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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N6625E3 Microchip Technology 1N6625E3 -
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1100 V 1.95 V @ 1.5 A 80 ns 1 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N936A Microchip Technology 1N936A 11.7000
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N936 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20 ohmios
JANTX1N4104UR-1 Microchip Technology Jantx1n4104ur-1 13.0311
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 1N4104 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7.6 V 10 V 200 ohmios
JANTX1N4486 Microchip Technology Jantx1n4486 7.6500
RFQ
 ECAD 7608 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4486 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 60 V 75 V 130 ohmios
JANTX1N4994US Microchip Technology Jantx1n4994us -
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 251 V 330 V 1175 ohmios
JANTX1N5521B-1 Microchip Technology Jantx1n5521b-1 6.5600
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5521 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 1.5 V 4.3 V 18 ohmios
JANTX1N6324 Microchip Technology Jantx1n6324 13.9950
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6324 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 1 µA @ 8 V 10 V 6 ohmios
JANTX1N757AUR-1 Microchip Technology Jantx1n757aur-1 4.2600
RFQ
 ECAD 1951 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 1N757 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 7 V 9.1 V 6 ohmios
JANTX1N964B-1 Microchip Technology Jantx1n964b-1 2.2350
RFQ
 ECAD 4552 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N964 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 9.9 V 13 V 13 ohmios
JANTX1N971B-1 Microchip Technology Jantx1n971b-1 2.5200
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N971 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
DN2535N3-G Microchip Technology DN2535N3-G 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) DN2535 Mosfet (Óxido de metal) TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 350 V 120MA (TJ) 0V 25ohm @ 120mA, 0V - ± 20V 300 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1W (TC)
TN0620N3-G Microchip Technology TN0620N3-G 1.6300
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0620 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 250MA (TJ) 5V, 10V 6ohm @ 500 mA, 10V 1.6V @ 1 MMA ± 20V 150 pf @ 25 V - 1W (TC)
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0.9500
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA DN1509N8 Mosfet (Óxido de metal) TO-243AA (SOT-89) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 90 V 360MA (TJ) 0V 6ohm @ 200Ma, 0V - ± 20V 150 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.6w (TA)
LND150N8-G Microchip Technology LND150N8-G 0.7900
RFQ
 ECAD 4221 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA LND150 Mosfet (Óxido de metal) SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 30 Ma (TJ) 0V 1000OHM @ 500 µA, 0V - ± 20V 10 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.6w (TA)
VN10KN3-G Microchip Technology VN10KN3-G 0.6000
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN10KN3 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 310MA (TJ) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 30V 60 pf @ 25 V - 1W (TC)
JAN1N2806RB Microchip Technology Jan1n2806rb -
RFQ
 ECAD 1563 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/114 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero A-204AD 1N2806 50 W TO-204AD (TO-3) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 50 µA @ 5.4 V 8.2 V 0.4 ohmios
JANS1N6312DUS Microchip Technology Jans1n6312dus -
RFQ
 ECAD 1957 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Descontinuado en sic ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 1 V 3.3 V 27 ohmios
JANTXV1N6316US Microchip Technology Jantxv1n6316us -
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 1.5 V 4.7 V 17 ohmios
JANS1N6485US Microchip Technology Jans1n6485us -
RFQ
 ECAD 5613 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sq-melf, un 1N6485 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
JANTXV1N6488 Microchip Technology Jantxv1n6488 -
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sq-melf, un 1N6488 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
JANTXV1N6490 Microchip Technology Jantxv1n6490 -
RFQ
 ECAD 7109 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
JAN1N935B-1 Microchip Technology Jan1N935B-1 -
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/156 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N935 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20 ohmios
JAN1N937B-1 Microchip Technology Jan1N937B-1 -
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/156 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N937 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9 V 20 ohmios
JAN1N943B-1 Microchip Technology Jan1N943B-1 -
RFQ
 ECAD 2220 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/157 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 V 30 ohmios
JANTX1N2841B Microchip Technology Jantx1n2841b -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/114 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero A-204AD 1N2841 50 W TO-204AD (TO-3) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 91.2 V 120 V 40 ohmios
JANTX1N2842B Microchip Technology Jantx1n2842b -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/114 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero A-204AD 1N2842 50 W TO-204AD (TO-3) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 98.8 V 130 V 50 ohmios
JAN1N2974RB Microchip Technology Jan1n2974rb -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N2974 10 W DO-213AA (DO-4) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 25 µA @ 7.6 V 10 V 3 ohmios
JANTXV1N2991B Microchip Technology Jantxv1n2991b -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N2991 10 W DO-213AA (DO-4) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 27.4 V 36 V 10 ohmios
JAN1N3000B Microchip Technology Jan1N3000B -
RFQ
 ECAD 2974 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N3000 10 W DO-213AA (DO-4) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 47.1 V 62 V 17 ohmios
JAN1N3015B Microchip Technology Jan1n3015b -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 152 V 200 V 300 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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