SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Corriente - Salida Máxima Voltaje - Ruptura Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Real - ruptura
SF13-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Sf13-bulk 0.2100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-SF13-BULK 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
FR101BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr101bulk 0.2100
RFQ
ECAD 39 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-FR101BULK 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
10A07H EIC SEMICONDUCTOR INC. 10a07h 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero D-6, axial Estándar D6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-10A07HTR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 10 A 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A 80pf @ 4V, 1 MHz
1N5394T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5394T/R 0.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5394T/RTR 8541.10.0000 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
D32BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. D32bulk 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Axial M1A descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-d32bulk 8541.10.0000 500 2 A 27 ~ 37V 100 µA
1N4735A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4735A 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Caja Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N4735A 8541.10.0000 1,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.2 V 2 ohmios
MURA110 EIC SEMICONDUCTOR INC. MURA110 0.8500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-mura110 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 875 MV @ 1 A 30 ns 2 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
FEPF16DT EIC SEMICONDUCTOR INC. Fepf16dt 1.6600
RFQ
ECAD 530 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-fepf16dt 8541.10.0000 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1 MHz
HER104BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her104bulk 0.2400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-HER104BULK 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.1 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
BR608 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR608 0.8900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, BR-6 Estándar BR-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-Br608 8541.10.0000 200 1 v @ 3 a 10 µA @ 800 V 6 A Fase única 800 V
1N5225BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5225BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5225BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 50 µA @ 1 V 3 V 29 ohmios
RM11A-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Rm11a-bulk 0.1900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero D-2, axial Estándar D2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-rm11a-bulk 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 920 MV @ 1.5 A 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.2a 30pf @ 4V, 1 MHz
SZ6015 EIC SEMICONDUCTOR INC. SZ6015 0.1052
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 5 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-SZ6015TR 8541.10.0000 3.000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 10.8 V 15 V 2.5 ohmios
1N5915BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5915BBULK 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5915BBULK 8541.10.0000 500 25 µA @ 1 V 3.9 V 7.5 ohmios
1N5401BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1n5401bulk 0.1800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5401BULK 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 3 A 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
SR1R EIC SEMICONDUCTOR INC. SR1R 0.2500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-SR1RTR 8541.10.0000 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2000 V 3 V @ 500 Ma 200 ns 5 µA @ 2000 V -40 ° C ~ 150 ° C 500mA 5PF @ 4V, 1MHz
1N5253BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5253BT/R 0.0400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5253BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 19 V 25 V 35 ohmios
1N4935BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4935BULK 0.1800
RFQ
ECAD 51 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N4935BULK 8541.10.0000 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BY550-1000G EIC SEMICONDUCTOR INC. By550-1000g 0.9100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-by550-1000g 8541.10.0000 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 5 a 20 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
RBV800 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV800 1.0900
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RBV-25 Estándar RBV-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-RBV800 8541.10.0000 100 1 v @ 4 a 10 µA @ 50 V 8 A Fase única 50 V
BY299BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. By299bulk 0.2300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-by299bulk 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 10 µA @ 800 V -50 ° C ~ 125 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
1N5236BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5236BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5236BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
SB3B0-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. SB3B0-T/R 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-SB3B0-T/RTR 8541.10.0000 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 3 A 500 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N5260BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5260BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5260BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 33 V 43 V 93 ohmios
FR304BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr304bulk 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-FR304BULK 8541.10.0000 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N5241BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5241BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5241BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22 ohmios
1N5245BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1n5245bbulk 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5245BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
1N746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1n746abulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1n746abulk 8541.10.0000 500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
Z1150-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1150-T/R 0.0980
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-Z1150-T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 114 V 150 V 1000 ohmios
1N5231BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5231BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo ± 5% 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2439-1N5231BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock