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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UDZVTE-173.6B | 0.2700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L30BDDTE25 | 0.6600 | ![]() | 837 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR3L30 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 530 MV @ 3 A | 80 µA @ 30 V | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RB550VM-30TE-17 | 0.3900 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB550 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 590 MV @ 500 Ma | 35 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Edzfjte616.8b | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfjt | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfjte616.8btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
Rrs040p03fratb | 0.3489 | ![]() | 2760 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RRS040 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 4A (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||
RLZTE-118.2B | - | ![]() | 4044 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 500 na @ 5 V | 8 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L60AdDTE25 | 0.6600 | ![]() | 662 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR3L60 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 660 MV @ 3 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RB561VM-40TE-17 | 0.3900 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB561 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 560 MV @ 500 Ma | 300 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RW1A025APT2CR | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RW1A025 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wemt | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 12 V | 2.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 62mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 16 NC @ 4.5 V | -8v | 2000 pf @ 6 V | - | 400MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | RFS30TZ6SGC13 | 6.1700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | RFS30 | Estándar | To-247ge | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RFS30TZ6SGC13 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 650 V | 2.3 V @ 30 A | 35 ns | 5 µA @ 650 V | 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-1718B | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.63% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Ufzvte | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 13 V | 18 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | RB085T-60NZC9 | 2.0200 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB085 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB085T-60NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 580 MV @ 5 A | 300 µA @ 60 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84b10vlyfht116 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA3.6B | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 3.29% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 10 µA @ 1 V | 3.72 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3060AlHRC11 | 25.3100 | ![]() | 282 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT3060 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 39A (TC) | 18V | 78mohm @ 13a, 18V | 5.6V @ 6.67MA | 58 NC @ 18 V | +22V, -4V | 852 pf @ 500 V | - | 165W | ||||||||||||||||
![]() | 1SS400G9JTE61 | - | ![]() | 9203 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-1SS400G9JTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6018jnjgtl | 4.2600 | ![]() | 626 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6018 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 15V | 286mohm @ 9a, 15V | 7V @ 4.2MA | 42 NC @ 15 V | ± 30V | 1300 pf @ 100 V | - | 220W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | VDZT2R2.7B | - | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sot-723 | VDZT2 | 100 MW | VMD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2.7 V | |||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1127d | - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Rlzte-1127 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 21 V | 25.6 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Rb098bm150fhtl | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB098 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 6A | 830 MV @ 3 A | 7 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||
![]() | Ufzvfhte-1712b | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.71% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Ufzvfhte | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 9 V | 12 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||
MTZJT-773.0B | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt773.0b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6U37TR | 0.2938 | ![]() | 6394 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6U37 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 240mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 80 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | KDZVTR8.2B | 0.3900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Kdzv | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZVTR8.2 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 5 V | 8.75 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020EnXC7G | 5.3400 | ![]() | 956 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6020EnXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 20A (TA) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Rb886y9hkt2r | - | ![]() | 3406 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB886Y9HKT2RTR | Obsoleto | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 15 V | 10 Ma (DC) | 350 MV @ 1 MA | 120 µA @ 5 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c27vlfht116 | 0.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 7.04% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 19 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7233b | - | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7233b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 25 V | 33 V | 65 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ3RSM10BTL1 | 0.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 700 MV @ 3 A | 80 µA @ 100 V | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | RB053L-30TE25 | 0.3115 | ![]() | 1811 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB053 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 420 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 3A | - |
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