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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1n5394bulk | 0.1800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5394BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N5251BT/R | 0.0400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5251BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | ||||||||||||
![]() | 10HCB | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-10HCBTR | 8541.10.0000 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BR606 | 0.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br606 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 6 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
![]() | 1N4007W | 0.0670 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4007WTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4972 | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4972 | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 29.7 V | 39 V | 14 ohmios | ||||||||||||
![]() | RBV2510 | 2.3100 | ![]() | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
![]() | RBV3504 | 2.3100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
![]() | SB390 | 0.1338 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SB390TR | 8541.10.0000 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 790 MV @ 3 A | 500 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | KBP208 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp208 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
![]() | HES301T/R | 0.1500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER301T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5349BBULK | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5349BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 9.1 V | 12 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | HER104T/R | 0.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER104T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Rm11b-bulk | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | D-2, axial | Estándar | D2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-rm11b-bulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 920 MV @ 1.5 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.2a | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | KBL400 | 1.0000 | ![]() | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-KBL400 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 50 V | 4 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | Sf56-bulk | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF56-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RBV600 | 0.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV600 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
![]() | 1n5381bbulk | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5381BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 190 ohmios | ||||||||||||
![]() | BR604 | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br604 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 400 V | 6 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
![]() | RBV1006 | 1.4600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1006 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
![]() | Fr306bulk | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR306BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5403BULK | 0.1800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5403BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4732AT/R | 0.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4732AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||
![]() | BR1504 | 2.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
![]() | FR302T/R | 0.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR302T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N914T/R | 0.0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N914T/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 75 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4733BULK | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4733BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5932BT/R | 0.0500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5932BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5819ST/R | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5819 | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5819ST/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1n5392bulk | 0.1800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5392BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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