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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | GSF0500AT | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 50 V | 360MA (TA) | 2.5V, 10V | 1.6ohm @ 500 mA, 10V | 1.5V @ 250 µA | 4.7 NC @ 10 V | ± 20V | 27 pf @ 25 V | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF6670 | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 4.000 | 2 Canal | 60V | 3.5a | 90mohm @ 3a, 10v | 3V @ 250 µA | 7NC @ 4.5V | 500pf @ 25V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B8V2 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 150 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFU6522 | 2.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-GSFU6522 | EAR99 | 8541.21.0080 | 50 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 2100 pf @ 100 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3912 | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6.5a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 1.56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FH6 | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Estándar | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4739A | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB10M | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.200 ", 5.08 mm) | Estándar | Mbm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-mb10m | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 1000 V | 500 mA | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4684 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101, SMSZ4XXX | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.15% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS36 | 0.4900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | Schottky | SMAF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 3 A | 500 na @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 234pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDB5819WS | 0.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 120pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSRB751S-40 | 0.1500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Schottky | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 370 MV @ 1 MA | 500 na @ 30 V | 125 ° C | 30mera | 2pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGT15140 | 2.9400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 800 | N-canal | 150 V | 140A (TC) | 10V | 7.2mohm @ 70a, 10v | 4V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 75 V | - | 320W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5245B | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Mmsz52xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFK9120 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | 275MW (TC) | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N y p-canal complementario | 20V | 800MA (TC), 400 mA (TC) | 300mohm @ 500 mA, 4.5V, 600mohm @ 300 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10V, 78pf @ 10V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54A | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 30 V | 200 MMA | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD0982 | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 2145 pf @ 50 V | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B9V1 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 150 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ3712 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5W (TC) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N y p-canal complementario | 30V | 8A (TC), 5.5A (TC) | 20mohm @ 8a, 10v, 50mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V, 7NC @ 4.5V | 500pf @ 25V, 810pf @ 15V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5248b | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Mmbz52xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 500 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR1620CT | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-MOR1620CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 8A | 1 v @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT3904 | 0.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 40V | 200 MMA | 50NA | 2 NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP10140 | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 50 V | - | 192W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sk54 | 0.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 96pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4744A | 0.2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2318E | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6.5a | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1160 pf @ 10 V | - | 1.4w | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbta42 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 300 V | 300 mA | 250NA (ICBO) | NPN | 200 MV @ 2mA, 20 Ma | 100 @ 10mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sk36b | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 3 A | 150 na @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1B | 0.2200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3G | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz |
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