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Productos de semiconductoros discretos (471)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD25404Q3 | 1.1500 |  | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD25404 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 104a (TC) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 10a, 4.5V | 1.15V @ 250 µA | 14.1 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2120 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 96W (TC) | |||
 | CSD75211W1723 | - | | 2799 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 12-UFBGA, DSBGA | CSD75211 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | 12-DSBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a | 40mohm @ 2a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 5.9NC @ 4.5V | 600pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | CSD88584Q5DCT | 4.5200 | | 6077 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 22-POWERTFDFN | CSD88584Q5 | Mosfet (Óxido de metal) | 12W | 22-Vson-Clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | - | 0.95mohm @ 30a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 88nc @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | |||||
 | CSD25484F4 | 0.3800 | | 49 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25484 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.8v, 8V | 94mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 1.42 NC @ 4.5 V | -12V | 230 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||
 | Csd17313q2q1t | 0.8664 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD173 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 5A (TA) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | |||
| CSD23382F4T | 0.8800 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23382 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 3.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 1.35 NC @ 4.5 V | ± 8V | 235 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||
| CSD25310Q2T | 1.1600 | | 22 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD25310Q2 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 20A (TA) | 1.8V, 4.5V | 23.9mohm @ 5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 4.7 NC @ 4.5 V | ± 8V | 655 pf @ 10 V | - | 2.9W (TA) | |||
 | CSD87313DMST | 2.2700 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | CSD87313 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.7w | 8-wson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | - | - | 1.2V @ 250 µA | 28NC @ 4.5V | 4290pf @ 15V | - | |||||
| CSD17382F4T | 0.8800 | | 14 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD17382 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 2.3a (TA) | 1.8v, 8V | 64mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | 10V | 347 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||
 | Csd18535kttt | 3.9100 | | 26 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD18535 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 200a (TA), 279a (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 100a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 6620 pf @ 30 V | - | 300W (TC) | |||
 | CSD18541F5 | 0.4500 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | CSD18541 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.2a (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 1a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 777 pf @ 30 V | - | 500MW (TA) | |||
 | CSD16325Q5 | 2.0700 | | 10 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16325 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 33A (TA), 100A (TC) | 3V, 8V | 2mohm @ 30a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 4000 pf @ 12.5 V | - | 3.1W (TA) | |||
| CSD17310Q5A | 0.9500 | | 30 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17310 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 100a (TC) | 3V, 8V | 5.1mohm @ 20a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 11.6 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1560 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||
 | CSD16322Q5C | 1.4500 | | 149 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD1632 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Son | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 97a (TC) | 3V, 8V | 5mohm @ 20a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1365 pf @ 12.5 V | - | 3.1W (TA) | |||
| Csd25483f4t | 0.9400 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25483 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 1.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 205mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 0.96 NC @ 4.5 V | -12V | 198 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||
| CSD25402Q3A | 0.9200 | | 53 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD25402Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 76a (TC) | 1.8V, 4.5V | 8.9mohm @ 10a, 4.5V | 1.15V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1790 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 69W (TC) | |||
 | CSD25213W10 | 0.4700 | | 13 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD25213 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.9 NC @ 4.5 V | -6v | 478 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||
 | Csd18533kcs | 1.7000 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | CSD18533 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 72a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 75a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 3025 pf @ 30 V | - | 192W (TC) | |||
 | CSD17318Q2 | 0.5400 | | 268 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD17318 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 25A (TC) | 2.5V, 8V | 15.1mohm @ 8a, 8V | 1.2V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 10V | 879 pf @ 15 V | - | 16W (TC) | |||
| CSD17559Q5T | 3.1800 | | 396 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17559 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 40a, 10V | 1.7V @ 250 µA | 51 NC @ 4.5 V | ± 20V | 9200 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | |||
 | CSD25304W1015 | 0.5000 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD25304 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 32.5mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.15V @ 250 µA | 4.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 595 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) | |||
 | CSD87384MT | 2.1400 | | 822 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5 LGA | CSD87384 | Mosfet (Óxido de metal) | 8W | 5-PTAB (5x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 30A | 7.7mohm @ 25A, 8V | 1.9V @ 250 µA | 9.2NC @ 4.5V | 1150pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | CSD13202Q2 | 0.5800 | | 14 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD13202 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 22a (TA) | 2.5V, 4.5V | 9.3mohm @ 5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6.6 NC @ 4.5 V | ± 8V | 997 pf @ 6 V | - | 2.7W (TA) | |||
| CSD18534Q5AT | 1.2900 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18534 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 60 V | 50A (TA) | 4.5V, 10V | 9.8mohm @ 14a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 11.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1770 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | |||
| CSD75208W1015 | 0.5600 | | 11 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75208 | Mosfet (Óxido de metal) | 750MW | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal P (Dual) | 20V | 1.6a | 68mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.5nc @ 4.5V | 410pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | Csd87588n | 1.3900 | | 14 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-xflga | CSD87588 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 5-PTAB (3x2.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 25A | 9.6mohm @ 15a, 10v | 1.9V @ 250 µA | 4.1NC @ 4.5V | 736pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | CSD85301Q2 | 0.6700 | | 19 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD85301 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.3w | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5A | 27mohm @ 5a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 5.4nc @ 4.5V | 469pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | |||||
 | Csd88539nd | 0.9100 | | 7 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CSD88539 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 15A | 28mohm @ 5a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 9.4nc @ 10V | 741pf @ 30V | - | |||||
 | CSD23280F3T | 0.9400 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23280 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 1.8a (TA) | 1.5V, 4.5V | 116mohm @ 400mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 1.23 NC @ 4.5 V | -6v | 234 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||
 | Csd18511ktt | 1.6400 | | 490 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | CSD18511 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 194a (TA) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 5940 pf @ 20 V | - | 188W (TA) |
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