78A (TC) 5.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V 1960 pf @ 12 V - -
NVMFS5C680NLT1G onsemi Nvmfs5c680nlt1g 1.0800
RFQ
 ECAD 1639 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 8.1a (TA), 21a (TC) 4.5V, 10V 27.5mohm @ 7.5a, 10V 2.2V @ 13 µA 5.8 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 3.4W (TA), 24W (TC)
NVMFWS021N10MCLT1G onsemi NVMFWS021N10MCLT1G 0.4169
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVMFWS021N10MCLT1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 8.4a (TA), 31a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10v 3V @ 42 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 50 V - 3.6W (TA), 49W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar