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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RM100N60T7 Rectron USA RM100N60T7 0.6800
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM100N60T7 8541.10.0080 1.800 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4800 pf @ 30 V - 170W (TC)
R2000F-T Rectron USA R2000F-T 0.0550
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R2000F-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 4 V @ 200 Ma 500 ns 5 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
RS1004MLS Rectron USA Rs1004mls 0.7800
RFQ
 ECAD 3573 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, Rs-10mls Estándar Rs-10mls descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS1004mls EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 5 a 200 na @ 400 V 10 A Fase única 400 V
RM3401Y Rectron USA RM3401Y 0.0460
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-rm3401ytr 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 4.2a (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA ± 12V 880 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
RM5N800TI Rectron USA RM5N800TI 0.6700
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 30V 1320 pf @ 50 V - 32.4W (TC)
RM150N100T2 Rectron USA RM150N100T2 0.8400
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM150N100T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 100 V 150A (TC) 10V 4.2mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA +20V, -12V 6680 pf @ 50 V - 275W (TC)
RM2308 Rectron USA RM2308 0.0690
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2308TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 3a (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10v 1.9V @ 250 µA ± 20V 247 pf @ 30 V - 1.7w (TA)
RM2304 Rectron USA RM2304 0.0450
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2304TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 30 V 3.6a (TA) 4.5V, 10V 58mohm @ 3.6a, 10V 2.2V @ 250 µA ± 20V 230 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
KMD150S Rectron USA KMD150S 0.3800
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Schottky MD-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-kmd150str EAR99 8541.10.0080 24,000 850 MV @ 1 A 200 µA @ 150 V 1 A Fase única 150 V
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0.2900
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3190 pf @ 25 V - 66W (TC)
RM35P100T2 Rectron USA RM35P100T2 0.4700
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM35P100T2 8541.10.0080 5,000 Canal P 100 V 35A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 6516 pf @ 25 V - 104W (TC)
RM4N650IP Rectron USA RM4N650IP 0.3300
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N650IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 280 pf @ 50 V - 46W (TC)
FM4004-W Rectron USA FM4004-W 0.0350
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM4004-WTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM5A1P30S6 Rectron USA RM5A1P30S6 0.0760
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5A1P30S6TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 5.1a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 4a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 1280 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
DB105 Rectron USA DB105 0.3400
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) Estándar DB-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-DB105 EAR99 8541.10.0080 2.500 1 V @ 1 A 1 µA @ 600 V 1 A Fase única 600 V
1N4007 Rectron USA 1N4007 0.0300
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 RECTRON USA Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-1N4007TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 200 na @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM6N800IP Rectron USA RM6N800IP 0.7000
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6N800IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 800 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 1290 pf @ 50 V - 98W (TC)
RM2303 Rectron USA RM2303 0.0450
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2303TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V 2a (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 226 pf @ 15 V - 1W (TA)
1N4007G-T Rectron USA 1N4007G-T 0.0280
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1N4007G-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 200 na @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM50N60T2 Rectron USA RM50N60T2 0.2400
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2050 pf @ 30 V - 85W (TC)
1F10 Rectron USA 1f10 0.0550
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-1, axial Estándar R-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1F10TR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
RM2A8N60S4 Rectron USA RM2A8N60S4 0.1100
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2A8N60S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 2.8a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 715 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
RM140N150T2 Rectron USA RM140N150T2 1.5100
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM140N150T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 150 V 140A (TC) 10V 6.2mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 5900 pf @ 75 V - 320W (TC)
RM75N60LD Rectron USA RM75N60LD 0.2900
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM75N60LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 11.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 2350 pf @ 25 V - 110W (TC)
4RS103M Rectron USA 4RS103M 0.4000
RFQ
 ECAD 4041 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1M Estándar RS-1M - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-4RS103M EAR99 8541.10.0080 5,280 1.1 v @ 4 a 2 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
RM180N100T2 Rectron USA RM180N100T2 1.5100
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM180N100T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 3mohm @ 100a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 20V 1150 pf @ 50 V - 300W (TC)
FM1800W Rectron USA FM1800W 0.0420
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM1800WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 2 V @ 500 Ma 5 µA @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 35pf @ 4V, 1MHz
RM2N650LD Rectron USA RM2N650LD 0.3000
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2N650LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 650 V 2a (TC) 10V 2.5ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 190 pf @ 50 V - 23W (TC)
DTC123JKA Rectron USA Dtc123jka 0.0410
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-dtc123jkatr EAR99 8541.10.0080 30,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 46.2 kohms
RM9926 Rectron USA RM9926 0.0840
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM99 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40,000 2 Canal N (Dual) 20V 6a (TA) 28mohm @ 6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 10NC @ 4.5V 640pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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