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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTD123ys, 126 | - |  | 6845 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTD123 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 70 @ 50 mm, 5V | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S9100MR1 | - | | 5044 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | Un 270ab | MRF5 | 880MHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 20W | 19.5dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR92AW, 115 | - | | 6440 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BFR92 | 300MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 15V | 25 Ma | NPN | 65 @ 15 Mapa, 10V | 5GHz | 2db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A6V8/LF1R | - | | 7365 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069515215 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B51,115 | - | | 6601 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 110 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C3V6135 | - | | 6625 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK761R8-30C, 118 | - | | 1442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk76 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 10349 pf @ 25 V | - | 333W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU520W135 | - | | 2532 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C51,133 | 0.0400 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 36 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B75,133 | - | | 9428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C2V4/LF1R | - | | 6827 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C2V4 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069453215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU18B1A, 115 | - | | 3852 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,353 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 13 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ4.7B/ZLX | - | | 1038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Activo | PDZ4.7 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069111115 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF19030LR5 | - | | 8536 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-400 | MRF19 | 1.96 GHz | Ldmos | Ni-400 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 300 mA | 30W | 13dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBRP123ys, 126 | - | | 2509 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PBRP123 | 500 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 800 Ma | - | PNP - Pre -Sesgado | - | - | 2.2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX3V6C, 133 | 0.0200 | | 62 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX284-B24,115 | - | | 2485 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD -10 | BZX284 | 400 MW | SOD -10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C27,235 | 0.0200 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5220V, 115 | - | | 3109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS226,115 | - | | 1712 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS22 | Estándar | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 80 V | 215MA (DC) | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MHT1803B | 18.9000 | | 2041 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Banda | Activo | MHT1803 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4240T, 215 | - | | 5475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF540,127 | - | | 8622 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF54 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 23a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 1MA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 1187 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT721C/ZLR | - | | 4993 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | BAT72 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934068476215 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA114TK, 115 | - | | 8396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA114 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 1 mapa, 5v | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C3V0,315 | 0.0300 | | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,606 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ON5274,115 | - | | 6515 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ON52 | - | - | SC-73 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934058849115 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-06/ZLVL | - | | 6516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PEMT1,115 | - | | 3313 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pemt1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF377HR3 | - | | 4060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-860C3 | MRF37 | 860MHz | Ldmos | NI-860C3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | 17A | 2 A | 45W | 18.2db | - | 32 V |
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