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Productos de semiconductorores discretos (455)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KBL404 | 1.1300 |  | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL404 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| BR3504W | 2.5900 | | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-50W | Estándar | BR-50W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR3504W | 8541.10.0000 | 40 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
 | 1N757AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N757AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
| BR3500 | 2.6600 | | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
| BR2502 | 2.6300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2502 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
| BR1006 | 0.9800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1006 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1006 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| FBR5006 | 4.4000 | | 599 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FBR5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1.3 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||
| BR2501 | 2.7400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2501 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||
| RBV1508 | 1.6000 | | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1508 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| RBV1502 | 1.5100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| RBV1504 | 1.9000 | | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| RBV5006 | 3.0000 | | 400 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5006 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| RBV806 | 1.2500 | | 100 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV806 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 600 V | 8 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| RBV5004 | 3.0000 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5004 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 400 V | 50 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| RBV802 | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV802 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 200 V | 8 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| SML4728-T/R | 0.0900 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SML4728-T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||
| 1N5359B | 0.1150 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5359BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
| Z1200-T/R | 0.0400 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-Z1200-T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 152 V | 200 V | 1900 ohmios | |||||||||||
| 1N5338A | 0.4100 | | 9 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5338A | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||
| HER107BULK | 0.2400 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER107BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1n749abulk | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N749Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||
| KBL410 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL410 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| FR103T/R | 0.0400 | | 35 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR103T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1500 | 2.3400 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 50 V | 15 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
| BR804 | 0.9200 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br804 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
| SK15 | 0.1600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-sk15tr | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
| BR1001 | 0.9500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1001 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1001 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 100 V | 10 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
 | HER305BULK | 0.2600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER305BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1002 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | BR1002 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 200 V | 10 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| Fr303bulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR303BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz |
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