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Productos de semiconductorores discretos (455)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR2506 | 2.7800 |  | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| RBV3506 | 2.8100 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3506 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| KBL410 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL410 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| 1N5359B | 0.1150 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5359BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
| 1N5359A | 0.1330 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5359ATR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 17.3 V | 24 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
| 1N4731Abulk | 0.1300 | | 12 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1n4731abulk | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | ||||||||||||
| 1N4753AT/R | 0.0600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4753AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||
| 1N4751A | 0.1800 | | 29 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4751A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | ||||||||||||
| BR1002 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1002 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| 1N5397BULK | 0.1800 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5397BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 A @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| 1n5819bulk | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5819 | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5819BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BR3500 | 2.6600 | | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
| HER107BULK | 0.2400 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER107BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR2501 | 2.7400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2501 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||
 | 1N5226BBULK | 0.1800 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5226BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | ||||||||||||
| 1N5949BT/R | 0.1300 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5949BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | |||||||||||||
| RBV1508 | 1.6000 | | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1508 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| AR3504 | 0.3100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | Automotor | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | Botón de Microdo | Estándar | Botón de Microdo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-AR3504 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 35 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||
| BR3504W | 2.5900 | | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-50W | Estándar | BR-50W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR3504W | 8541.10.0000 | 40 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| 1N757AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N757AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
| BR2502 | 2.6300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2502 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| BR1006 | 0.9800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1006 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1006 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| FBR5006 | 4.4000 | | 599 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FBR5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1.3 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| 1N5395T/R | 0.0400 | | 35 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5395T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| 1N4738AT/R | 0.0500 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4738AT/R | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||
| 1N4749BULK | 0.1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4749BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||
| RBV1502 | 1.5100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| RBV1504 | 1.9000 | | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| RBV806 | 1.2500 | | 100 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV806 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 600 V | 8 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| RBV5004 | 3.0000 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5004 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 400 V | 50 A | Fase única | 400 V |
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