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Productos de semiconductorores discretos (554)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX784B11 | 0.2400 |  | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-723 | 100 MW | Sod-723 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSFP03602 | 0.7400 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 52W (TC) | 8-PPAK (5x5.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 5,000 | 2 Canal | 30V | 60A (TC) | 7mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23.5nc @ 10V | 1335pf @ 15V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||
 | GSF0304 | 0.3500 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.1a (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 4.1a, 10V | 2.1V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SSFL6912 | 0.3900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 30 V | - | 1.79W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FSL24 | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 430 MV @ 2 A | 1 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | 120pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS716 | 0.2700 | | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Estándar | Sod-523 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.25 v @ 1 ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GBU810 | 0.8300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-GBU810 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 8 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | ES2BA | 0.3900 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 920 MV @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSGC1545SA | 0.5000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | A 277 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 490 MV @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 950pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB210S | 0.4300 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | Schottky | TO-269AA (MBS) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 840 MV @ 2 A | 500 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KBPC1506 | 1.8800 | | 498 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | KBPC15 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, KBPC | Estándar | KBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-KBPC1506 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSFR0603 | 0.4900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6l | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canal P | 60 V | 3.3a (TA) | 4.5V, 10V | 96mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1080 pf @ 30 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | GSRB525F-30 | 0.1900 | | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | Schottky | DFN0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 440 MV @ 10 Ma | 500 na @ 30 V | 150 ° C | 100mA | 7pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GSFC0306 | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.5a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 520 pf @ 15 V | - | 1.56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52B12 | 0.1300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52bxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ssf3611e | 0.5300 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 4.000 | Canal P | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 10a, 10v | 2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3224 pf @ 15 V | - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| MMBT5551 | 0.1200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 100 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SSF6912 | 0.4300 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.9a (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 725 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
| GSFP0356 | 0.4500 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 47W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SSFB3910L | 0.4500 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 30 V | 10A | 4.5V, 10V | 13mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.4 NC @ 4.5 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 2.01W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | GSFN1036 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (3.1x3.05) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 10V | 17.4mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 50 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| SSFP6904 | 0.6600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PPAK (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3050 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SSF02N15 | 0.4800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-canal | 150 V | 1.4a (TC) | 6V, 10V | 480mohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 1.56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Gsbat54at | 0.2400 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Gsbat54xt | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-523 | Schottky | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 30 V | 200 MMA | 500 MV @ 30 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSFK3420 | 0.3800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | 275MW (TC) | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N y p-canal complementario | 30V | 800MA (TC), 400 mA (TC) | 450mohm @ 300mA, 4.5V, 1ohm @ 300 mA, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 5.2NC @ 4.5V, 6.2nc @ 4.5V | 146pf @ 15V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||
| GSPSL34 | 0.4200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Schottky | SOD-123HS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 450 MV @ 2 A | 150 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 210pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SSFD6909 | 0.4300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | Canal P | 60 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 105mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 30 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | MB14S | 0.4200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | Schottky | TO-269AA (MBS) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 0.5 V @ 1 A | 500 µA @ 40 V | 1 A | Fase única | 40 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSFQ3805 | 0.7300 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8.9W (TC) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal P | 30V | 18.4a (TC) | 16mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21NC @ 4.5V | 2510pf @ 15V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||
| SSFD6035 | 0.7200 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | Canal P | 60 V | 26a (TA) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3060 pf @ 30 V | - | 60W (TA) |
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