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Productos de semiconductorores discretos (554)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Mmbt3904at	0.1500	RFQ	6	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-523		150 MW	SOT-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0080	3.000																							40 V	200 MA	50NA			NPN	300mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	300MHz
BZX84C20	0.1300	RFQ	6	Semiconductor de Buen Margen	Bzx84cx	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000																	900 MV @ 10 Ma		100 na @ 14 V							20 V	55 ohmios
SSFQ3907	0.5000	RFQ	5	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Mosfet (Óxido de metal)		8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0080	3.000			Canal P	30 V	8a (TC)	4.5V, 10V	23mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1820 pf @ 15 V	-	2.1W (TC)
FSL23S	0.3900	RFQ	6	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123F	Schottky		SOD-123FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													30 V		430 MV @ 2 A		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
BZT52B5V1	0.1300	RFQ	5	Semiconductor de Buen Margen	Bzt52bxxx	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1.96%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000																	900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V							5.1 V	60 ohmios
LS54	0.4700	RFQ	10	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	Schottky		SMAF	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													40 V		500 MV @ 5 A		500 na @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	310pf @ 4V, 1MHz
Sk36	0.4100	RFQ	6	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													60 V		700 MV @ 3 A		150 na @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1 MHz
Sk56b	0.4600	RFQ	6	Semiconductor de Buen Margen	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													60 V		670 MV @ 5 A		150 na @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	96pf @ 4V, 1 MHz
GSFQ6806	0.6600	RFQ	5	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Mosfet (Óxido de metal)	2.1W (TC)	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0080	3.000	2 Canal			60V	20A (TC)		28mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	42NC @ 10V		2440pf @ 20V	Estándar
MBR20100CT	0.5800	RFQ	2	Semiconductor de Buen Margen	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Schottky		ITO-220-AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	4786-MBR20100CT	EAR99	8541.10.0080	50		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												1 par Cátodo Común	100 V	10A			200 na @ 100 V	-
GSBCP53-10	0.4300	RFQ	5	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		1.5 W	SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0080	2.500																							80 V	1 A	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	100MHz
BY500-800	0.3600	RFQ	1	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													800 V		1.35 v @ 5 a	200 ns	10 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 125 ° C	5A	28pf @ 4V, 1MHz
BZT52C6V2	0.1300	RFQ	5	Semiconductor de Buen Margen	Bzt52cxxx	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.45%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000																	900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V							6.2 V	10 ohmios
GSFP08130	1.3900	RFQ	3	Semiconductor de Buen Margen	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	Mosfet (Óxido de metal)		8-PPAK (5.1x5.71)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0080	3.000			N-canal	60 V	130A (TC)	10V	3.5mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	143 NC @ 10 V	+20V, -12V	8265 pf @ 40 V	-	142W (TC)