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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSFQ4701 | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5W (TC) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N y p-canal complementario | 40V | 6.7a (TC), 7.2a (TC) | 32mohm @ 5a, 10v, 40mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 5.6nc @ 4.5V, 16nc @ 4.5V | 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V | Estándar | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 70 V | 200 MMA | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB12S | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | Estándar | TO-269AA (MBS) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 20 V | 500 mA | Fase única | 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFN3964 | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Papak (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 64a (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 15 V | - | 44.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC817-40W | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584C6V2 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 150 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ssf6911s | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2a (TC) | 4.5V, 10V | 190mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 615 pf @ 30 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2429 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 35mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 5 V | ± 12V | 1450 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B5V1 | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1.96% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-723 | 100 MW | Sod-723 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCP56-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2220Y | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Mosfet (Óxido de metal) | 312W (TC) | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal | 20V | 800 mA (TC) | 300mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 1NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | Estándar | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2314 | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 4a, 4.5V | - | 11 NC @ 4.5 V | ± 10V | 775 pf @ 10 V | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP6886 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 67W (TC) | 8-PPAK (5.1x5.71) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal | 65V | 45a (TC) | 13mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1890pf @ 30V | Estándar | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFQ6808 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 1.47W (TA), 3.6W (TC) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal | 30V | 5A (TA), 10a (TC) | 34mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 24nc @ 10V | 1720pf @ 30V | Estándar | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFT1060 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 800 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 18mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3300 pf @ 50 V | - | 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF3400 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.6a (TA) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 5.6a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 535 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF2315 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 90mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 10V | 510 pf @ 15 V | - | 312MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFN3908 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Papak (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFQ1504 | 0.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 150 V | 4A (TA) | 10V | 50mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1620 pf @ 80 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPS1100 | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Schottky | SOD-123HS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 1 A | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0240S | 0.3400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Schottky | Sod-323hs | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 2 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFKW0202 | 0.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.9 NC @ 10 V | ± 10V | 280 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGQ6988 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 65 V | 7.4a (TA) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | +20V, -12V | 1300 pf @ 30 V | - | 1.47W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0202 | 0.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.45a (TA) | 1.2V, 4.5V | 300mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2 NC @ 4.5 V | ± 8V | 75 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | LS5B0 | 0.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | Schottky | SMAF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 500 MV @ 50 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 300pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZT2907A | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzt52c11s | 0.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52cxxxs | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.45% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 500 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C12 | 0.1300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzx84cx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.42% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B13 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzx84bx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt2222a | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz |
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