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Productos de semiconductorores discretos (554)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SSFT04N15 Good-Ark Semiconductor SSFT04N15 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 2.500 N-canal 150 V 4A (TA) 10V 160mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 900 pf @ 25 V - -
SSF2319CJ1 Good-Ark Semiconductor SSF2319CJ1 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOT-523 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 Canal P 20 V 450MA (TC) 1.2V, 4.5V 600mohm @ 300 mA, 4.5V 1V @ 250 µA 1 NC @ 4.5 V ± 8V 40 pf @ 10 V - 312MW
MB110S Good-Ark Semiconductor MB110S 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-269AA, 4-besop Schottky TO-269AA (MBS) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 0.85 v @ 1 a 500 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
BZT52C15 Good-Ark Semiconductor BZT52C15 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen Bzt52cxxx Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
MMBT589 Good-Ark Semiconductor MMBT589 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 30 V 1 A 100na PNP 650MV @ 200MA, 2A 100 @ 500mA, 2V 100MHz
SSF3714 Good-Ark Semiconductor SSF3714 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TC) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 Vecino del canal 30V 4A (TC), 3A (TC) 30mohm @ 4a, 10v, 65mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 250 µA 8NC @ 4.5V 500pf @ 25V Estándar
SSFN3907 Good-Ark Semiconductor SSFN3907 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 Canal P 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 2500 pf @ 15 V - 27W (TC)
SSFQ3905 Good-Ark Semiconductor SSFQ3905 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 Canal P 30 V 10A 4.5V, 10V 15.5mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 14.6 NC @ 4.5 V ± 20V 1730 pf @ 15 V - 2.5w
GSBC817-25 Good-Ark Semiconductor GSBC817-25 0.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
SSF3611E Good-Ark Semiconductor Ssf3611e 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 4.000 Canal P 30 V 12a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10v 2V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3224 pf @ 15 V - 2W (TC)
MMBT5551 Good-Ark Semiconductor MMBT5551 0.1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 100 @ 10mA, 5V 300MHz
SSF6912 Good-Ark Semiconductor SSF6912 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 N-canal 60 V 2.9a (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 725 pf @ 15 V - 1W (TA)
GSFN0232 Good-Ark Semiconductor GSFN0232 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-WFDFN Pad, Mosfet (Óxido de metal) 20W (TC) 6-DFN (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 - 20V 32a (TA) 6.7mohm @ 5.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 30NC @ 4.5V 1180pf @ 15V Estándar
3.0SMBZ15A Good-Ark Semiconductor 3.0SMBZ15A 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 550 MW DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 500 na @ 11.4 V 15 V 9 ohmios
GSF3407 Good-Ark Semiconductor GSF3407 0.3100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 Canal P 30 V 4.1a (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 4.1a, 10V 2.4V @ 250 µA 6.8 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
PZT2222A Good-Ark Semiconductor PZT2222A 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 2.500 40 V 600 mA 10NA NPN 300mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MMBTA06 Good-Ark Semiconductor Mmbta06 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
MMBT4401 Good-Ark Semiconductor MMBT4401 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 40 V 600 mA 100na NPN 1.2v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
GSF3404B Good-Ark Semiconductor GSF3404B 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 N-canal 30 V 5.8a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 5.2 NC @ 10 V ± 20V 255 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
FSL24 Good-Ark Semiconductor FSL24 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Schottky SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 430 MV @ 2 A 1 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A 120pf @ 4V, 1MHz
BZT52B12 Good-Ark Semiconductor BZT52B12 0.1300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen Bzt52bxxx Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 N-canal 30 V 5.5a (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 7 NC @ 4.5 V ± 20V 520 pf @ 15 V - 1.56W (TC)
BZX84B6V2 Good-Ark Semiconductor BZX84B6V2 0.1300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen Bzx84bx Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) 275MW (TC) SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 2 Canal 30V 800 mA (TC) 450mohm @ 300mA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 5.2NC @ 4.5V 146pf @ 15V Estándar
BAS716 Good-Ark Semiconductor BAS716 0.2700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Estándar Sod-523 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1.25 v @ 1 ma 3 µs 5 na @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
GSRB525F-30 Good-Ark Semiconductor GSRB525F-30 0.1900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) Schottky DFN0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 440 MV @ 10 Ma 500 na @ 30 V 150 ° C 100mA 7pf @ 5V, 1 MHz
MMBT596-DV4 Good-Ark Semiconductor MMBT596-DV4 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 25 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 70 mm, 700 mA 110 @ 100mA, 1V 170MHz
GSFN2306 Good-Ark Semiconductor GSFN2306 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 N-canal 20 V 65a (TC) 1.8V, 4.5V 5.4mohm @ 20a, 4.5V 1V @ 250 µA 45 NC @ 4.5 V ± 10V 2790 pf @ 10 V - 44.6W (TC)
GSGN0648 Good-Ark Semiconductor GSGN0648 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0080 3.000 N-canal 65 V 48a (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 30.6 NC @ 10 V +20V, -12V 1890 pf @ 30 V - 42W (TC)
KBPC1506 Good-Ark Semiconductor KBPC1506 1.8800
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 Semiconductor de Buen Margen KBPC15 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, KBPC Estándar KBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4786-KBPC1506 EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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