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Productos de semiconductoros discretos (471)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD13202Q2T | - |  | 7046 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD13202 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 296-CSD13202Q2T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 12 V | 14.4a (TA) | 2.5V, 4.5V | 9.3mohm @ 5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6.6 NC @ 4.5 V | ± 8V | 997 pf @ 6 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||||
 | CSD25481F4 | 0.4500 | | 80 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25481 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 88mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 0.913 NC @ 4.5 V | -12V | 189 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
 | TPIC5223LD | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Sn700887n | 0.6000 | | 7 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC5302D | 1.2000 | | 969 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD19538Q3AT | 1.8700 | | 4221 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD19538 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 100 V | 15a (TA) | 6V, 10V | 59mohm @ 5a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.8W (TA), 23W (TC) | |||||||||||
 | CSD23280F3T | 0.9400 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23280 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 1.8a (TA) | 1.5V, 4.5V | 116mohm @ 400mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 1.23 NC @ 4.5 V | -6v | 234 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
 | CSD75208W1015 | 0.5600 | | 11 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75208 | Mosfet (Óxido de metal) | 750MW | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal P (Dual) | 20V | 1.6a | 68mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.5nc @ 4.5V | 410pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
 | Csd88539nd | 0.9100 | | 7 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CSD88539 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 15A | 28mohm @ 5a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 9.4nc @ 10V | 741pf @ 30V | - | |||||||||||||
 | Til3022 | 0.2800 | | 43 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD1853333Q5A | 1.5100 | | 9 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18533 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 17A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 18a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | |||||||||||
 | CSD87312Q3E | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD87312Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 30V | 27A | 33mohm @ 7a, 8V | 1.3V @ 250 µA | 8.2NC @ 4.5V | 1250pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
| CSD18504Q5A | 1.1400 | | 136 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18504 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 15A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 17a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1656 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | |||||||||||
 | CSD16327Q3T | 1.3500 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16327 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 3V, 8V | 4mohm @ 24a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 8.4 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1300 pf @ 12.5 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
| TPS1101DR | 1.0319 | | 6739 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TPS1101 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 15 V | 2.3a (TA) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 11.25 NC @ 10 V | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | ||||||||||||
| CSD17556Q5B | 2.5000 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17556 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 34A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 40a, 10v | 1.65V @ 250 µA | 39 NC @ 4.5 V | ± 20V | 7020 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 191W (TC) | |||||||||||
| CSD19534Q5AT | 1.2600 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19534 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 100 V | 44a (TC) | 6V, 10V | 15.1mohm @ 10a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 63W (TC) | |||||||||||
| CSD18531Q5AT | 2.0600 | | 250 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18531 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 60 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 22a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 156W (TC) | |||||||||||
 | LP395Z/NOPB | 1.8000 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | LP395 | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 36 V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||
 | CSD18536KCS | 4.7600 | | 478 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | CSD18536 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 200a (TA) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 100a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 11430 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||||||||
 | CSD87313DMS | 0.8236 | | 9807 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | CSD87313 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | - | - | 1.25V @ 250 µA | 28NC @ 4.5V | 4290pf @ 15V | - | ||||||||||||||
 | Csd25481f4t | 0.8900 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25481 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 88mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 0.91 NC @ 4.5 V | -12V | 189 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
| CSD17507Q5AT | 0.6216 | | 5366 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17507 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | 296-CSD17507Q5ATTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 13A (TA), 65A (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 11a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 3.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 530 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
 | Sn75469d | 1.0600 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SN75469 | - | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 100V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||
| CSD19536KCS | 4.9800 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | CSD19536 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 150A (TA) | 6V, 10V | 2.7mohm @ 100a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||
 | LM395T | 5.2500 | | 42 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | LM395 | Un 220-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 V | 2.2 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||
 | CSD75207W15 | 0.6800 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, DSBGA | CSD75207 | Mosfet (Óxido de metal) | 700MW | 9-DSBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal P (Dual) | - | 3.9a | 162mohm @ 1a, 1.8v | 1.1V @ 250 µA | 3.7nc @ 4.5V | 595pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
 | Tpic1501adwr | 2.5100 | | 18 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| CSD18512Q5BT | 2.1700 | | 2134 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18512 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 40 V | 211a (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7120 pf @ 20 V | - | 139W (TC) | |||||||||||
| CSD19533QO5AT | 1.6900 | | 1254 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19533 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 100 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 9.4mohm @ 13a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) |
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