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Productos de semiconductorores discretos (455)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4752AT/R | 0.0600 |  | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4752AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | |||||||||||
| RBV3506 | 2.8100 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3506 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
| 1N4738T/R | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4738T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||
| RBV2501 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2501 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | ||||||||||
| 1N4759AT/R | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4759AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | |||||||||||
| 1N4744 | 0.0350 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4744TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||
| 1N5818T/R | 0.1000 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5818T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| RBV5008 | 3.9300 | | 620 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| 1n5377abulk | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n5377abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 65.5 V | 91 V | 75 ohmios | |||||||||||
| BR5006W | 3.7500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-50W | Estándar | BR-50W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5006W | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| 1N5343B | 0.2590 | | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5343BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | |||||||||||
| 1n5361abulk | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5361Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19.4 V | 27 V | 5 ohmios | |||||||||||
| BR2500 | 2.5400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
| 1N5340B | 0.2160 | | 24 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5340BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1 ohmios | |||||||||||
| KBP201 | 0.8000 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp201 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | ||||||||||
| Rm11c-bulk | 0.2000 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | D-2, axial | Estándar | D2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-rm11c-bulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 920 MV @ 1.5 A | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.2a | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| Fr103bulk | 0.2100 | | 38 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR103BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5949BT/R | 0.1300 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5949BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | ||||||||||||
| BR1510 | 2.6600 | | 450 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1510 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
 | 1N5822T/R | 0.3700 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5822T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||
| RBV3502 | 1.6800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 200 V | 35 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| Hvr320bulk | 0.7500 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HVR320BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 2.2 v @ 3 a | 10 µA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 36pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| KBP210 | 0.8500 | | 200 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-kbp210 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| FBR804 | 1.3800 | | 200 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FBR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1.3 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| RBV3508 | 2.8100 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV3508 | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| RBV1510 | 1.6100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
 | 1n5246bbulk | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5246BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||
| 1N749AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N749AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||
| 1N5397BULK | 0.1800 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5397BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 A @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| Fr105bulk | 0.2100 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR105BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz |
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