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Productos de semiconductoros discretos (885)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz)
MDA202G Rectron USA MDA202G 0.5500
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-1 Estándar RS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MDA202G EAR99 8541.10.0080 4.800 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
UMB2F Rectron USA UMB2F 0.3800
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Plomo Plano Estándar 4-SOF2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-tumb2ftr EAR99 8541.10.0080 48,000 1.1 V @ 400 Ma 5 µA @ 200 V 500 mA Fase única 200 V
RBU1506M Rectron USA RBU1506M 0.7900
RFQ
 ECAD 2300 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU1506M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 7.5 A 500 na @ 800 V 15 A Fase única 800 V
RM50P40LD Rectron USA RM50P40LD 0.2300
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50P40LDTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 40 V 52a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3500 pf @ 15 V - 52.1W (TC)
RC207 Rectron USA RC207 0.4400
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, RC-2 Estándar RC-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RC207 EAR99 8541.10.0080 6,000 1.05 v @ 2 a 200 na @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
RS3507MH Rectron USA Rs3507mh 1.7500
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, Rs-35m Estándar Rs-35m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS3507MH EAR99 8541.10.0080 1.200 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
RS603M Rectron USA Rs603m 0.9800
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, Rs-6m Estándar Rs-6m descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RS603M EAR99 8541.10.0080 2.400 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
MP154 Rectron USA MP154 1.8500
RFQ
 ECAD 9124 0.00000000 RECTRON USA - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, MP-15 Estándar MP-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-MP154 EAR99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 7.5 A 500 na @ 400 V 15 A Fase única 400 V
RBU401M Rectron USA RBU401M 0.7900
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-sip, RBU Estándar RBU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RBU401M EAR99 8541.10.0080 2,000 1 v @ 4 a 1 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
RM21N650TI Rectron USA RM21N650TI 1.2500
RFQ
 ECAD 1150 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM21N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 21a (TC) 10V 180mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 2600 pf @ 50 V - 33.8W (TC)
RM48N100D3 Rectron USA RM48N100D3 0.2980
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM48N100D3TR 8541.10.0080 25,000 N-canal 100 V 48a (TC) 4.5V, 10V 13.6mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA +20V, -12V 3280 pf @ 50 V - 61W (TC)
MMSZ4692T Rectron USA Mmsz4692t 0.0400
RFQ
 ECAD 9101 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% - Montaje en superficie SC-79, SOD-523 300 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2516-MMSZ4692TTR EAR99 8541.10.0080 8,000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 5.1 V 6.8 V
RM4503S8 Rectron USA RM4503S8 0.1900
RFQ
 ECAD 1978 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM4503 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4503S8TR 8541.10.0080 40,000 Vecino del canal 30V 10a (TA), 9.1a (TA) 10mohm @ 10a, 10v, 20mohm @ 9.1a, 10v 3V @ 250 µA 13NC @ 4.5V, 30NC @ 10V 1550pf @ 15V, 1600pf @ 15V -
RM2301E Rectron USA RM2301E 0.0410
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2301 8541.10.0080 30,000 Canal P 20 V 2.6a (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 10V 325 pf @ 10 V - 1W (TA)
FM2000 Rectron USA FM2000 0.0490
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM2000TR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 2 µA @ 2000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RM2N650IP Rectron USA RM2N650IP 0.3000
RFQ
 ECAD 7388 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2N650IP 8541.10.0080 40,000 N-canal 650 V 2a (TC) 10V 2.5ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 190 pf @ 50 V - 23W (TC)
R1500 Rectron USA R1500 0.0310
RFQ
 ECAD 1136 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R1500TR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 1500 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
4RS202M Rectron USA 4RS202M 0.5200
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RS-2M Estándar RS-2M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-4RS202M EAR99 8541.10.0080 3.600 1.1 v @ 4 a 2 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
FR106-T Rectron USA FR106-T 0.0250
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FR106-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
R2000-T Rectron USA R2000-T 0.0480
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R2000-TTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1.3 V @ 1 A 5 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
FFM1500W Rectron USA FFM1500W 0.0420
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FFM1500WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.8 V @ 500 Ma 300 ns 5 µA @ 1500 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 15pf @ 4V, 1 MHz
RM2003 Rectron USA RM2003 0.0620
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 RM200 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2003TR 8541.10.0080 30,000 Vecino del canal 20V 3a (TA) 35mohm @ 3a, 4.5V, 75mohm @ 2.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA, 1V @ 250 µA 5NC @ 4.5V, 3.2NC @ 4.5V 260pf @ 10V, 325pf @ 10V -
RM25N30DN Rectron USA RM25N30DN 0.1400
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM25N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 25A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1530 pf @ 15 V - 25W (TC)
2N7002KA Rectron USA 2n7002ka 0.0420
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002KATR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 225MW (TA)
R4000F Rectron USA R4000F 0.1300
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-R4000FTR EAR99 8541.10.0080 20,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 4000 V 6.5 V @ 200 Ma 500 ns 5 µA @ 4000 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 30pf @ 4V, 1 MHz
RM8N650IP Rectron USA RM8N650IP 0.5200
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8N650IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 650 V 8a (TC) 10V 540mohm @ 4a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 80W (TC)
FM1200W Rectron USA FM1200W 0.0420
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM1200WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2 V @ 500 Ma 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 35pf @ 4V, 1MHz
RM138 Rectron USA RM138 0.0320
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM138TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 50 V 220 Ma (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.4V @ 250 µA ± 20V 27 pf @ 25 V - 350MW (TA)
FM1500W Rectron USA FM1500W 0.0420
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar Smx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-FM1500WTR EAR99 8541.10.0080 60,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1500 V 2 V @ 500 Ma 5 µA @ 1500 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 35pf @ 4V, 1MHz
RC206 Rectron USA RC206 0.4400
RFQ
 ECAD 4944 0.00000000 RECTRON USA - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, RC-2 Estándar RC-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RC206 EAR99 8541.10.0080 6,000 1.05 v @ 2 a 200 na @ 800 V 2 A Fase única 800 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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