SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
PBRN123YK,115 NXP USA Inc. PBRN123YK, 115 -
RFQ
ECAD 9188 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN123 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 600 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 1.15V @ 8 Ma, 800 Ma 500 @ 300mA, 5V 2.2 kohms 10 kohms
MRF9085LSR3 NXP USA Inc. MRF9085LSR3 -
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF90 880MHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.31.0001 250 - 700 Ma 90W 17.9dB - 26 V
MMRF1314HR5 NXP USA Inc. MMRF1314HR5 603.9620
RFQ
ECAD 4362 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 105 V Monte del Chasis Sot-979a MMRF1314 1.4GHz Ldmos NI-1230-4H descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Dual - 100 mA 1000W 17.7db - 50 V
BZX79-C30,113 NXP USA Inc. BZX79-C30,113 0.0200
RFQ
ECAD 208 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX79 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000
BAV170/ZLR NXP USA Inc. BAV170/ZLR -
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV17 Estándar SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 75 V 215MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 3 µs 5 na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
BZX384-B3V3135 NXP USA Inc. BZX384-B3V3135 1.0000
RFQ
ECAD 4563 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BZX384 descascar EAR99 8541.10.0050 1
BZX79-B47133 NXP USA Inc. BZX79-B47133 0.0200
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0050 1
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. A2T18H450W19SR6 -
RFQ
ECAD 9192 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 30 V Monte del Chasis NI-1230S-4S4S A2T18 1.805GHz ~ 1.88GHz Ldmos NI-1230S-4S4S descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935318596128 EAR99 8541.29.0075 150 - 89W 16.5dB -
2PB1219AQ,115 NXP USA Inc. 2PB1219AQ, 115 0.0200
RFQ
ECAD 113 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar EAR99 8541.21.0075 1 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30 mA, 300 mA 85 @ 150mA, 10V 100MHz
PZU2.7B2A,115 NXP USA Inc. PZU2.7B2A, 115 -
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 320 MW Sod-323 descascar EAR99 8541.10.0050 2.850 1.1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
PDTC123YE,115 NXP USA Inc. PDTC123YE, 115 -
RFQ
ECAD 4920 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTC123 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V 2.2 kohms 10 kohms
MRF6P18190HR5 NXP USA Inc. MRF6P18190HR5 -
RFQ
ECAD 4872 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis NI-1230 MRF6 1.88GHz Ldmos NI-1230 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 2 A 44W 15.9dB - 28 V
BAS40-04/ZLVL NXP USA Inc. BAS40-04/ZLVL -
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 40 V 120 mA (DC) 1 V @ 40 Ma 10 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
BZX79-C16,143 NXP USA Inc. BZX79-C16,143 0.0200
RFQ
ECAD 161 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 700 mv 16 V 40 ohmios
PEMB17,115 NXP USA Inc. PEMB17,115 0.0400
RFQ
ECAD 266 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PEMB1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000
BZX84-B16/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B16/LF1R -
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B16 250 MW SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069394215 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
BZX284-B8V2,115 NXP USA Inc. BZX284-B8V2,115 -
RFQ
ECAD 2804 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD -10 BZX284 400 MW SOD -10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 10 ohmios
BUK754R7-60E,127 NXP USA Inc. Buk754r7-60e, 127 -
RFQ
ECAD 1264 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 4.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 82 NC @ 10 V ± 20V 6230 pf @ 25 V - 234W (TC)
PDTB123EU135 NXP USA Inc. PDTB123EU135 0.0300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
PMPB20UN,115 NXP USA Inc. PMPB20UN, 115 -
RFQ
ECAD 2967 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición PMPB2 Mosfet (Óxido de metal) 6-DFN2020MD (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 6.6a (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.1 NC @ 4.5 V ± 8V 460 pf @ 10 V - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
MRF6V14300HR3 NXP USA Inc. MRF6V14300HR3 -
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 100 V Monte del Chasis Sot-957a MRF6 1.4GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 150 Ma 330W 18dB - 50 V
PZU4.7B3,115 NXP USA Inc. PZU4.7B3,115 -
RFQ
ECAD 8389 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PZU4.7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000
BUK9907-40ATC,127 NXP USA Inc. Buk9907-40atc, 127 -
RFQ
ECAD 4375 0.00000000 NXP USA Inc. * Tubo Activo Buk99 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
BC54-16PAS115 NXP USA Inc. BC54-16pas115 -
RFQ
ECAD 6087 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
MRF5S19060NBR1 NXP USA Inc. MRF5S19060NBR1 -
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Un 272bb MRF5 1.99 GHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 750 Ma 12W 14dB - 28 V
BZX84-C7V5/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C7V5/LF1VL -
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C7V5 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069506235 EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
PMEG6010AESBC315 NXP USA Inc. PMEG6010AESBC315 0.0500
RFQ
ECAD 883 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMEG6010 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 10,000
MRFE6S9160HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9160HSR5 -
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Monte del Chasis Ni-780s Mrfe6 880MHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.2 A 35W 21db - 28 V
MRF6S9160HSR3 NXP USA Inc. MRF6S9160HSR3 -
RFQ
ECAD 8085 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 880MHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.2 A 35W 20.9db - 28 V
MMRF1314H-1200 NXP USA Inc. MMRF1314H-1200 1.0000
RFQ
ECAD 2907 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 105 V Monte del Chasis Sot-979a 1.2GHz ~ 1.4GHz LDMOS (dual) NI-1230-4H - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 568-MMRF1314H-1200 1 2 Canal 10 µA 100 mA 1000W 17.7db - 52 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock