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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
RM4606S8 Rectron USA RM4606S8 0.1100
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM4606 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4606S8TR 8541.10.0080 40,000 Vecino del canal 30V 6.5a (TA), 7a (TA) 30mohm @ 6a, 10v, 33mohm @ 6.5a, 10v 3V @ 250 µA, 2.5V @ 250 µA 13NC @ 10V, 9.2NC @ 10V 255pf @ 15V, 520pf @ 15V -
RMA4N60092 Rectron USA RMA4N60092 0.1400
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RMA4N60092TR 8541.10.0080 10,000 N-canal 600 V 400 mA (TC) 10V 8.5ohm @ 200 MMA, 10V 5V @ 250 µA ± 30V 130 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
RL1N1500F Rectron USA RL1N1500F 0.0380
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Axial Estándar A-405 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RL1N1500FTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1500 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
R1500G Rectron USA R1500G 0.0550
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R1500GTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.2 V @ 1.5 A 3 µs 2 µA @ 1500 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
RM2333 Rectron USA RM2333 0.0520
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2333TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 12 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 1100 pf @ 6 V - 1.8w (TA)
FM340-W Rectron USA FM340-W 0.1200
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM340-WTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 550 MV @ 3 A 6 ns 60 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
2N7002KS6 Rectron USA 2N7002KS6 0.0430
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 350MW (TA) Sot-363-6l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002KS6TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal N (Dual) 60V 250 mA (TA) 5ohm @ 500 mA, 10V 1.9V @ 250 µA - - -
FM4006-W Rectron USA FM4006-W 0.0350
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM4006-WTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 V @ 1 A 500 na @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM4077S8 Rectron USA RM4077S8 0.2600
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM4077 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TC) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4077S8TR 8541.10.0080 40,000 Vecino del canal 40V 6.7a (TC), 7.2a (TC) 32mohm @ 5a, 10v, 40mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 5.6nc @ 4.5V, 16nc @ 4.5V 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V -
RM40N40D3 Rectron USA RM40N40D3 0.1540
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM40N40D3TR 8541.10.0080 25,000 N-canal 40 V 40A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2229 pf @ 20 V - 27W (TC)
RM80N80T2 Rectron USA RM80N80T2 0.5200
RFQ
 ECAD 3910 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N80T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 80 V 80a (TA) 10V 8.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4100 pf @ 25 V - 170W (TA)
RM20N650TI Rectron USA RM20N650TI 1.0400
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 33W (TC)
RM12N650LD Rectron USA RM12N650LD 0.5400
RFQ
 ECAD 1516 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N650LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 870 pf @ 50 V - 101W (TC)
1F12 Rectron USA 1f12 0.0550
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-1, axial Estándar R-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-1F12TR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
FFM1800W Rectron USA FFM1800W 0.0420
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FFM1800WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1800 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
RM1505S Rectron USA RM1505S 0.3900
RFQ
 ECAD 3397 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM1505STR 8541.10.0080 40,000 N-canal 150 V 5.1a (TA) 10V 65mohm @ 5.1a, 10V 4.5V @ 250 µA ± 20V 730 pf @ 75 V - 3W (TA), 5W (TC)
R3000G Rectron USA R3000g 0.0880
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R3000GTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 3000 V 3 V @ 200 Ma 5 µA @ 3000 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA 30pf @ 4V, 1 MHz
EDB102 Rectron USA EDB102 0.5400
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-edip (0.321 ", 8.15 mm) Estándar DB-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-edb102 EAR99 8541.10.0080 15,000 1.05 v @ 1 a 5 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
RM130N100T2 Rectron USA RM130N100T2 0.6900
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM130N100T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 100 V 130A (TC) 10V 5.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA ± 20V 4570 pf @ 25 V - 120W (TC)
3SSL60L-W Rectron USA 3SSL60L-W 0.0570
RFQ
 ECAD 9606 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Schottky SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-3SSL60L-WTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 620 MV @ 3 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1 MHz
RM180N60T2 Rectron USA RM180N60T2 0.7300
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM180N60T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 180A (TC) 10V 2.9mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4500 pf @ 30 V - 220W (TC)
RM35P30LDV Rectron USA RM35P30LDV 0.1980
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM35P30LDVTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1345 pf @ 15 V - 40W (TC)
RM40P40LD Rectron USA RM40P40LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM40P40LDTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 40 V 40A (TC) 10V 14mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 2960 pf @ 20 V - 80W (TC)
RM8N650T2 Rectron USA RM8N650T2 0.5200
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8N650T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 8a (TC) 10V 450mohm @ 4a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 80W (TC)
FM4001W-W Rectron USA FM4001W-W 0.0350
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM4001W-WTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM17N800TI Rectron USA RM17N800TI 1.5300
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM17N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 320mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 2060 pf @ 50 V - 35W (TC)
RM8N700IP Rectron USA RM8N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8N700IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 700 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 590 pf @ 50 V - 69W (TC)
FFM1600W Rectron USA FFM1600W 0.0420
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FFM1600WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
RS205M Rectron USA Rs205m 0.5500
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-2M Estándar RS-2M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS205M EAR99 8541.10.0080 2.700 1.05 v @ 2 a 200 na @ 600 V 2 A Fase única 600 V
BSS127 Rectron USA BSS127 0.0390
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-BSS127TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 600 V 21 Ma (TA) 4.5V, 10V 500ohm @ 16 Ma, 10v 2.6V @ 8 µA ± 20V 28 pf @ 25 V - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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