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Productos de semiconductoros discretos (885)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)
FM4001W-W	0.0350	RFQ	4513	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		Smx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-FM4001W-WTR	EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													1.1 v @ 1 a		5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
RM17N800TI	1.5300	RFQ	5642	RECTRON USA	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RM17N800TI		8541.10.0080	5,000			N-canal	800 V	17a (TC)	10V	320mohm @ 8.5a, 10v	4V @ 250 µA		± 30V	2060 pf @ 50 V	-	35W (TC)
RM8N700IP	0.4700	RFQ	6594	RECTRON USA	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak		Mosfet (Óxido de metal)		Un 251	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RM8N700IP		8541.10.0080	4.000			N-canal	700 V	8a (TC)	10V	600mohm @ 4a, 10v	4V @ 250 µA		± 30V	590 pf @ 50 V	-	69W (TC)
FFM1600W	0.0420	RFQ	6449	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		Smx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-FFM1600WTR	EAR99	8541.10.0080	60,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1600 V	1.8 V @ 500 Ma	300 ns	5 µA @ 1600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	15pf @ 4V, 1 MHz
Rs205m	0.5500	RFQ	7835	RECTRON USA	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, RS-2M		Estándar		RS-2M	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RS205M	EAR99	8541.10.0080	2.700															1.05 v @ 2 a		200 na @ 600 V		2 A		Fase única	600 V
BSS127	0.0390	RFQ	5738	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-BSS127TR		8541.10.0080	30,000			N-canal	600 V	21 Ma (TA)	4.5V, 10V	500ohm @ 16 Ma, 10v	2.6V @ 8 µA		± 20V	28 pf @ 25 V	-	500MW (TA)
Rs406m	0.7800	RFQ	3616	RECTRON USA	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, RS-4M		Estándar		RS-4M	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RS406M	EAR99	8541.10.0080	1.800															1.05 v @ 4 a		5 µA @ 800 V		4 A		Fase única	800 V
RM8A5P60S8	0.2900	RFQ	4571	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)		8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RM8A5P60S8TR		8541.10.0080	40,000			Canal P	60 V	8.5A (TC)	4.5V, 10V	30mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA		± 20V	3900 pf @ 25 V	-	4.1W (TC)
RBU1502M	0.7900	RFQ	4410	RECTRON USA	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-sip, RBU		Estándar		RBU	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RBU1502M	EAR99	8541.10.0080	2,000															1 V @ 7.5 A		500 na @ 100 V		15 A		Fase única	100 V
FFM201-W	0.0700	RFQ	3875	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-FFM201-WTR	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													1.3 v @ 2 a	150 ns	2 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	50pf @ 4V, 1 MHz
RM3407	0.1200	RFQ	7167	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RM3407TR		8541.10.0080	12,000			Canal P	30 V	4.3a (TA)	4.5V, 10V	52mohm @ 4a, 10v	3V @ 250 µA		± 20V	700 pf @ 15 V	-	1.5W (TA)
Mp36	2.2000	RFQ	4737	RECTRON USA	-	Banda	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, MP-35		Estándar		MP-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-MP356	EAR99	8541.10.0080	400															1.05 V @ 17.5 A		500 na @ 600 V		35 A		Fase única	600 V
RM2004NE	0.0900	RFQ	9814	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-23-6	RM2004	Mosfet (Óxido de metal)	1.25W (TA)	Sot-23-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-rm2004netr		8541.10.0080	30,000	2 Canal N (Dual)			20V	6a (TA)		24mohm @ 6a, 10v	1V @ 250 µA	8NC @ 4.5V		650pf @ 10V	-
RM2310	0.0600	RFQ	4745	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RM2310TR		8541.10.0080	30,000			N-canal	60 V	3a (TA)	4.5V, 10V	105mohm @ 3a, 10v	1.9V @ 250 µA		± 20V	247 pf @ 30 V	-	1.7w (TA)
RM4953	0.0880	RFQ	8727	RECTRON USA	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	RM495	Mosfet (Óxido de metal)	2.5W (TA)	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	2516-RM4953TR		8541.10.0080	40,000	2 Canal P (Dual)			30V	5.1a (TA)		55mohm @ 5.1a, 10V	3V @ 250 µA	11NC @ 10V		520pf @ 15V	-