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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Calificación | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMBT4401YS115 | 0.0300 |  | 2633 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,316 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN035-150B, 118 | - | | 9888 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PSMN0 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK6217-55C, 118 | - | | 9408 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.500 | N-canal | 55 V | 44a (TA) | 19mohm @ 12a, 10v | 2.8V @ 1MA | 33.8 NC @ 10 V | ± 16V | 1950 pf @ 25 V | - | 80W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK6212-40C, 118 | - | | 6413 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.500 | N-canal | 40 V | 50A (TA) | 11.2mohm @ 12a, 10v | 2.8V @ 1MA | 33.9 NC @ 10 V | ± 16V | 1900 pf @ 25 V | - | 80W | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF10M6LS200U112 | 95.3500 | | 260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0035-100P | 202.5400 | | 994 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 V | Monte del Chasis | Sot-1228a | 3.5 GHz | Hemt | Más | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 330 Ma | 100W | 12.5dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857CM315 | 1.0000 | | 6082 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | BC857 | 150 MW | SOT-883 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 10,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7107-55ate, 118 | - | | 1603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchPlus ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TA) | 7mohm @ 50A, 10V | 4V @ 1MA | 116 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 272W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
| BLF7G24LS-160P, 112 | 113.5700 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | 65 V | Sot539b | BLF7G24 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | Ldmos | Sot539b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Fuente Común Dual | - | 1.2 A | 30W | 18.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846BM315 | - | | 9382 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 200 MV A 500 µA, 10 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYC15-600P127 | 0.4800 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | TO20AC | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 628 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.2 V @ 15 A | 18 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF7G10LS-250,112 | 97.2300 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502b | 869MHz ~ 960MHz | Ldmos | Sot502b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 4 | 5 µA | 1.8 A | 250W | 19.5dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B39115 | 1.0000 | | 7627 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC8B-600P118 | 0.4000 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C3V9135 | - | | 3250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6VP3450HSR5-NXP | 225.1400 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 110 V | Monte del Chasis | NI-1230-4S | 470MHz ~ 860MHz | Ldmos | NI-1230-4S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | 10 µA | 1.4 A | 450W | 22.5db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7109-75aie, 118 | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BUK71 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA208X-1000C0/L01127 | - | | 2236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN5R0-100ES, 127 | - | | 4441 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | PSMN5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk6e3r2-55c, 127 | - | | 8042 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK96180-100A, 118 | 1.0000 | | 1557 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 11a (TA) | 173mohm @ 5a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 15V | 619 pf @ 25 V | - | 54W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B13115 | - | | 7335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV10-600P127 | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.154 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7e2r3-40c, 127 | 0.9700 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tubo | Activo | Buk7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3G26H501W17SR3 | 140.6060 | | 9327 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Activo | A3G26 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C2V4,235 | 0.0200 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C6V2,113 | 0.0400 | | 64 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ACT108W-600D, 135 | 0.1500 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | ACT10 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C7V5,315 | - | | 5760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS21SW115 | - | | 2091 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 |
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