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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3-13 0.5541
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4011 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMP4011SK3-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14a (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2747 pf @ 20 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
DMN3404L-7-50 Diodes Incorporated DMN3404L-7-50 0.0758
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3404 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN3404L-7-50 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4.2a (TA) 3V, 10V 28mohm @ 5.8a, 10v 2V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 498 pf @ 15 V - 720MW
DMTH3002LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH3002LPSQ-13 0.5592
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) - Alcanzar sin afectado 31-DMTH3002LPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 240a (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 77 NC @ 10 V ± 16V 5000 pf @ 15 V - 1.2W (TA), 136W (TC)
MBR745 Diodes Incorporated MBR745 -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 MBR745 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBR745DI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 840 MV @ 15 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a 400pf @ 4V, 1 MHz
DSC10065 Diodes Incorporated DSC10065 5.1540
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 DSC10 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO220AC (TUPO WX) descascar Alcanzar sin afectado 31-DSC10065 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 10 A 0 ns 250 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 400pf @ 100mv, 1 MHz
PDU340-13 Diodes Incorporated PDU340-13 0.9400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 PDU340 Estándar Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZX84C5V6Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C5V6Q-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
BZT52C6V8-13-G Diodes Incorporated BZT52C6V8-13-G -
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C6V8-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10,000
D3Z2V4BF-7 Diodes Incorporated D3Z2V4BF-7 0.4400
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F D3Z2V4 400 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 50 µA @ 1 V 2.53 V 100 ohmios
BZX84B10Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B10Q-7-F 0.0382
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-BZX84B10Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
DMP4047SSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4047SSDQ-13 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4047 Mosfet (Óxido de metal) 1.3W (TA) 8-SO - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 40V 5.1a (TA) 45mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250 µA 21.5nc @ 10V 1154pf @ 20V -
DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated Dmp2039ufde-7 0.1547
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP2039 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 25 V 6.7a (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 6.4a, 4.5V 1V @ 250 µA 48.7 NC @ 8 V ± 8V 2530 pf @ 15 V - 800MW (TA)
DFLR1600Q-7 Diodes Incorporated DFLR1600Q-7 0.0961
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie PowerDI®123 DFLR1600 Estándar PowerDi ™ 123 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DFLR1600Q-7TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 3 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
G20H120CTW Diodes Incorporated G20H120CTW 0.7600
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-G20H120CTW EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 20A 830 MV @ 10 A 4 µA @ 120 V -55 ° C ~ 175 ° C
DMN6022SSS-13 Diodes Incorporated DMN6022SSS-13 0.2435
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN6022 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN6022SSS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 6.9a (TA) 6V, 10V 29mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 2110 pf @ 30 V - 2.1W (TA)
DDZX10CQ-7 Diodes Incorporated DDZX10CQ-7 -
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2.5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddzx10 300 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DDZX10CQ-7TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 10 V 8 ohmios
GBU808-01-LS Diodes Incorporated GBU808-01-LS 0.5760
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU808 Estándar Gbu - 31-GBU808-01-LS EAR99 8541.10.0080 20 1.2 v @ 8 a 5 µA @ 800 V 8 A Fase única 800 V
GBU30T08_HF Diodes Incorporated GBU30T08_HF 1.5880
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU30 Estándar Gbu - 31-GBU30T08_HF EAR99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 800 V 30 A Fase única 800 V
RDBF256-13 Diodes Incorporated RDBF256-13 0.2272
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables RDBF256 Estándar DBF - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 1.3 V @ 2.5 A 5 µA @ 600 V 2.5 A Fase única 600 V
BZX84C18-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C18-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.39% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BZX84C18-7-F-79TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
PBPC606 Diodes Incorporated PBPC606 -
RFQ
 ECAD 1263 0.00000000 Diodos incorporados - Caja Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, PBPC-6 Estándar PBPC-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3 a 10 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
GBPC2506W Diodes Incorporated GBPC2506W -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2506 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC2506WDI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
GBJ2004-F Diodes Incorporated GBJ2004-F 1.7000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ2004 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1.05 v @ 10 a 10 µA @ 400 V 20 A Fase única 400 V
GBU806-01-LS Diodes Incorporated GBU806-01-LS 0.5760
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU806 Estándar Gbu - 31-GBU806-01-LS EAR99 8541.10.0080 20 1.2 v @ 8 a 5 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
BHDS1100 Diodes Incorporated Bhds1100 -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Bhds11 Schottky HDS descascar Alcanzar sin afectado 31-bhds1100tr EAR99 8541.10.0080 3.000 850 MV @ 1 A 50 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
DFLZ36-7 Diodes Incorporated DFLZ36-7 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie PowerDI®123 DFLZ36 1 W PowerDi ™ 123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
GBPC2501W Diodes Incorporated GBPC2501W -
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Diodos incorporados - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2501 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GBPC2501WDI EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 A Fase única 100 V
GBJ606-F Diodes Incorporated GBJ606-F 1.7000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ606 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1 v @ 3 a 5 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
KBJ610G Diodes Incorporated KBJ610G 1.1770
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ610 Estándar KBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
W04G Diodes Incorporated W04G -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wog W04 Estándar Montar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados W04gdi EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V 1.5 A Fase única 400 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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