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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Max	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Figura de ruido	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
PEMB9,315	0.0700	RFQ	594	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PEMB9					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	8,000
PMN28UN, 165	-	RFQ	8166	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMN2		Mosfet (Óxido de metal)		SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10,000		N-canal							12 V	5.7a (TC)	1.8V, 4.5V	34mohm @ 2a, 4.5V	700mv @ 1MA (typ)	10.1 NC @ 4.5 V	± 8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W (TC)
BZX884-C4V7,315	-	RFQ	5954	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882				250 MW	DFN1006-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1.416																														900 MV @ 10 Ma	3 µA @ 2 V								4.7 V	80 ohmios
BUK961R7-40E, 118	-	RFQ	7882	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Buk96		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal							40 V	120a (TC)	5V, 10V	1.5mohm @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	105.4 NC @ 5 V	± 10V	15010 pf @ 25 V	-	324W (TC)
2pd601ar, 115	-	RFQ	9988	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2PD60			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	15,000																																	50 V	100 mA				10NA (ICBO)				NPN	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	210 @ 2mA, 10V	100MHz
MRF6S23100HSR3	-	RFQ	8454	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		68 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF6	2.4GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0075	250			-			1 A	20W	15.4db																					-						28 V
BC639,116	-	RFQ	3889	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC63			830 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	2,000																																	80 V	1 A				100NA (ICBO)				NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
PSMN008-75P, 127	-	RFQ	8560	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	PSMN0		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal							75 V	75A (TC)	10V	8.5mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	122.8 NC @ 10 V	± 20V	5260 pf @ 25 V	-	230W (TC)
Buk9y7r6-40e/gfx	-	RFQ	3908	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto						Buk9					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1.500
OT355,127	-	RFQ	4868	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			-	-	-	OT35				-	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934057936127	EAR99	8541.30.0080	1,000	Soltero																		Estándar				-
PZU2.7B1A115	0.0200	RFQ	4989	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar					EAR99	8541.10.0050	8,950
PBLS2021D, 115	-	RFQ	5929	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						PBLS20					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000
Buk9y12-40e/gfx	-	RFQ	8308	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto						Buk9					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1.500
BCM856DS, 115	0.0700	RFQ	9281	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BCM85					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000
BC56-10pas115	0.0600	RFQ	54	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
PMDPB30XN/S711115	-	RFQ	5269	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0095	3.000
BAS40H, 115	0.0300	RFQ	2342	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BAS40					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000
BCP56-16/DG/B2115	0.1800	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0075	1,000
TDZ27J, 115	0.0300	RFQ	5674	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	Una granela	Activo	± 2%		-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	TDZ27			500 MW	Sod-323f	descascar					EAR99	8541.10.0050	3.000																														1.1 V @ 100 Ma	50 na @ 18.9 V								27 V	40 ohmios
A2T21S161W12SR3	-	RFQ	6110	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		28 V		Monte del Chasis	Ni-780-2S2L	A2T21	2.11GHz ~ 2.2GHz	Ldmos		Ni-780-2S2L	-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935363146128	EAR99	8541.29.0075	250			-				38w	-																					-
BAP63-05W, 115	-	RFQ	2670	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		SC-70, SOT-323	BAP63				SC-70	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000				100 mA														240 MW														0.35pf @ 20V, 1MHz				Pin - 1 par Cátodo Común	50V				1.5ohm @ 100 mA, 100MHz
BZB784-C5V6,115	1.0000	RFQ	2211	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%		-	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323				350 MW	Sot-323	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común																													900 MV @ 10 Ma	1 µA @ 2 V								5.6 V	40 ohmios
BZX284-B2V7,115	-	RFQ	2394	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD -10	BZX284			400 MW	SOD -10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																														1.1 V @ 100 Ma	20 µA @ 1 V								2.7 V	100 ohmios
BT169H, 112	-	RFQ	7636	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			-	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BT169				Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934061729112	EAR99	8541.30.0080	5,000					3 MA															800 V	800 Ma	800 MV	9a, 10a	100 µA	1.7 V	500 mA	100 µA	Puerta sensible
BZX585-C4V7,115	-	RFQ	5880	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BZX585					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000
Buk7e5r2-100e, 127-nxp	1.0000	RFQ	7907	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Tubo	Activo			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal							100 V	120a (TC)	10V	5.2mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	180 NC @ 10 V	± 20V	11810 pf @ 25 V	-	349W (TC)
Bfu590qx	1.1200	RFQ	866	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BFU590			2W	SOT-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000								6.5db																									12V	200 MMA								NPN		60 @ 80mA, 8V	8GHz	-
PSMN012-25YLC, 115	-	RFQ	1882	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669	PSMN0		Mosfet (Óxido de metal)		LFPAK56, POWER-SO8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal							25 V	33A (TC)	4.5V, 10V	12.6mohm @ 10a, 10v	1.95V @ 1MA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	528 pf @ 12 V	-	26W (TC)
BC807-25/6215	0.0200	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	15,000
PHU97NQ03LT, 127	-	RFQ	8021	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	PHU97		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal							25 V	75A (TC)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 25A, 10V	2.15V @ 1MA	11.7 NC @ 4.5 V	± 20V	1570 pf @ 12 V	-	107W (TC)